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發(fā)視頻LMG3410 600-V 12-A Single Channel GaN Power Stage
2016-10-17 |
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資料介紹
The LMG3410 Single-Channel Gallium-Nitride (GaN)Power Stage contains a 70-mΩ, 600-V GaN power transistor and specialized driver in an 8-mm by 8-mm QFN package. Our Direct Drive architecture is used to create a normally-off device while providing the native switching performance of the GaN power?transistor.
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