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MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，
決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但是前提耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。
2. IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開(kāi)關(guān)速度可以到100KHZ，那已經(jīng)是不錯(cuò)了。不過(guò)相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛，MOSFET可以工作到幾百KHZ，上MHZ，以至幾十MHZ，射頻領(lǐng)域的產(chǎn)品。
?
MOSFE和IGBT是沒(méi)有本質(zhì)區(qū)別的，人們常問(wèn)的“是MOSFET好還是IGBT好”這個(gè)問(wèn)題本身就是錯(cuò)誤的。至于我們?yōu)楹斡袝r(shí)用MOSFET，有時(shí)又不用MOSFET而采用IGBT，不能簡(jiǎn)單的用好和壞來(lái)區(qū)分，來(lái)判定，需要用辯證的方法來(lái)考慮這個(gè)問(wèn)題。
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