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SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。表 1-1 列出了各種半導(dǎo)體材料的電氣特征，SiC 的優(yōu)點(diǎn)不 僅在于其絕緣擊穿場強(qiáng)（Breakdown Field）是 Si 的 10 倍，帶隙（Energy Gap）是 Si 的 3 倍，而且在器件制造時(shí)可以在較寬的范 圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結(jié)晶多系）， 它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
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