日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 在40kHz以上的應(yīng)用，具有極快的和軟恢復(fù)的時(shí)間，以及低正向壓降和反向峰值電流，可減少太陽(yáng)能逆變器、UPS、電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)、電焊機(jī)、服務(wù)器和連續(xù)導(dǎo)通模式功率因數(shù)校正（CCM PFC）中的開(kāi)關(guān)損耗。根據(jù)用戶(hù)需求設(shè)計(jì)的“U”系列可用于頻率最高為40kHz的應(yīng)用，具有低得多的正向壓降，可優(yōu)化導(dǎo)通損耗。
2013-05-31 10:33:25706 英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專(zhuān)為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計(jì)的新型二極管系列：英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進(jìn)的關(guān)斷能力，關(guān)斷速度可達(dá)5 kA/μs。
2018-06-22 14:38:394930 為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過(guò)程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測(cè)試,建立了 一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過(guò)雙脈沖測(cè)試對(duì)影響 IGBT 開(kāi)關(guān)損耗的參數(shù)( Eon
2023-03-06 15:02:511538 【 2023 年 5 月 12 日，德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361028 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
，有利于外圍元器件的小型化在PWM逆變器驅(qū)動(dòng)時(shí)的損耗仿真中，與同等額定電流的IGBT模塊相比，相同開(kāi)關(guān)頻率的損耗在5kHz時(shí)減少30%、20kHz時(shí)減少55%，總體損耗顯著降低。在20kHz時(shí)，散熱器
2018-12-04 10:20:43
IGBT英飛凌的模塊，用著怎么樣啊，求指導(dǎo)。
2018-04-17 15:27:54
設(shè)計(jì)工程師設(shè)計(jì)出緊湊型逆變器創(chuàng)造了機(jī)會(huì)。立足于這些Econo模塊的成功和日益提高的應(yīng)用要求，英飛凌開(kāi)發(fā)出面向22kW至75kW應(yīng)用的全新功率模塊。這種新的IGBT模塊即為圖2所示的EconoPACK
2018-12-07 10:23:42
不同特征的IGBT。 在低頻如fk＜10kHz時(shí)，通態(tài)損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IGBT系列。對(duì)應(yīng)英飛凌產(chǎn)品需先用后綴為DLC、KE3、KE4、ME4系列IGBT； 若開(kāi)關(guān)頻率在
2022-05-10 10:06:52
公式 帶入上述幾個(gè)參數(shù)可以推出： 7、IGBT的開(kāi)通損耗計(jì)算 設(shè)開(kāi)關(guān)頻率為Fsw情況下，那么直接計(jì)算損耗為： 由于每次Eon均與電流相關(guān)，開(kāi)關(guān)電壓相同。且經(jīng)過(guò)上管IGBT的電流的函數(shù)關(guān)系為 8
2023-02-24 16:47:34
，也就是說(shuō)將近5mA的電流損耗在7805里了。有沒(méi)有低損耗的電源芯片，可以最大限度的降低損耗呢？哪位神哥給推薦一個(gè)啊！
2019-10-25 03:59:57
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗
2018-12-04 10:14:32
，高輸出功率下損耗的降低，會(huì)導(dǎo)致低負(fù)載范圍內(nèi)損耗的升高。 英飛凌通過(guò)推出阻斷電壓為40V和60V的新型MOSFET，為在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)大幅降低各種損耗創(chuàng)造了條件。 通過(guò)對(duì)測(cè)量曲線進(jìn)行直接比對(duì)，結(jié)果顯示
2018-12-06 09:46:29
我在做軟開(kāi)關(guān)，使用的是英飛凌IGBT:BSM150GB60DLC，在大負(fù)載時(shí)驅(qū)動(dòng)波形會(huì)有振蕩現(xiàn)象，有個(gè)別大神說(shuō)可能是IGBT問(wèn)題，有用過(guò)這個(gè)信號(hào)的大神嗎？這個(gè)管子怎么樣？
2019-03-14 16:50:48
[tr][td]英飛凌IGBT應(yīng)用常見(jiàn)問(wèn)題解答1.IGBT模塊適用于哪些產(chǎn)品？2.Easy系列模塊電壓/電流/功率范圍？3.Easy系列有哪幾種封裝？........總共23個(gè)問(wèn)題，，已經(jīng)有此資料
