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標簽 > 光刻技術
隨著半導體技術的發展,光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數量級(從毫米級到亞微米級),已從常規光學技術發展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術;使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。
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光學光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規模集成電路器件的結構圖形畫在涂有光刻膠的硅片上,通過光的照射,光刻膠的成分發生化學反應,從而生成電路圖。限...
目前,我國硅拋光片行業需求量約6億平方英寸,國內產量5.19億平方英寸,部分產品還需要從國外進口滿足國內市場需求,近幾年我國集成電路行業平穩發展,給硅拋...
除了阻抗,還有其他問題,即EUV光掩模基礎設施。光掩模是給定IC設計的主模板。面膜開發之后,它被運到制造廠。將掩模放置在光刻工具中。該工具通過掩模投射光...
芯片制造四大基本工藝包括:芯片設計、FPGA驗證、晶圓光刻顯影、蝕刻、芯片封裝等,晶片制作過程最為復雜,需經過濕洗、光刻、 離子注入、干蝕刻、等離子沖洗...
集成電路的飛速發展有賴于相關的制造工藝光刻技術的發展,光刻技術是迄今所能達到的最高精度的加工技術。 集成電路產業是現代信息社會的基石。集成電路的發明使電...
對于采用不同設備制造相同制程IC的制造廠來說,其技術水平差異就會很突出,例如,有的廠商用EUV設備(光刻波長為13.5nm)才能做7nm芯片,而有的廠商...
GTC 2023:NVIDIA cuLitho將加速計算引入計算光刻技術領域的突破性成果
GTC 大會:NVIDIA cuLitho將加速計算引入計算光刻技術領域的突破性成果 在摩爾定律接近物理極限之際,半導體行業要怎么做?借助AI? 現在半...
去年中芯國際被美國列入了實體清單,購買美國廠商的半導體設備及技術受到限制。今天業界消息稱中芯國際已經獲得了美國的許可,14nm及28nm等工藝可以恢復供應。
芯片行業從20世紀90年代開始就考慮使用13.5nm的EUV光刻(紫外線波長范圍是10~400nm)用以取代現在的193nm。EUV本身也有局限,比如容...
光刻技術的進步使得器件的特征尺寸不斷減小,芯片的集成度和性能不斷提高。在摩爾定律的引領下,光學光刻技術經歷了接觸/接近、等倍投影、縮小步進投影、步進掃描...
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