如今，電信及網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用中廣泛采用分布式電源架構(gòu)，使電源供應(yīng)盡可能地貼近負載，從而為系統(tǒng)中的不同負載供電，并提供更高的可靠性、靈活性及散熱性能。安森美半導體為這些應(yīng)用提供寬廣范圍的分布式電源方案，其中既包括隔離型方案，也包括非隔離方案。
　　本文重點介紹安森美半導體新推出的集成200 V功率晶體管和高壓啟動電路的隔離型反激/升壓穩(wěn)壓器NCP1032。NCP1032是小型化PWM開關(guān)穩(wěn)壓器，用于反激、正激或升壓類電壓轉(zhuǎn)換電路。它集成了200 V功率MOSEFT管以及高壓啟動電路；外部可調(diào)開關(guān)頻率最高可到1 MHz，開關(guān)頻率可外同步。其它關(guān)鍵特性包括+/-1%的參考電壓精度、逐波限流點外部可調(diào)、可調(diào)的輸入欠壓和過壓保護、故障狀態(tài)下頻率回縮、集成電流采樣前沿消隱電路和過熱保護等。NCP1032非常適合于24 V/48 V電信電源應(yīng)用，也可用于醫(yī)療系統(tǒng)隔離電源、以太網(wǎng)供電（PoE）、隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器次級端偏置電源、獨立式低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器、低功率偏置電源、低功率升壓轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。
　　NCP1032主要功能
　　1）高壓啟動電路和動態(tài)自供電
　　NCP1032內(nèi)部集成200 V電流源，當VDRAIN電壓上升超過16.3 V時，電流源開始輸出12.5 mA的電流，對Vcc上的電容充電，Vcc電容充到10.5 V時電流源關(guān)斷；當Vcc電壓降到7.55 V時內(nèi)部電流源再開通對Vcc電容再次充電。Vcc電容上的電壓可以維持芯片正常工作；高壓啟動和動態(tài)自供電電路省去了外部輔助電源電路，節(jié)省了成本和面積。
　　在大多數(shù)情況下，用戶都希望降低芯片自供電產(chǎn)生的功耗，這可以通過從變壓器的輔助繞組上取電來解決。Vcc上升到10.5 V時，芯片可以正常啟動，只要輔助繞組上產(chǎn)生的電壓可以維持Vcc在7.55 V以上，就可以避免內(nèi)部高壓電流源接通，從而降低功耗，這時芯片正常運行；在輸出短路或過載狀態(tài)下，Vcc有可能下降到6.95 V以下，這時功率管關(guān)斷，芯片會進入復(fù)位啟動模式，高壓電流源會開通對Vcc電容充電，Vcc上升到10.2 V時輸出會重新啟動。而在輸出過載時，Vcc在6.95 V以上時不會進入復(fù)位啟動模式。圖1是高壓啟動電路。
　　啟動結(jié)束時，NCP1032會有1 V的過沖，如果想減小軟啟動結(jié)束時的過沖電壓，就要使COMP腳電壓從4.2V到穩(wěn)態(tài)值之間的轉(zhuǎn)換時間盡可能縮短，也就是說要加快補償響應(yīng)速度。
　　在較高頻率時，輸入功率會跟隨輸入電壓線性上升，這主要是因為NCP1032的限流前沿消隱電路（LEB）及傳播延遲會使芯片至少有100ns導通時間，在工作頻率比較高的情況下，100ns的占空比時間有點大，會出現(xiàn)位移，輸入傳遞的功率也會比較大，造成高頻時的短路保護的功率有所增加。
　　NCP1032的限流設(shè)定包括前沿消隱電路，功率管的峰值電流用外部電阻進行設(shè)定，圖3左邊是外部電阻設(shè)定電流值曲線。
