逆壓電效應(yīng)的概念及其特點(diǎn)

逆壓電效應(yīng)，又稱為壓電逆效應(yīng)或電致伸縮效應(yīng)，是指某些材料在受到電場(chǎng)作用時(shí)，會(huì)發(fā)生形變或位移的現(xiàn)象。這種效應(yīng)在壓電材料中尤為顯著，具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。 一...

2024-07-26 標(biāo)簽：電場(chǎng)壓電材料逆壓電效應(yīng) 3637 0

外延片和拋光片區(qū)別在哪

外延片和拋光片是兩種不同的半導(dǎo)體材料加工工藝，它們?cè)谥圃爝^(guò)程中有著不同的應(yīng)用和特點(diǎn)。本文將介紹外延片和拋光片的區(qū)別。 一、外延片的定義和制備方法 外延片...

2024-07-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料金屬外延片 1828 0

電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)分析

1、純凈的半導(dǎo)體是四價(jià)元素，呈晶體結(jié)構(gòu)，內(nèi)部原子按一定規(guī)律整齊排列。 2、半導(dǎo)體有電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電兩種形式。 3、硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化...

2023-09-22 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體電子技術(shù) 802 0

碳化硅的耐高溫性能

在現(xiàn)代工業(yè)中，高性能材料的需求日益增長(zhǎng)，特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進(jìn)的陶瓷材料，因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅的基本特性 ...

2025-01-24 標(biāo)簽：碳化硅熱導(dǎo)率晶體結(jié)構(gòu) 173 0

碳化硅的生產(chǎn)工藝解析

1. 碳化硅的合成方法 碳化硅的合成方法主要有以下幾種： 直接合成法 ：通過(guò)在高溫下將硅和碳直接反應(yīng)生成碳化硅。 化學(xué)氣相沉積（CVD） ：利用氣體反應(yīng)...

2025-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件碳化硅晶體結(jié)構(gòu) 319 0

研究人員正試圖制造出使用DRX材料來(lái)提高電池的循環(huán)壽命

隨著汽車、卡車和公共汽車（甚至飛機(jī)和火車）越來(lái)越多地從燃燒化石燃料轉(zhuǎn)向使用電池，對(duì)關(guān)鍵電池金屬的需求開(kāi)始飆升。根據(jù)市場(chǎng)情報(bào)公司S&P Global最近的...

2023-10-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車電池電池晶體結(jié)構(gòu) 1117 0

氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 2024 0

準(zhǔn)一維BaTiS3單晶近紅外偏振光探測(cè)器

該研究采用改進(jìn)的化學(xué)蒸汽輸運(yùn)工藝成功制備了高質(zhì)量、厘米級(jí)的針狀BaTiS3單晶。BaTiS3單晶具有0.8eV的窄帶隙，n型本征電導(dǎo)率，以及沿c軸超過(guò)3...

2023-01-09 標(biāo)簽：探測(cè)器電導(dǎo)率晶體結(jié)構(gòu) 1154 0

中科院化學(xué)所發(fā)展出結(jié)構(gòu)色3D打印新策略

近日，中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所綠色印刷院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員宋延林、副研究員吳磊等，利用氫鍵輔助的膠體顆粒墨水，基于連續(xù)數(shù)字光處理（DLP）3D打印技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了...

2022-12-12 標(biāo)簽：光學(xué)器件3D打印晶體結(jié)構(gòu) 615 0