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標(biāo)簽 > 晶粒
晶粒是組成多晶體的外形不規(guī)則的小晶體，在物質(zhì)結(jié)晶過程中，通過晶核（結(jié)晶中心）生成和晶體成長(zhǎng)而發(fā)展起來的小晶體。
晶粒是組成多晶體的外形不規(guī)則的小晶體，在物質(zhì)結(jié)晶過程中，通過晶核（結(jié)晶中心）生成和晶體成長(zhǎng)而發(fā)展起來的小晶體。
每個(gè)晶粒的組成也有若干個(gè)位向稍有差異的亞晶粒。晶粒直徑通常在0.015~0.25mm，而亞晶粒的直徑通常為0.001mm。
晶體尺寸通常可以X光衍射圖案衡量，一般會(huì)用到穿透式電子顯微鏡等才能較精確量測(cè)。
晶體知識(shí)—晶粒長(zhǎng)大與再結(jié)晶退火淺析
再結(jié)晶后，再繼續(xù)保溫或升溫，會(huì)使晶粒進(jìn)一步長(zhǎng)大。
2024-01-13 標(biāo)簽：晶粒 3227 0
錫須現(xiàn)象：晶粒邊界的移動(dòng)特點(diǎn)
如果晶粒的邊界不移動(dòng)，就不能生長(zhǎng)成晶粒，但是，晶粒邊界的運(yùn)動(dòng)很難預(yù)測(cè)。因此，晶粒邊界（g.b.）是關(guān)鍵問題，但是就小編的了解，很難根據(jù)晶體材料的表現(xiàn)判斷...
當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。
表面結(jié)構(gòu)單元對(duì)納米材料表面性質(zhì)和形貌的影響
作者根據(jù)Wulff理論并與表面能數(shù)據(jù)制了每個(gè)NCM的晶粒形貌（圖4）。在該理論中，較小的表面能值往往對(duì)應(yīng)較大的晶粒暴露表面積。在所有Wulff形貌中，只...
2022-08-30 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)納米材料晶粒 2628 0
混晶，顧名思義，就是晶粒度大小不一的混雜在一起。晶粒度是表征金屬材料韌性好壞一個(gè)指標(biāo)，晶粒度級(jí)別越高，材料韌性越高，反之韌性越差。如果在高級(jí)別晶粒的區(qū)域...
傳統(tǒng)機(jī)器視覺在執(zhí)行精確對(duì)位、測(cè)量及其他涉及一致性特征的任務(wù)方面具有無與倫比的性能，但無法針對(duì)晶粒本身以及邦定、封裝等過程中可能出現(xiàn)的大量不可預(yù)測(cè)的缺陷進(jìn)...
基于相關(guān)基礎(chǔ)研究，經(jīng)過持續(xù)創(chuàng)新和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，研究團(tuán)隊(duì)在摻雜型TCB-Al晶種合金及其熔體處理新技術(shù)方面取得了重要突破。
為便于了解晶體中原子排列的規(guī)律性，通常將實(shí)體晶體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化為完整無缺的理想晶體。若將其中每個(gè)院子抽象為純幾何點(diǎn)，即可得到一個(gè)由無數(shù)幾何點(diǎn)組成的規(guī)整的陣列，...
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓、晶粒與芯片是三個(gè)至關(guān)重要的概念，它們各自扮演著不同的角色，卻又緊密相連，共同構(gòu)成了現(xiàn)代電子設(shè)備的基石。本文將深入探討這三者之間的...
高熵合金溫度相關(guān)變形行為的本構(gòu)建模和性能調(diào)控
針對(duì)上述問題，西南交通大學(xué)康國(guó)政教授團(tuán)隊(duì)建立了考慮溫度效應(yīng)和晶粒尺寸效應(yīng)的多物理機(jī)制晶體塑性本構(gòu)模型，量化了不同強(qiáng)化機(jī)制和塑性變形機(jī)制對(duì)iHEA變形行為...
一、 一般常見的焊接缺陷可分為四類：（1）焊縫尺寸不符合要求：如焊縫超高、超寬、過窄、高低差過大、焊縫過渡到母材不圓滑等。（2）焊接表面缺陷：如咬邊、焊...
對(duì)于在常溫下使用的零件，通常是這樣，因?yàn)榫ЯＴ郊?xì)小則晶界面積越大，對(duì)性能的影響也越大，材料強(qiáng)度越高，而細(xì)晶強(qiáng)化是不會(huì)降低材料塑形的。
金屬材料結(jié)構(gòu)分析是揭示材料性能與材料成分、工藝措施間內(nèi)在規(guī)律的重要手段和橋梁。化學(xué)成分，原子集合體的結(jié)構(gòu)以及內(nèi)部組織是決定金屬材料性能的內(nèi)在基本因素。當(dāng)...
芯片是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱，也被稱作為集成線路、微電路、微芯片，芯片是由硅片制造出來的。而芯片的封裝是芯片制造的一個(gè)重要過程，今天為大家科普一個(gè)知識(shí)，什...
自然中普遍存在的現(xiàn)象，如云層中水分子在灰塵礦物質(zhì)表面的聚集造成的降水/降雪、生物礦物質(zhì)的形成等物理/化學(xué)過程等，都與基于結(jié)構(gòu)物態(tài)相變有關(guān)，成核結(jié)晶的熱力...
2021-04-07 標(biāo)簽：石墨烯PRL原子結(jié)構(gòu) 3246 0
金屬增材制造（additive manufacturing， AM）在制造幾何形狀復(fù)雜的零件以及定制零件的微結(jié)構(gòu)和性能方面具有巨大優(yōu)勢(shì)，使其在各行各業(yè)中...
2021-06-15 標(biāo)簽：晶粒 2006 0
比較法：比較法不需計(jì)算晶粒、截矩。與標(biāo)準(zhǔn)系列評(píng)級(jí)圖進(jìn)行比較，用比較法評(píng)估晶粒度時(shí)一般存在一定的偏差(±0.5級(jí))。評(píng)估值的重現(xiàn)性與再現(xiàn)性通常為±1級(jí)。
一種晶粒、晶圓及晶圓上晶粒位置的標(biāo)識(shí)方法
在對(duì)不良品(或失效芯片)進(jìn)行失效分析過程中，數(shù)據(jù)排查往往是最先要完成的一環(huán)，如分析芯片制造各環(huán)節(jié)(wafer測(cè)試、芯片封裝、芯片測(cè)試)的加工和測(cè)試數(shù)據(jù)，...
高加速壽命試驗(yàn)對(duì)焊點(diǎn)的可靠性評(píng)估
高加速壽命試驗(yàn)是加速電子產(chǎn)品在實(shí)際使用中會(huì)出現(xiàn)的損壞因素，以比實(shí)際使用更短的時(shí)間引發(fā)失效，藉此鑒定產(chǎn)品是否符合設(shè)計(jì)要求，以及對(duì)失效模式分析并提出改進(jìn)方案。
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