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標簽 > 基本半導體
深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體行業領軍企業,專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設有研發中心。
革新電源體驗!基本半導體Pcore?2 E2B工業級碳化硅半橋模塊強勢來襲
隨著可再生能源、電動汽車等領域的快速發展,傳統硅基半導體的性能瓶頸逐漸顯現。如何在高壓、大功率應用中實現更高效率、更低損
近日,基本半導體憑借出色的產品質量和優質的客戶服務,再次獲得客戶的高度認可,榮獲由麥田能源頒發的2024年度“最佳供應商
基本半導體自主研發的BTP1521x是一款正激DCDC開關電源芯片,集成上電軟啟動功能及過溫保護功能,輸出功率可達6W。
近日,由國家能源局主辦、深圳市發展改革委承辦的2024年推進高質量充電基礎設施體系建設座談會在深圳隆重召開。其中,基本半
隨著可再生能源、電動汽車等領域現代電力應用的發展,硅的局限性變得越來越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料具有適合高壓
為適應公司戰略發展需要,經深圳市市場監督管理局核準,深圳基本半導體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商
2024-11-18 標簽: 基本半導體 187 0
近日,基本半導體憑借卓越的產品性能和出色的服務能力,成功榮獲深圳市禾望電氣股份有限公司(股票代碼:603063)頒發的2
近日,基本半導體自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規級可靠
隨著新能源汽車產業的蓬勃發展,功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術帶來了更嚴峻的挑戰。碳化硅憑借
7月4-5日,由中國汽車工程學會主辦的第十六屆汽車動力系統技術年會(TMC 2024)在青島盛大舉行。基本半導體攜旗下全
深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體行業領軍企業,專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設有研發中心。公司擁有一支國際化的研發團隊,核心成員包括來自清華大學、劍橋大學、瑞典皇家理工學院、中國科學院等國內外知名高校及研究機構的十多位博士。
基本半導體掌握國際領先的碳化硅核心技術,研發覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等全產業鏈,先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車規級全碳化硅功率模塊等系列產品,性能達到國際先進水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產品已通過AEC-Q101可靠性測試,其他同平臺產品也將逐步完成該項測試。基本半導體碳化硅功率器件產品被廣泛應用于新能源、電動汽車、智能電網、軌道交通、工業控制等領域。
基本半導體與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發中心,是深圳第三代半導體研究院發起單位之一,廣東省未來通信高端器件創新中心股東單位之一,獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心,公司及產品榮獲2020“科創中國”新銳企業、“中國芯”優秀技術創新產品獎、中國創新創業大賽專業賽一等獎等榮譽。
交流充電樁:本質是一個帶控制的插座,主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結構,結構較為簡單,需要車載充電機自己進行變壓...
深圳本土第三代半導體科創企業——深圳基本半導體有限公司旗下車規級全碳化硅功率模塊(BMB200120P1)榮獲優秀技術創新產品獎。
淺談新能源汽車電機控制器的MOSFET B2M065120H應用
基本半導體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發和生產,目前已掌握碳化硅芯片設計、晶圓制造、模塊封裝、驅動應用等核心技術,申請兩百余項發明專利,產品性能...
國芯思辰|基本半導體650V 20A碳化硅肖特基二極管B1D20065K替代IDH20G65C5應用于PFC電路
PFC電路廣泛應用于高頻開關電源(特別是通信電源)中。現階段,PFC電路多采用硅基材料,由于硅基材料的限制,電源的損耗較大,效率偏低。在電源的PFC電路...
國芯思辰|基本半導體?1200V碳化硅肖特基二極管B1D30120HC(替代科銳C4D30120D)助力車載充電機二次側整流
車載充電機可實現交流輸入(85VAC~265VAC)/直流輸出(200VDC-750VDC)輸出的功能,其電路的核心架構通常由整流、PFC升壓、LLC逆...
基本半導體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉換器的優勢
混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應用中可以替代傳統的IGBT(硅基IGBT與硅基快恢復二...
電子發燒友網報道(文/李誠)功率器件從硅基向碳化硅的轉型,成為了半導體集成電路領域快速發展的一個縮影,對整個電力電子行業的發展具有重大的影響。 ? 碳化...
2021-11-12 標簽:SiC二極管SiC MOSFET基本半導體 4071 0
1月4日,深圳基本半導體有限公司(以下簡稱“基本半導體”)通過官方微信宣布,其在2020年12月31日,已完成數億元人民幣的B輪融資。該輪融資由聞泰科技...
青銅劍科技、基本半導體聯合發布了面向新能源汽車電機控制器的全碳化硅器件解決方案。
深圳基本半導體與廣州廣電計量檢測股份有限公司(簡稱廣電計量)在廣州舉行戰略合作簽約儀式,雙方宣布將圍繞第三代半導體功率器件開展上下游全產業鏈的深度合作,...
基本半導體推出汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6
汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6是基本半導體基于廣大汽車廠商對核心牽引驅動器功率器件的高性能、高效率等需求設計并推出的產品。
BASiC SiC Inside! 基本半導體發展駛入“快車道”
一輛搭載了基本半導體碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二極管的新能源汽車,至今已累計無故障行駛120天、運行里程超過1萬公里!
型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
---|---|---|---|
B1D08065E | 直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):21A;正向壓降(Vf):1.45V@8A; |
獲取價格
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B1D04065F |
獲取價格
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B1D20120H | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):1.2kV;平均整流電流(Io):70A;正向壓降(Vf):1.46V@20A;反向電流(Ir):6.75uA@1.2kV; |
獲取價格
|
|
B1D10065KF | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):24A;正向壓降(Vf):1.48V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V; |
獲取價格
|
|
B1D10065E | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):29A;正向壓降(Vf):1.44V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V; |
獲取價格
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