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考慮高功率半導(dǎo)體激光器列陣在封裝過程中引入的封裝應(yīng)變會影響激光器的功率、波長和 可 靠 性，對 激 光 器 封 裝應(yīng)變的測量進(jìn)行了研究。基于激光器輸出光的偏振度變化可反映激光器有源區(qū)中量子阱的帶隙變化，采用電致發(fā)光譜法推導(dǎo)了高功率半導(dǎo)體激光器輸出的偏振度值與有源區(qū)應(yīng)變值的關(guān)系。對８００ｎｍ ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＰ高功率半導(dǎo)體激光器列陣有源區(qū)的應(yīng)變進(jìn)行了測量，測量結(jié)果與有限元模擬計(jì)算結(jié)果吻合較好。與理論計(jì)算出的有源區(qū)固有應(yīng)變的對比結(jié)果顯示，激光器芯片在封裝過程中受到銅熱沉的壓縮，會將封裝應(yīng)變引入到有源區(qū)中，并且激光器中間的封裝應(yīng)變大于邊緣的封裝應(yīng)變。另外，激光器有源區(qū)的應(yīng)變起伏比較明顯，認(rèn)為這是由于采用電鍍方法制備的銦焊接層中存在缺陷。測量得到的最大封裝應(yīng)變?yōu)椋保常罚啊粒保埃常毕菝芏葹椋矗埃福ァ５玫降慕Y(jié)果表明，激光器偏振度的測量能夠正確反映激光器的缺陷和封裝應(yīng)變值，進(jìn)而可以有效衡量激光器封裝質(zhì)量的好壞。
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