1993年日亞化學工業推出藍色LED之后，有一段時期公眾普遍認為藍色LED就是日亞化學開發出來的。對此，天野教授說，“藍色LED的產品化是眾多先行者為了合成出氮化鎵（GaN）類半導體晶體而開發的技術和堅持的結果”。

　　赤崎和天野的研究小組，就在GaN類藍色LED的開發中做出了重要貢獻。赤崎在2001年獲得了“應用物理學會成就獎”，獲獎理由中有這樣一段話：“在GaN類氮化物半導體材料和元器件的研發中，赤崎及其研究小組的研究是所有研究的出發點。通過開發低溫緩沖層技術，1986年成功地獲得了品質明顯提高的晶體，并在1989年實現了此前不可能的p型傳導和n型傳導性控制，同年還實現了pn結藍色發光二極管。”

　　藍色LED技術確立于1985年，對外公開發表在1986年。

　　圖：高亮度藍色LED的構造藍寶石襯底上有低溫GaN緩沖層

　　在介紹藍色LED發明時，提到的全是GaN類藍色LED，因為GaN類藍色LED被認為是現在實用化的藍色LED的原型。其實，要說發藍光的LED這個概念，碳化硅（SiC）類藍色LED早在GaN類藍色LED之前就誕生了。不過，SiC類藍色LED輸出的光較弱，對很多研究人員在藍色 LED之后瞄準的藍色半導體激光器的開發也沒有起作用，所以，現在如果沒有特別說明，藍色LED就是指GaN類藍色LED。

　　赤崎和天野的研究小組之所以能獲得這么高的評價，是因為他們一直堅持研究很多研究人員已經放棄的GaN材料，付出的努力最終成就了藍色LED。

　　赤崎選擇的是GaN這條艱難之路

　　要想讓藍色LED和藍色半導體激光器等藍色發光器件發光，至少需要帶隙在2.6eV（電子伏）以上的大型半導體材料。發光波長與帶隙能量之間的公式為

　　發光波長（nm）= 1.24/帶隙能量（eV）×100

　　藍色發光波長為455～485nm，按照公式倒推，需要的帶隙能量為2.55～2.72eV。因此，要想實現藍色發光器件，至少需要 2.6eV以上的帶隙能量。這種帶隙能量較大的半導體被稱為寬禁帶半導體，根據上面的公式可知，只有寬禁帶半導體才能發出高能量藍色區域的短波長的光。

　　在1960年代后半期至1980年代前半期，這種藍色發光器件的候補材料有SiC、硒化鋅（ZnSe）和GaN三種。但這三種材料受到的期待并不相同。根據晶體生長的難易程度，大多數研究人員都把目光投向了SiC和ZnSe這兩種材料。