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德州儀器 (TI) 為汽車級 LMG352x 系列 650V 氮化鎵 (GaN) 功率級開發了一種新型頂部冷卻四方扁平無引線 (tsQFN) 封裝。它具有與其底部冷卻 QFN 對應器件 (LMG342x) 相同的 12mm x 12mm x 0.9mm 緊湊尺寸。這種新 型 ts-QFN 表面貼裝封裝在其安裝引腳的另一側有一個裸露的銅質散熱焊盤。通過將散熱片或冷板直接附貼在封裝 頂部，實現了熱性能的增強，同時不會出現印刷電路板引起的熱障礙。在實現直接驅動和功能集成的同時，TI 的 新型 ts-QFN 12x12 封裝與競爭對手為分立式 GaN 器件開發的頂部冷卻封裝相比，表現出了更低的器件結到系統 冷卻平面的熱阻。利用頂部冷卻配置，可以為車載充電器和直流/直流轉換器等汽車應用改善系統熱性能和設計靈 活性。
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