2018-12-13 17:16:13
廠家的1250A軟開(kāi)關(guān)逆變焊機(jī)為例（零電壓開(kāi)通，軟關(guān)斷，計(jì)入1/3的關(guān)斷損耗），原邊電流有效值Irms=170A, 開(kāi)關(guān)頻率fsw=20KHz，單個(gè)IGBT最大占空比D=40%，分別選取
2018-12-03 13:47:57
對(duì)工藝技術(shù)進(jìn)行微調(diào)。英飛凌的第三代高速IGBT系列（2010年量產(chǎn)）可支持開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)100 kHz的應(yīng)用，其關(guān)斷損耗要比前代NPT IGBT低35%。隨著生產(chǎn)成本的降低，該系列器件的樣片的定價(jià)從1.90
2018-12-03 13:47:00
的損耗的簡(jiǎn)單測(cè)量方法。 2 IGBT 參數(shù)的定義 廠商所提供的IGBT 開(kāi)關(guān)參數(shù)通常是在純感性負(fù)載下測(cè)量的, 圖1 和圖2 分別是IR 公司和TOSHIBA公司測(cè)量開(kāi)關(guān)時(shí)間的電路和定義開(kāi)關(guān)
2018-10-12 17:07:13
8k-768kHz間所有頻率都支持，如40kHz，53.3kHz等；
若要通過(guò)I2S接口輸入40kHz數(shù)據(jù)信號(hào)，需要進(jìn)行哪些配置？
2023-11-28 06:03:01
低損耗配電開(kāi)關(guān)
2023-03-27 11:55:54
低損耗配電開(kāi)關(guān)
2023-03-27 11:55:54
低損耗配電開(kāi)關(guān)
2023-03-28 12:52:09
本帖最后由 vipwangwj 于 2013-4-7 17:39 編輯
TACONIC低損耗半固化片優(yōu)點(diǎn)：1、非PTFE，無(wú)玻纖的半固化片，信號(hào)傳輸更穩(wěn)定2、低損耗，厚度型號(hào)多，熱固性的半固化
2013-04-07 16:24:33
雖然有任何輸入信號(hào)，但它仍然產(chǎn)生40KHZ調(diào)制波輸出。 可以告訴我是什么原因造成的嗎？ 我怎么解決這個(gè)問(wèn)題？ 測(cè)試方法為： 電源：24V / 4Ohm 測(cè)試負(fù)載：水泥電阻（4Ohm / 100W） ＃tda7498調(diào)制波輸出
2019-08-22 11:13:30
我用IGBT設(shè)計(jì)了D類(lèi)功放，用的管子是FGH60N60SFD，開(kāi)關(guān)頻率為300kHz，上網(wǎng)查資料發(fā)現(xiàn)IGBT的開(kāi)關(guān)損耗為圖中公式，查找FGH60N60SFD文檔后計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗為300000*2.46/1000/3.14=235W，我想問(wèn)一下，開(kāi)關(guān)損耗真有這么大嗎，是設(shè)計(jì)的不合理還是我計(jì)算錯(cuò)了？
2019-07-25 10:16:28
山東省IGBT模塊回收濟(jì)南市回收可控硅太倉(cāng)南通江蘇黃山回收英飛凌三菱富士安川IGBT模塊 電話(huà)151-5220-9946 QQ 2360670759南京回收富士IGBT模塊/英飛凌可控硅/ 三菱
2021-12-02 17:55:00
電源需要降低功耗，因此對(duì)高效率開(kāi)關(guān)器件的需求也在增長(zhǎng)。這催生了對(duì)于PFC電路中低損耗開(kāi)關(guān)器件和更高開(kāi)關(guān)頻率的需求。東芝在其新款IGBT中引入了最新的工藝。優(yōu)化的溝槽結(jié)構(gòu)確保了行業(yè)領(lǐng)先的0.35mJ
2023-03-09 16:39:58
供應(yīng)英飛凌的模塊，IGBT，***
2017-06-06 18:09:32
總共可以降低77%。這是前面提到的第一個(gè)優(yōu)勢(shì)。右圖是以PWM逆變器為例的損耗仿真，是開(kāi)關(guān)頻率為5kHz和30kHz時(shí)開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的總體損耗。在與IGBT模塊的比較中，5kHz條件下總體損耗降低
2018-11-27 16:37:30
：RGWxx65C系列的亮點(diǎn)＞使用SiC SBD作為續(xù)流二極管的Hybrid IGBT650V耐壓，IC(100℃) 30A/40A/50A有3種可選通過(guò)使用SiC SBD，顯著降低了導(dǎo)通時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗用于xEV車(chē)載
2022-07-27 10:27:04
求一個(gè)利用單片機(jī)發(fā)射40khz方波的原理圖和程序，謝謝各位
2020-03-15 15:19:24
如何將SC塊配置為40kHz帶通濾波器？ 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文How can i configure the SC block as band pass filter at 40Khz ?
