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本教程簡要地討論不同帶隙參考電路的設計，重點討論造成嚴重麻煩的技術問題。針對各種問題給出了實際解決方案，并證明了解決這些問題的一種方法。
教程
帶隙參考多年來一直是流行的模擬電路。1971年，Robert Widlar推出了第一個帶隙參考—LM113。它采用傳統的結點隔離雙極型IC技術來制成穩定的低壓參考(1.220V)。這類參考成為了低壓電路—如在齊納二極管不穩定的5V數據采集系統—的流行的穩定電壓參考。帶隙參考還采用如ECL這樣的數值IC，以提供一個本地偏置，以便不受環境噪聲或瞬態電壓的負面影響。
帶隙電路的原理是眾所周知的，在此將從術語上做最簡要的介紹。該電路依賴于兩組工作在不同發射極電流密度的三極管。大電流的三極管的發射極電流密度通常比小電流的三極管的發射極電流密度要大10倍，數值為10的因子將造成兩組三極管的基極-發射極之間出現60mV的增量。這個增量電壓通常被放大大約10倍，并疊加到Vbe電壓上。這兩個電壓的總和達到1.25V，典型情況下，那就近似于硅片的帶隙。
教程
帶隙參考多年來一直是流行的模擬電路。1971年，Robert Widlar推出了第一個帶隙參考—LM113。它采用傳統的結點隔離雙極型IC技術來制成穩定的低壓參考(1.220V)。這類參考成為了低壓電路—如在齊納二極管不穩定的5V數據采集系統—的流行的穩定電壓參考。帶隙參考還采用如ECL這樣的數值IC，以提供一個本地偏置，以便不受環境噪聲或瞬態電壓的負面影響。
帶隙電路的原理是眾所周知的，在此將從術語上做最簡要的介紹。該電路依賴于兩組工作在不同發射極電流密度的三極管。大電流的三極管的發射極電流密度通常比小電流的三極管的發射極電流密度要大10倍，數值為10的因子將造成兩組三極管的基極-發射極之間出現60mV的增量。這個增量電壓通常被放大大約10倍，并疊加到Vbe電壓上。這兩個電壓的總和達到1.25V，典型情況下，那就近似于硅片的帶隙。
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