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發(fā)視頻MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路之高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)
2023-02-23 |
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資料介紹
高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來分類。相應(yīng)地，無論是使用P溝道還是 N溝道器件，是實(shí)施直接驅(qū)動(dòng)、電平位移驅(qū)動(dòng)還是自舉技術(shù)，它們都有差異。無論采用哪種方式，高側(cè)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)需要更多關(guān)注，以下核對表涵蓋了設(shè)計(jì)的各個(gè)方面，可能有所幫助: 效率偏置和電源要求速度限制
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