2019-06-04 15:10:28
Q1。如何計(jì)算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來(lái)操作感性開(kāi)關(guān)負(fù)載。開(kāi)關(guān)頻率：- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發(fā)射極電壓：- 24V。平均最大電流：- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會(huì)有什么影響？
2023-01-04 09:00:04
求助：我用74LS04芯片，在9腳輸入個(gè)40khz的頻率，但為什么8腳輸出不了與該頻率相等的頻率楠
2014-08-12 16:08:26
寧波天津市有收購(gòu)三菱IGBT模塊報(bào)價(jià)英飛凌模塊回收蘇州有收購(gòu)三菱IGBT模塊 蘇州英飛凌模塊回收上海IGBT模塊回收模塊回收上海模塊回收長(zhǎng)期收購(gòu)各類(lèi)庫(kù)存電焊機(jī)模塊回收IGBT電源模塊回收高頻電源
2022-01-04 20:52:15
,高價(jià)回收IGBT模塊 面向地區(qū):河北張家口橋東區(qū) :哪里回收IGBT模塊,長(zhǎng)期收購(gòu)IGBT模塊,高價(jià)收購(gòu)英飛凌模塊,回收三菱IGBT模電話(huà)151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-09-16 14:19:49
求52單片機(jī)產(chǎn)生40Khz的方波程序，P2.0口輸出。？？
2014-08-17 16:30:21
現(xiàn)在要做開(kāi)關(guān)電源課程設(shè)計(jì)，硬件電路已經(jīng)設(shè)計(jì)好，線求一個(gè)對(duì)應(yīng)于MPS4302553芯片的PWM脈沖程序，要求輸出方波的脈沖頻率為40KHZ，謝謝
2016-04-29 20:59:53
模塊長(zhǎng)期高價(jià)回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開(kāi)關(guān),雙向變換器等 62mm ? 無(wú)錫不限量收購(gòu)回收英飛凌IGBT模塊電話(huà)151-5220-9946QQ2360670759
2021-02-24 17:06:50
頻率，例如40kHz，標(biāo)準(zhǔn)硅基二極管可以是正確的選擇，這些基于英飛凌射極控制技術(shù)的功率二極管能夠進(jìn)一步降低功率設(shè)備的成本，但也增大了無(wú)源元件的尺寸。在板PFC功能可采用兩種方式實(shí)現(xiàn)：在板PFC IC
2018-12-03 13:44:37
請(qǐng)教問(wèn)題：我設(shè)計(jì)了一個(gè)ADAU1701的板子，時(shí)鐘是12.288MHZ，f0為48KHZ，我想生成一個(gè)40KHZ的正玄波，sine tone最大只能生成20KHZ的正玄波，不知道怎么才能生成40KHZ的正玄波。非常感謝
2018-08-09 06:37:57
哪位大神知道，在stop模式下，內(nèi)部低速40KHZ還可以給內(nèi)部RTC提供時(shí)鐘嗎？
2018-11-02 08:47:37
我是單片機(jī)的初學(xué)者，現(xiàn)在的項(xiàng)目需要一個(gè)40Khz的方波。不太了解單片機(jī)要怎樣產(chǎn)生波形，求大神詳解！！
2016-03-21 07:48:12
原子大哥近日想做一個(gè)用紅外線控制的， 想請(qǐng)問(wèn)下，紅外線必須頻率在40Khz左右才能發(fā)射嗎？我同學(xué)給我說(shuō)就算只加1個(gè)3.3V的電壓，紅外線探頭也可以發(fā)射出去，接受頭也可以接收到高電平。網(wǎng)上沒(méi)有查到相關(guān)資料。原子大哥~~
2019-01-15 02:37:50
