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The LM5109B is a cost effective, high voltage gate driver designed
to drive both the high-side and the low-side N-Channel
MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration.
The floating high-side driver is capable of working with
rail voltages up to 90V. The outputs are independently controlled
with TTL compatible input thresholds. The robust level
shift technology operates at high speed while consuming low
power and providing clean level transitions from the control
input logic to the high-side gate driver. Under-voltage lockout
is provided on both the low-side and the high-side power rails.
The device is available in the SOIC-8 and the thermally enhanced
LLP-8 packages.
to drive both the high-side and the low-side N-Channel
MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration.
The floating high-side driver is capable of working with
rail voltages up to 90V. The outputs are independently controlled
with TTL compatible input thresholds. The robust level
shift technology operates at high speed while consuming low
power and providing clean level transitions from the control
input logic to the high-side gate driver. Under-voltage lockout
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工商網監(jiān)
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