資料介紹
隨著射頻集成電路(RFIC)中集成的元件不斷增多,噪聲耦合源也日益增多,使電源管理變得越來越重要。本文將描述電源噪聲可能對RFIC 性能造成的影響。雖然本文的例子是集成鎖相環(huán)(PLL)和電壓控制振蕩器(VCO)的ADRF6820 正交解調(diào)器,但所得結(jié)果也適用于其他高性能RFIC。電源噪聲會在解調(diào)器中形成混頻積,因而可能導(dǎo)致線性度下降,并對PLL/VCO 中的相位噪聲性能造成不利影響。本文將詳細(xì)描述電源評估方案,同時(shí)提供采用低壓差調(diào)節(jié)器(LDO)和開關(guān)調(diào)節(jié)器的推薦電源設(shè)計(jì)。憑借雙電源和超高RF 集成度,ADRF6820 是適合討論的一款理想器件。它使用的有源混頻內(nèi)核與ADL5380 正交解調(diào)器相似,PLL/VCO 內(nèi)核與ADRF6720 相同,因此,本文所提供信息也可用于這些器件。另外,電源設(shè)計(jì)也可用于要求3.3 V 或5.0 V電源、功耗相似的新型設(shè)計(jì)。 ADRF6820 正交解調(diào)器和頻率合成器(如圖1 所示)非常適合新一代通信系統(tǒng)。該器件功能豐富,包括一個(gè)高線性度寬帶I/Q 解調(diào)器、一個(gè)集成小數(shù)N 分頻PLL 和一個(gè)低相位噪聲多核VCO。另外集成一個(gè)2:1 RF 開關(guān)、一個(gè)可調(diào)諧RF 巴倫、一個(gè)可編程RF衰減器和兩個(gè)LDO。這款高度集成的RFIC 采用6 mm ×6 mmLFCSP 封裝。
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