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近年來，半導(dǎo)體工業(yè)在開發(fā)更快、更低功率和更小的器件方面取得了長足的進(jìn)步。在20世紀(jì)90年代，許多器件以最小的結(jié)構(gòu)特征尺寸在0.25微米的硅晶片上生產(chǎn)。從這個(gè)角度來看，一個(gè)典型的人的頭發(fā)直徑大約是75微米。然而，隨著特征尺寸越來越小，ESD靈敏度（設(shè)備承受的電壓電平）變得更慢。因此，ESD保護(hù)ANDESD處理程序在防止ESD損傷中變得更為重要。
所有半導(dǎo)體器件都有ESD電壓閾值以上，它們承受損壞。雖然電路設(shè)計(jì)提供了一些電路ESD保護(hù)（通常在2000 V到4000 V范圍內(nèi)的人體模型在200 V到300 V范圍內(nèi)為Maskin模型），這遠(yuǎn)低于在沒有ESD保護(hù)的工作區(qū)域中發(fā)現(xiàn)的靜態(tài)電壓水平。正確的ESD處理和封裝程序必須貫穿于無裝卸集成電路（ICS）的處理、存儲和存儲，以及在電路板上的應(yīng)用。
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