1、400G LAN接口光模塊的技術分析

　　400G LAN（局域網）接口光模塊可能將繼續采用100G 以太網中獨有的并行傳輸方式。2011年2月，Finisar在“超越100GE”的研討會上提出了400 GE模塊標準建議，主要支持400 GE-LR16和400 GE-SR16兩種應用。其中400 GE-LR16采用16×25 G LAN WDM （1330、1310、1290 和1270 nm 4個波道）來實現，而400 GE～SR16則采用了16×25 G多模光纖接口。此外在物理層定義了CAUI（附加單元接口）-16、CPPI（并行物理接口）-16電接口標準。16×25 G僅僅是100GE的線性擴展，只要工藝達到要求就沒有其他技術難點。相比之下，光纖并行將有更多的發展空間，但需要密度更高的光子集成技術的支持才可以使400G商用成為可能。

　　此外，Finisar還提出了400G LAN 應用的其他可能方式：第1種是利用已商用化的4O G 的EML（電吸收調制激光器）技術組成10×40 G架構；第2種是依靠提高EML技術，采用4電平幅度調制和DSP（數字信號處理）進行色散補償的8×50 G的構架；第3種是4×100G的架構，這種架構必須采用復雜的幅度相位調制，如PM-QPSK（偏振復用-正交相移鍵控），目前還沒有能夠商用化的技術演示。

　　NTT的研究報告也指出，在串行數據傳輸中，16×25 G、10×40G和8X 50 G這幾種架構都有可能。對于50 G，調制方式也有基于MZ（馬赫-曾德）的DQPSK（差分正交相移鍵控）調制、或者OOK（開關鍵控）調制。每種架構在體積、成本、功耗等方面都各有優缺點。從目前的研究成果來看，DML（直接調制激光器）制作工藝簡單，功耗低，但是ER（消光比）很小。EML制作工藝復雜、功耗相對較大，但ER較大，可以獲得很清晰的眼圖。此外，基于InGaA1As的量子阱EAM（電吸收調制器）減小了由于價帶偏移造成的在調制過程中的空穴堆積，因此適合用做高速調制。圖1～ 圖3分別是NTT 在OFC 2011上展示的用于400 GE 的1300 nm、50 G EML的光譜，注入電流與出纖功率的關系以及傳輸10和40 km后的輸出眼圖。

　　對于400 GE系統而言，50 G 的OOK調制由于其整個發射端的體積優勢，是一種比較好的折中選擇。在這種調制方式下，DML相比而言實現起來更加困難。因此可以預言，EML和8×50 G 的OOK調制在400 GE系統中前景看好。