比較結(jié)果：? 由于散熱問(wèn)題，IGBT的開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)低于40kHz? 相比于IGBT，SiC MOS 效率0.5% @40KHz? 相比于SJ MOS，SiC MOS 效率+0.1%~0.2
2023-09-07 08:15:06
長(zhǎng)期高價(jià)回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開(kāi)關(guān),雙向變換器等 62mm ?無(wú)錫不限量收購(gòu)回收英飛凌IGBT模塊FF400R12KT3_E
2021-09-17 19:23:57
40kHZ超聲波發(fā)射電路:40kHZ 超聲波發(fā)射電路之一，由F1~F3 三門(mén)振蕩器在F3 的輸出為40kHZ 方波，工作頻率主要由C1、R1 和RP 決定，用RP 可調(diào)電阻來(lái)調(diào)節(jié)頻率。 F3 的輸出激勵(lì)
2009-10-26 14:24:36
660 40kHZ 超聲波發(fā)射電路之一，由F1~F3 三門(mén)振蕩器在F3 的輸出為40kHZ 方波，工作頻率主要由C1、R1 和RP 決定，用RP 可調(diào)電阻來(lái)調(diào)節(jié)頻率。 F3 的輸出激勵(lì)換能器T40-16的一端和反向器F4
2009-11-12 14:38:29182 英飛凌IGBT模塊FF200R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層，這個(gè)附加層被稱(chēng)為電場(chǎng)終止
2023-02-24 14:45:08
40kHZ超聲波發(fā)射電路之一，由F1~F3三門(mén)振蕩器在F3的輸出為40kHZ方波，工作頻率主要由C1、R1和RP決定，用RP可調(diào)電阻來(lái)調(diào)節(jié)頻率。 F3的輸出激勵(lì)換能器T40-16的一端和反向器F4，F(xiàn)4輸
2010-10-09 15:37:52161
工作頻率40khz的150W開(kāi)關(guān)電源電路
2008-08-22 10:19:442333 
低損耗亮度控制電路圖
2009-04-02 08:48:32347 
40kHz超聲波發(fā)射機(jī)電路圖
2009-04-14 09:44:511453 
40KHz超聲鉗位 限幅接收放大電路圖
2009-06-25 10:02:132053 
漢王CeBIT上推出面向歐洲市場(chǎng)3G電紙書(shū)
網(wǎng)易科技訊 3月3日消息，2010德國(guó)漢諾威CeBIT展會(huì)近日開(kāi)幕。漢王科
2010-03-04 08:44:04639 40kHZ超聲波收發(fā)電路原理圖大全
40kHZ超聲波發(fā)射電路(1) 40kHZ超聲波發(fā)
2010-03-10 11:09:1617363 
TI推出面向便攜式應(yīng)用的集成 HDMI 配套芯片
德州儀器 (TI) 宣布推出面向便攜式應(yīng)用核心 HDMI 控制器的業(yè)界首款集成型 HDMI 接口配套芯片，該 TPD12S015
2010-03-27 10:41:15744 新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。
2010-05-25 09:05:201169 
1）序言
文章介紹如何設(shè)計(jì)電路，減低采用IRIS40xx系列集成開(kāi)關(guān)器的反激式電源中的空載和待機(jī)狀態(tài)損耗。要達(dá)到此目的，可以利用一個(gè)根據(jù)負(fù)載
2010-09-12 11:03:571089 
英飛凌RC-D功率開(kāi)關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場(chǎng)領(lǐng)先的英飛凌專(zhuān)有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管，具有很低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，并且減小了永磁電機(jī)驅(qū)
