無線系統用功率放大器

　　每個無線系統的最后輸出級包括某種形式的rf功率放大器（PA），以將信號發送到天線。根據無線系統使用的頻帶，輸出功率，和效率需要，設計師可以從功率放大器與范圍廣泛的技術–砷化鎵（GaAs）制作中選擇，磷化，硅鍺雙極，CMOS鎵銦氮化鎵（GaN），或。系統如手機；無繩電話；Wi-Fi、LTE和WiMAX，適配器；無線路由器和接入點；無線電纜更換；基站；中繼器；一鍵收音機；對講機；ZigBee和藍牙都有；在射頻功率輸出，顯著差異的頻帶，效率和成本的要求。因此，有各種各樣的PA選項，使設計者能夠優化無線系統，使最佳的成本/性能權衡。

　　對于電池供電的系統，低操作和待機電流和高功率效率是關鍵的要求，因為電流消耗和效率將顯著影響系統的電池壽命。PA的效率越高，通話時間越長，Wi-Fi連接的持續時間越長。線路供電的系統，如基站、路由器和接入點通常需要更高的功率輸出，因而具有更高的有功電流。雖然效率仍然很重要，但它的原因不同。許多系統都是密封的外殼，空氣流動最小，所以生熱是一個重要的問題。效率越高，散熱量越小，系統可靠性越好。

　　Of all the technologies， GaN High-Electron-Mobility Transistors （HEMT） shows a lot of promise for future system designs. Since GaN devices can operate at high temperatures （and thus can use smaller heat sinks） and handle high power levels， they are ideal candidates for mobile infrastructure systems （base stations） and WiMAX wireless applications. Currently， GaN-based PAs are more expensive than silicon solutions， but GaN’s enhanced performance and ability to operate at high frequencies （》 4 GHz） could bring the cost in line at the system level. Additionally， future manufacturing advances will also further reduce the cost of GaN. Let’s take a look at some of the amplifier offerings across various technologies.