??低成本和高可靠性是離線電源設(shè)計中兩個最重要的目標。準諧振 （Quasi resonant） 設(shè)計為設(shè)計人員提供了可行的方法，以實現(xiàn)這兩個目標。準諧振技術(shù)降低了MOSFET的開關(guān)損耗，從而提高可靠性。此外，更軟的開關(guān)改善了電源的特性，允許設(shè)計人員減少使用濾波器的數(shù)目，因而降低成本。本文將描述準諧振架構(gòu)背后的理論及其實施，并說明這類反激式電源的使用價值。 ? ??基本知識 ? ??現(xiàn)有的L-C 儲能電路正戰(zhàn)略性地用于PWM電源中。結(jié)果是L-C 儲能電路的諧振效應(yīng)能夠“軟化”開關(guān)器件的轉(zhuǎn)換。這種更軟的轉(zhuǎn)換將降低開關(guān)損耗及與硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器相關(guān)的EMI。由于諧振電路僅在相當于其它傳統(tǒng)方波轉(zhuǎn)換器的開關(guān)轉(zhuǎn)換瞬間才起作用，故而有 “準諧振”之名。 ??要理解這種設(shè)計的拓撲結(jié)構(gòu)，必須了解MOSFET和變壓器的寄生特性。MOSFET包含若干個寄生電容，主要從器件的物理結(jié)構(gòu)產(chǎn)生。它們可以數(shù)學(xué)方式簡化為MOSFET輸入電容CISS和MOSFET輸出電容COSS，這里 ??CISS = CGS + CDG ??COSS = CDS + CDG ??在硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中，輸出電容COSS是開關(guān)損耗的主要來源。 ? ?? ??圖1 MOSFET輸入和輸出電容 ? ?? ??圖2 變壓器的寄生電容 ? ??變壓器也包含了寄生電容（圖2）。這些電容包括繞組間電容和層間電容，它們可以一起轉(zhuǎn)型為單一的電容CW，也是硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗的主要來源。 ? ??硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中的寄生電容 ? ??圖3示出傳統(tǒng)硬開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器。在這種傳統(tǒng)的間斷模式反激式轉(zhuǎn)換器 （DCM） 的停滯時間期間，寄生電容將與VDC周圍的主要電感發(fā)生振蕩。寄生電容上的電壓會隨振蕩而變化，但始終具有相當大的數(shù)值。當下一個時鐘周期的MOSFET 導(dǎo)通時間開始時，寄生電容 （COSS和CW） 會通過MOSFET放電，產(chǎn)生很大的電流尖峰。由于這個電流出現(xiàn)時MOSFET存在一個很大的電壓，該電流尖峰因此會做成開關(guān)損耗。此外，電流尖峰含有大量的諧波含量，從而產(chǎn)生EMI。 ? ??準諧振反激式設(shè)計的實現(xiàn) ? ??如果不用固定的時鐘來初始化導(dǎo)通時間，而利用檢測電路來有效地“感測”MOSFET （VDS） 漏源電壓的第一個最小值或谷值，并僅在這時啟動MOSFET導(dǎo)通時間，情況又會如何？結(jié)果會是由于寄生電容被充電到最小電壓，導(dǎo)通的電流尖峰將會最小化。這情況常被稱為谷值開關(guān) （Valley Switching） 或準諧振開關(guān)。在某些條件下，設(shè)計人員甚至可能獲得零電壓開關(guān) （ZVS），即當MOSFET被激活時沒有漏源電壓。在這情況下，由于寄生電容沒有充電，因此電流尖峰不會出現(xiàn)。這種電源本身是由線路/荷載條件決定的可變頻率系統(tǒng)。換言之，調(diào)節(jié)是通過改變電源的工作頻率來進行，不管當時負載或線路電壓是多少，MOSFET始終保持在谷底的時候?qū)ā＿@類型的工作介于連續(xù) （CCM） 和間斷條件模式 （DCM） 之間。因此，以這種模式工作的轉(zhuǎn)換器被稱作在邊界條件模式 （BCM） 下工作。 ? ?? ??圖3 硬開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器 ? ?? ??圖4 MOSFET漏-源電壓 ? ??準諧振或谷值開關(guān)的優(yōu)勢 ??在反激式電源設(shè)計中采用準諧振或谷值開關(guān)方案有著若干優(yōu)勢。 ??降低導(dǎo)通損耗 ??這種設(shè)計為設(shè)計人員提供了較低的導(dǎo)通損耗。由于FET轉(zhuǎn)換具有最小的漏源電壓，在某些情況下甚至為零，故可以減小甚至消除導(dǎo)通電流尖峰。這減輕了MOSFET的壓力以及電源的。 ??降低關(guān)斷損耗 ??準諧振也意味著更小的關(guān)斷損耗。由于規(guī)定FET會在谷值處進行轉(zhuǎn)換，在某些情況下，可能會增加額外的漏源電容，以減低漏源電壓的上升速度。較慢的漏源電壓上升時間會減少FET關(guān)斷時漏級電流和漏源電壓之間的電壓/電流交迭，使到MOSFET的功耗更少，從而降低其溫度及增強其可靠性。 ??減少EMI ??導(dǎo)通電流尖峰的減小或消除以及較慢的漏源電壓上升速度都會減少EMI。一般而言，這就允許減少EMI濾波器的使用數(shù)量，從而降低電源成本。