　　2）軟啟動
　　NCP1032內(nèi)部集成的軟啟動電路可降低啟動過程中功率管上的電壓應(yīng)力和變壓器上的峰值電流。當Vcc上升到10.5 V，欠壓保護釋放后，芯片進入軟啟動過程。在軟啟動過程中，COMP電壓被箝位在4.2 V，功率管的峰值電流從57 mA開始逐個周期增加，直到電流上升到限流設(shè)定點后或COMP腳電壓下降到3.5 V時，輸出電壓進入修正階段。
　　在軟啟動過程中，如果功率管電流上升到限流點之前輸出電壓上升到穩(wěn)定值，COMP腳電壓會下降3.5 V以下，則功率管電流不會上升到設(shè)定值。如果功率管電流上升到限流點后，輸出電壓還沒有上升到設(shè)定值，則功率管電流會限定在限流設(shè)定值，不會再增加。軟啟動時間和輸入電壓、負載大小和輸出電容容量相關(guān)。
　　3）過壓（OV）和欠壓（UV）保護
　　NCP1032有過壓/欠壓管腳，用于輸入電壓的過壓/欠壓保護，管腳6電壓低于1 V或高于2.4 V時，NCP1032功率管會關(guān)斷，芯片通過內(nèi)部高壓電流源進行動態(tài)自供電，直到過壓/欠壓釋放為止。欠壓保護和過壓保護分別有70mV和158mV的遲滯。NPC1032兩個版本中，NCP1032B只有欠壓，沒有過壓保護功能。圖5是過壓保護、欠壓保護的設(shè)定方法及工作方式。
　　4）最大占空比和頻率外同步
　　NCP1032內(nèi)部振蕩器設(shè)計可以支持最高1 MHz的工作頻率，工作頻率設(shè)定與外部電容CT設(shè)定同步，芯片內(nèi)部產(chǎn)生電容充電的放電電流源，充電電流為172μA，放電電流為512μA，充放電時間比例為1：3，充電電壓峰值為3.5V，放電電壓谷值為3V。
　　在放電過程中，功率管是關(guān)斷的，因此該器件支持的最大占空比被限制在75%以下。NCP1032支持頻率的外同步，CT設(shè)定的工作頻率要比同步頻率低25%，見圖6。
　　5）輸入電壓前饋
　　輸入電壓前饋使轉(zhuǎn)換器可以快速響應(yīng)輸入電壓的變化，NCP1032通過CT腳也可以支持輸入電壓前饋功能，如圖7。前饋電阻的存在會改變最大占空比和工作頻率。如果想將最大占空比設(shè)定在固定值，RFF可以接固定電壓。
　　6）最小占空比可跳周期
　　NCP1032內(nèi)部的PWM比較器和鎖存器延時時間在200 ns以內(nèi)，如果占空比小于200 ns，芯片會進入跳周期模式來保證輸出電壓穩(wěn)定，但輸出電壓紋波可能會有增加。
　　NCP1032的典型應(yīng)用
　　顯示的是基于NCP1032的48 V到隔離式12 V/3 W偏置電源電路。此電路通過輔助繞組供電，同時在輔助繞組上進行電壓采樣補償。NCP1032配置在反激式拓撲結(jié)構(gòu)中，并以不連續(xù)導電模式（DCM）工作，提供了一個低成本、高效率的解決方案。變壓器T1可采用CoilCraft B0226EL，增加繞組可以支持多路隔離電壓輸出；CCT將開關(guān)頻率設(shè)置為約300 kHz。具體的設(shè)計過程可以參考安森美半導體的應(yīng)用指導AND8119。由R3和R4組成的電阻分壓器設(shè)置欠壓鎖定閾值約為32 V。如圖9所示，在12 V應(yīng)用中，在300 kHz不同輸入電壓條件下，NCP1032的輸出的效率是不同的。
　　在布局建議方面，為了防止EMI問題，高頻開關(guān)的大電流銅線應(yīng)進行優(yōu)化。因此，功率電流路徑和電源地線，尤其是變壓器的走線連接（以次側(cè)和二次側(cè)）要使用短而寬的引線。圖10是優(yōu)化的PCB布局實例。