2011-05-31 09:00:421610 泰克3月19日在北京宣布，推出面向大學(xué)本科生基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)室的TDS1000C-EDU系列數(shù)字示波器（見(jiàn)圖1）。分為40MHz、60MHz和100MHz三種型號(hào)。起價(jià)7830元人民幣。
2012-03-27 09:45:11697 德國(guó)慕尼黑 – 2015年2月6日 – 英飛凌科技股份公司（FSE：IFX/ OTCQX：IFNNY）近日推出新型低飽和壓降VCE（sat） IGBT。此類(lèi)IGBT 專(zhuān)門(mén)針對(duì) 50Hz 至20kHz 的低開(kāi)關(guān)頻率范圍進(jìn)行了優(yōu)化。
2015-02-09 11:21:532235 英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片，可提高牽引和工業(yè)傳動(dòng)等高性能設(shè)備的可靠性
2015-06-24 18:33:292516 
常用開(kāi)關(guān)電源IGBT資料。
NPT型IGBT開(kāi)關(guān)頻率不要超過(guò)40kHz
2016-03-28 14:45:4212 常用開(kāi)關(guān)電源IGBT資料
NPT型IGBT開(kāi)關(guān)頻率不要超過(guò)40kHz
2016-03-28 14:45:3710 基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù)，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開(kāi)關(guān)特性。
2018-06-21 10:10:4412361 英飛凌聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開(kāi)發(fā)出面向輕度混合動(dòng)力汽車(chē)的新技術(shù)：芯片嵌入式功率MOSFET。
2019-05-14 16:58:301298 40kHZ 超聲波發(fā)射電路之一，由F1~F3 三門(mén)振蕩器在F3 的輸出為40kHZ 方波，工作頻率主要由C1、R1 和RP 決定，用RP 可調(diào)電阻來(lái)調(diào)節(jié)頻率。 F3 的輸出激勵(lì)換能器T40
2020-07-15 17:29:5416 據(jù)外媒報(bào)道，三星目前已經(jīng)推出面向筆記本電腦的OLED屏幕，并可提供出色的圖像質(zhì)量。
2021-01-06 15:03:022935 40kHZ超聲波發(fā)射電路之一，由F1~F3三門(mén)振蕩器在F3的輸出為40kHZ方波，工作頻率主要由C1、R1和RP決定，用RP可調(diào)電阻來(lái)調(diào)節(jié)頻率。 F3的輸出激勵(lì)換能器T40-16的一端和反向器F4
2021-03-18 09:32:0913 40kHZ超聲波發(fā)射電路之一，由F1~F3三門(mén)振蕩器在F3的輸出為40kHZ方波，工作頻率主要由C1、R1和RP決定，用RP可調(diào)電阻來(lái)調(diào)節(jié)頻率。 F3的輸出激勵(lì)換能器T40-16的一端和反向器F4
2021-03-25 14:24:183 40kHZ 超聲波發(fā)射電路之一，由F1~F3 三門(mén)振蕩器在F3 的輸出為40kHZ 方波，工作頻率主要由C1、R1 和RP 決定，用RP 可調(diào)電阻來(lái)調(diào)節(jié)頻率。 F3 的輸出激勵(lì)換能器T40
2021-03-26 10:33:0523 ）IGBT，使其非常適合電機(jī)驅(qū)動(dòng)在硬開(kāi)關(guān)電路中的最高工作頻率為20 kHz。 SLLIMM?是以下產(chǎn)品的商標(biāo)：意法半導(dǎo)體。 ?
