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介紹了一種簡單的高性能基準源電路，該電路利用了工作在飽和區和亞閾值區的MOS
晶體管遷移率和閾值電壓溫度特性進行補償，此外還利用二極管反相偏置電流的溫度特性來改進電路的高溫段的特性。使用HSPICE 進行模擬，結果表明在電源電壓為0.9V，溫度在?20℃至120℃之間變化時，輸出的基準電壓為525mV，溫度系數為11ppm/℃，功耗只有736nW。
該電路電源電壓可低至0.7V。電源噪聲頻率為1kHz 時的電源抑制比為 ?48dB。
關鍵詞：補償；低功耗；低壓；高精度；電壓源高精度的基準電壓源由于受溫度、電源電壓、工藝過程等因素的影響較小，被廣泛的應用于各種模擬和混合信號電路系統中。傳統的帶隙基準電壓源利用寄生雙極晶體管效應[1，2]，輸出電壓接近硅的帶隙（1.25V），因此電源電壓至少需要1.4V[3]。另外，傳統帶隙基準源中都采用運算放大器結構，這種結構不僅限制了電源電壓的降低，而且運算放大器失調也會降低電路的特性。目前，集成電路的設計正朝著低功耗的深亞微米（DSM）方向發展，傳統的帶隙基準電壓源即使采用最新的工藝參數也很難達到上述的參數水平。
因此，在本文中我們提出了一種無運放、無雙極晶體管，且結構簡單的CMOS 電壓基準
源。利用工作在飽和區和亞閾值區的MOS 晶體管遷移率和閾值電壓溫度特性；二極管反相偏置電流的溫度特性來改進電路的高溫段的特性；以及當二極管連接MOS 晶體管（工作在飽和區）的偏置電流與溫度成正比時，該晶體管的柵源電壓與溫度無關的特性，得到了電源電壓可以低至1V 以下、功耗只有幾百納瓦的基準電壓源。
晶體管遷移率和閾值電壓溫度特性進行補償，此外還利用二極管反相偏置電流的溫度特性來改進電路的高溫段的特性。使用HSPICE 進行模擬，結果表明在電源電壓為0.9V，溫度在?20℃至120℃之間變化時，輸出的基準電壓為525mV，溫度系數為11ppm/℃，功耗只有736nW。
該電路電源電壓可低至0.7V。電源噪聲頻率為1kHz 時的電源抑制比為 ?48dB。
關鍵詞：補償；低功耗；低壓；高精度；電壓源高精度的基準電壓源由于受溫度、電源電壓、工藝過程等因素的影響較小，被廣泛的應用于各種模擬和混合信號電路系統中。傳統的帶隙基準電壓源利用寄生雙極晶體管效應[1，2]，輸出電壓接近硅的帶隙（1.25V），因此電源電壓至少需要1.4V[3]。另外，傳統帶隙基準源中都采用運算放大器結構，這種結構不僅限制了電源電壓的降低，而且運算放大器失調也會降低電路的特性。目前，集成電路的設計正朝著低功耗的深亞微米（DSM）方向發展，傳統的帶隙基準電壓源即使采用最新的工藝參數也很難達到上述的參數水平。
因此，在本文中我們提出了一種無運放、無雙極晶體管，且結構簡單的CMOS 電壓基準
源。利用工作在飽和區和亞閾值區的MOS 晶體管遷移率和閾值電壓溫度特性；二極管反相偏置電流的溫度特性來改進電路的高溫段的特性；以及當二極管連接MOS 晶體管（工作在飽和區）的偏置電流與溫度成正比時，該晶體管的柵源電壓與溫度無關的特性，得到了電源電壓可以低至1V 以下、功耗只有幾百納瓦的基準電壓源。
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