透/反射率的計算在電磁波研究中非常常見，計算結果的準確性與材料參數定義，邊界條件的選擇，網格剖分有十分緊密的關系。以下是個人關于電磁波透/反射率計算問題的經驗整理，如有錯漏歡迎指正和補充。需要計算透/反射率的器件通常可分為幾種類型：

　　1. 波導器件

　　如各類波導分路器，光纖Bragg光柵，其入射端及出射端都滿足波導模式。當入射及出射端波導滿足端口（Port）內置結構（同軸/矩形），可直接選擇內置的波導類型，如RF案例庫中的H彎波導（h_bend_waveguide）及環形器（lossy_circulator）案例。當波導結構與內置類型不同時，需要首先通過模場分析計算出波導模式，通過Port邊界的Numeric 類型耦合到頻域分析中，作為入射條件。如V3.5a及V4中的波導適配器（Wave_adapter）案例，以及在V4.2a中更新的 dielectric_slab_waveguide案例，見附件1。需要說明的是，波導常常支持多個模式，為了保證作為頻域分析邊界條件的模場分布是正確的，可以先進行邊界模式分析，設定查找多個模式，根據模場分布從結果中找到作為入射條件的模式對應的模指數，然后在進行整個模型分析時，把此模指數作為參考值（Search for modes around：），查找模式數（Desired number of modes：）設定為1。以此保證入射條件正確。對于以上兩種情況，Port邊界內置的S參數可計算出透/反射率，其中S11對應端口1的振幅反射率，S21對應從端口1至端口2 的振幅透射率，以此類推。

　　2. 周期性散射體

　　如金屬納米天線陣列，光柵，光子晶體，在一或兩個維度上具有周期性。在RF模塊中，完美電/磁導體（PEC/PMC）是完全反射邊界，散射邊界（SBC）、端口（Port）邊界僅對某些角度或分布的光波透明，其他角度的光波均會有一定程度的反射，而PML如果設置恰當可以保證各角度入射波均被吸收。可以想像，如果散射場在邊界上有反射，最終計算出的透射場及反射場會受到影響。邊界的選擇十分重要。此類結構，可用周期性邊界條件，或是根據電/磁場的對稱性用PMC/PEC邊界進行簡化，僅對重復單元進行模擬。目前的解決方案主要有兩種：
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