2021-04-08 11:17:4511 LTC3118項(xiàng)目-18V、2A降壓-升壓DCDC轉(zhuǎn)換器，帶低損耗雙輸入PowerPath(2.5-18V至5V@2A)
2021-05-31 12:22:482 (ASEMI)英飛凌AIGW40N65H5汽車(chē)級(jí)IGBT規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-10-17 16:35:186 MegaPhase的NextPhase?低損耗電纜致力于需求低損耗和三重屏蔽的通用型相互連接需求設(shè)計(jì)，最高頻率為40GHz。NextPhase?40GHz低損耗電纜使用包含ATE、陸基和空基電子戰(zhàn)
2022-11-01 13:52:43969 目前IGBT 的電流/電壓等級(jí)已達(dá)1800A/1200V，關(guān)斷時(shí)間已經(jīng)縮短到40ns，工作頻率可達(dá)40kHz，擎住現(xiàn)象得到改善，安全工作區(qū)（SOA）擴(kuò)大。這些優(yōu)越的性能使得IGBT 稱(chēng)為大功率開(kāi)關(guān)電源、逆變器等電力電子裝置的理想功率器件。
2023-02-16 15:02:081799 40khz超聲波清洗換能器振子低阻抗和低電容設(shè)計(jì)，使超聲波換能器發(fā)熱量低，匹配度好和振幅強(qiáng)等特點(diǎn)。40khz超聲波清洗換能器振子由發(fā)發(fā)射頭，壓電陶瓷片，電極片和螺桿螺帽組成，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)造價(jià)成本低
2023-02-22 12:03:38394 
從某個(gè)外企的功率放大器的測(cè)試數(shù)據(jù)上獲得一個(gè)具體的感受：導(dǎo)通損耗60W開(kāi)關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個(gè)例子：可知，六個(gè)管子的總功耗是714W這跟我在項(xiàng)目用用的那個(gè)150A的模塊試驗(yàn)測(cè)試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 40khz超聲波換能器振子我們平常適用的功率為50W或者60W，100W除非特殊情況下才會(huì)使用，因?yàn)樵靸r(jià)成本比較高。40khz超聲波換能器使用倆片正負(fù)極電極片，倆片35直徑或者38.1直徑的壓電陶瓷
2023-03-01 12:46:27598 
40khz 60W/120W 超聲波線路電路板傳統(tǒng)的超聲波電源頻率跟蹤方法有最大電流搜索諧振頻率方法、鎖相環(huán)頻率跟蹤方法和匹配電感調(diào)節(jié)方法等。
2023-03-19 10:06:17715 
500W 28khz/40khz 超聲波驅(qū)動(dòng)電路線路板對(duì)超聲波振子施加該諧振振=頻率(包括近似)的電脈沖信號(hào)。在這種情況下，產(chǎn)生在不施加電脈沖信號(hào)之后，被稱(chēng)作超聲波振動(dòng)依然機(jī)械性地短時(shí)間持續(xù)的現(xiàn)象
2023-03-24 14:18:45679 
森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13355 
Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商，其IGBT管產(chǎn)品在市場(chǎng)上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門(mén)型號(hào):一、英飛凌IGBT管前10熱門(mén)
2023-08-25 16:58:531479 
了解超聲波清洗機(jī)28khz跟40khz的頻率區(qū)別**前，我們先分別了解一下他們分別代表什么意思：28KHz指每分鐘振動(dòng)次數(shù)為28000次；40KHz是指每分鐘振動(dòng)次數(shù)為40000次。頻率是選擇超聲波
2023-11-03 12:04:19564 
英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿(mǎn)足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求
2023-11-21 08:14:06255 
低損耗同軸線纜的一些主要優(yōu)點(diǎn)和用途? 低損耗同軸線纜是一種具有很多優(yōu)點(diǎn)的電纜，它在很多領(lǐng)域具有廣泛的用途。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地介紹低損耗同軸線纜的主要優(yōu)點(diǎn)和用途。 低損耗同軸線纜的主要優(yōu)點(diǎn)之一
2023-11-27 16:19:38244 速度、效率、損耗、應(yīng)用范圍等方面有一些不同之處。 工作原理： 硬開(kāi)關(guān)模式下，當(dāng)IGBT開(kāi)關(guān)從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，由于電流和電壓較大，會(huì)產(chǎn)生大量的開(kāi)關(guān)損耗。而在軟開(kāi)關(guān)模式下，IGBT在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中能夠在合適的時(shí)機(jī)通過(guò)控制電壓和電流的波形，來(lái)減少開(kāi)關(guān)損耗。 開(kāi)關(guān)速度： 硬開(kāi)關(guān)
2023-12-21 17:59:32660 IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗分別為開(kāi)通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171032 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論