產生EMC問題主要通過兩個途徑：一個是空間電磁波干擾的形式;另一個是通過傳導的形式，換句話說，產生EMC問題的三個要素是：電磁干擾源、耦合途徑、敏感設備。

　　MOS的并聯使用原則：

　　1.并聯的MOS必須為同等規格，最好是同一批次的。

　　2.并聯的MOS的驅動電路的驅動電阻和放電電路必須是獨立分開的，不可共用驅動電阻和放電電阻。

　　3.PCB走線盡量保證對稱，減小電流分布不均

　　光耦一般會有兩個用途：線性光耦和邏輯光耦，如果理解？

　　工作在開關狀態的光耦副邊三極管飽和導通，管壓降《0.4V，Vout約等于Vcc（Vcc-0.4V左右），Vout 大小只受Vcc大小影響。此時Ic《If*CTR，此工作狀態用于傳遞邏輯開關信號。工作在線性狀態的光耦，Ic=If*CTR，副邊三極管壓降的大小等于Vcc-Ic*RL，Vout= Ic*RL=（Vin-1.6V）/Ri * CTR*RL，Vout 大小直接與Vin 成比例，一般用于反饋環路里面 （1.6V 是粗略估計，實際要按器件資料，后續1.6V同） 。

　　2 光耦CTR

　　概要：

　　1）對于工作在線性狀態的光耦要根據實際情況分析；

　　2）對于工作在開關狀態的光耦要保證光耦導通時CTR 有一定余量；

　　3）CTR受多個因素影響。

　　2.1 光耦能否可靠導通實際計算

　　舉例分析，例如圖.1中的光耦電路，假設 Ri = 1k，Ro = 1k，光耦CTR= 50%，光耦導通時假設二極管壓降為1.6V，副邊三極管飽和導通壓降Vce=0.4V。輸入信號Vi 是5V的方波，

　　輸出Vcc 是3.3V。Vout 能得到3.3V 的方波嗎？

　　我們來算算：If = （Vi-1.6V）/Ri = 3.4mA

　　副邊的電流限制：Ic’ ≤ CTR*If = 1.7mA

　　假設副邊要飽和導通，那么需要Ic’ = （3.3V – 0.4V）/1k = 2.9mA，大于電流通道限制，所以導通時，Ic會被光耦限制到1.7mA， Vout = Ro*1.7mA = 1.7V

　　所以副邊得到的是1.7V 的方波。

　　為什么得不到3.3V 的方波，可以理解為圖.1 光耦電路的電流驅動能力小，只能驅動1.7mA 的電流，所以光耦會增大副邊三極管的導通壓降來限制副邊的電流到1.7mA。

　　解決措施：增大If；增大CTR；減小Ic。對應措施為：減小Ri 阻值；更換大CTR 光耦；增大Ro 阻值。

　　將上述參數稍加優化，假設增大Ri 到200歐姆，其他一切條件都不變，Vout能得到3.3V的方波嗎？

　　重新計算：If = （Vi – 1.6V）/Ri = 17mA；副邊電流限制Ic’ ≤ CTR*If = 8.5mA，遠大于副邊飽和導通需要的電流（2.9mA），所以實際Ic = 2.9mA。

　　所以，更改Ri 后，Vout 輸出3.3V 的方波。

　　開關狀態的光耦，實際計算時，一般將電路能正常工作需要的最大Ic 與原邊能提供的最小If 之間Ic/If 的比值與光耦的CTR 參數做比較，如果Ic/If ≤CTR，說明光耦能可靠導通。一般會預留一點余量（建議小于CTR 的90%）。

　　工作在線性狀態令當別論。