氮化硅

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氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機(jī)械和電性能。

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氮化硅技術(shù)

異質(zhì)結(jié)電池結(jié)構(gòu)相比Topcon 電池本身更適合疊層: 因?yàn)殁}礦電池與異質(zhì)結(jié)電池進(jìn)行疊層，異質(zhì)結(jié)電池表面本身就是 TCO，異質(zhì)結(jié)電池的產(chǎn)線無需做更改。

2024-03-27 標(biāo)簽：電池氮化硅 1985 0

光子集成芯片需要的材料有哪些

光子集成芯片所需的材料多種多樣，主要包括硅、氮化硅、磷化銦、砷化鎵、鈮酸鋰等。這些材料各有其特性和應(yīng)用領(lǐng)域，適用于不同的光子器件和集成芯片設(shè)計(jì)。

2024-03-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料集成芯片氮化硅 1691 0

LPCVD技術(shù)助力低應(yīng)力氮化硅膜制備

LPCVD是低壓化學(xué)氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對(duì)于常壓的APCVD而言，...

2024-01-22 標(biāo)簽：流量傳感器 mems 壓力傳感器 2100 0

MEMS工藝設(shè)計(jì)中如何實(shí)現(xiàn)應(yīng)力匹配？

相較于本征應(yīng)力，熱應(yīng)力在某些方面是可以化敵為友的。在MEMS熱敏感執(zhí)行器中，基于膜層之間的熱膨脹系數(shù)差來實(shí)現(xiàn)懸臂梁的驅(qū)動(dòng)。在雙層膜形成的MEMS熱驅(qū)動(dòng)器...

2024-01-02 標(biāo)簽：mems 熱應(yīng)力氮化硅 1391 0

靶材的種類及制備工藝靶材在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GaAs 1678 0

基于微諧振器的耗散克爾孤子DKS光頻梳OFC

研究還表明，重復(fù)率的穩(wěn)定性，通過期望的分頻因子與參考激光器的重復(fù)率的穩(wěn)定性相聯(lián)系。最后，跨倍頻程耗散克爾孤子DKS的克爾誘導(dǎo)同步KIS，表現(xiàn)出了相反色散...

2023-12-27 標(biāo)簽：激光器諧振器 OFC 858 0

氮化硅為什么能夠在芯片中扮演重要的地位？

在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。

2023-12-20 標(biāo)簽：晶體管芯片制造氮化硅 2962 0

硅基集成光量子芯片技術(shù)解析

介紹了光量子芯片在未來實(shí)現(xiàn)可實(shí)用化大規(guī)模光量子計(jì)算與信息處理應(yīng)用方面展示出巨大潛力，并對(duì)硅基集成光量子芯片技術(shù)進(jìn)行介紹。

2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片技術(shù)光量子 2228 0

CVD中的硅烷詳解

硅烷（SiH4），是CVD里很常見的一種氣體，在CVD中通常用來提供硅的來源，用途很廣泛，我們來詳細(xì)了解一下。

2023-11-24 標(biāo)簽：CVD 氮化硅 2497 0

多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？又是怎樣制造出來的呢？

硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應(yīng)用？又是怎樣制造...

2023-10-26 標(biāo)簽：多晶硅 MOSFET 單晶硅 1410 0

氮化硅帖子

氮化硅資料下載

晶體硅太陽能電池減反射膜及其影響因素立即下載

類別：電子資料 2023-11-02 標(biāo)簽：太陽能電池發(fā)電晶體硅 355 0

氮化硅陶瓷球材料性能參數(shù)測(cè)試立即下載

類別：測(cè)試測(cè)量論文 2018-03-20 標(biāo)簽：氮化硅 1102 0

氮化硅資訊

英諾賽科發(fā)布40V車規(guī)產(chǎn)品駕駛艙快充首選

近年來，隨著第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件在充電器領(lǐng)域的廣泛普及應(yīng)用，大功率充電器也日益小型化。大眾對(duì)電子設(shè)備的頻繁使用以及電量焦慮，使得出行時(shí)的充電需求變得十...

2024-12-05 標(biāo)簽：快充英諾賽科車載快充 550 0

氮化硅薄膜的特性及制備方法

氮化硅（Si?N?）薄膜是一種高性能介質(zhì)材料，在集成電路制造領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜不僅介電特性優(yōu)于傳統(tǒng)的二氧化硅，還具備對(duì)...

2024-11-29 標(biāo)簽：薄膜 PECVD 氮化硅 629 0

氮化硅薄膜制備方法及用途

一、氮化硅薄膜制備方法及用途氮化硅（Si3N4）薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜的介電特性優(yōu)于二氧化硅，具有對(duì)可移動(dòng)離子較強(qiáng)...

2024-11-24 標(biāo)簽：薄膜氮化硅 686 0

鼎龍股份CMP拋光液業(yè)務(wù)突破：千萬元級(jí)訂單助力產(chǎn)能擴(kuò)張

近日，鼎龍股份宣布了其子公司武漢鼎澤新材料技術(shù)有限公司（簡(jiǎn)稱“鼎澤新材料”）在CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）拋光液領(lǐng)域的重大進(jìn)展，標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈中...

2024-07-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 CMP 氮化硅 858 0

Atonarp過程控制質(zhì)譜儀Aston?半導(dǎo)體工藝解決方案案例

上海伯東代理日本 Atonarp 過程控制質(zhì)譜儀 Aston?, 通過使用分子傳感技術(shù), 提供半導(dǎo)體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室...

2024-03-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 存儲(chǔ)器 1028 0

京瓷利用SN氮化硅材料研發(fā)高性能FTIR光源

京瓷株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡(jiǎn)稱SN）高性能光源。

2023-12-15 標(biāo)簽：FTIR 氮化硅 655 0

國科光芯實(shí)現(xiàn)傳輸損耗-0.1dB/cm（1550 nm波長(zhǎng)）級(jí)別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，經(jīng)過兩年、十余次的設(shè)計(jì)和工藝迭代，國科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱：國科光芯）在國內(nèi)首個(gè)8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了傳...

2023-11-17 標(biāo)簽：芯片硅光芯片氮化硅 1949 0

國科光芯：專注氮化硅硅光技術(shù)，探索硅光產(chǎn)業(yè)發(fā)展新路徑

第三，我們確實(shí)在今年上半年全面升級(jí)了發(fā)展戰(zhàn)略、使命及愿景。正如剛剛在介紹國科光芯的發(fā)展里程碑話題里提到的，基于激光雷達(dá)這幾年的深度研究，以及參考國際上硅...

2023-09-01 標(biāo)簽：激光雷達(dá)硅光子氮化硅 2208 0

介質(zhì)超構(gòu)表面的CMOS兼容制備工藝的進(jìn)展

超構(gòu)表面為納米光子器件賦予了更高的自由度與靈活度，使實(shí)用的微納米光子器件的實(shí)現(xiàn)成為可能。

2023-07-27 標(biāo)簽：帶通濾波器光刻機(jī)CMOS技術(shù) 1661 0

一文了解NAND閃存技術(shù)的發(fā)展演變

隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，全球 NAND 市場(chǎng)正呈擴(kuò)張之勢(shì)。而由于新冠疫情的爆發(fā)，人們更多選擇遠(yuǎn)程辦公和在線課程，對(duì)數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長(zhǎng)

2023-07-24 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 NAND閃存 slc 1333 0

氮化硅數(shù)據(jù)手冊(cè)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
無人駕駛

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提供全球最前沿?zé)o人駕駛科技趨勢(shì)，中國無人駕駛開發(fā)者社區(qū)
1024

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京瓷

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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
emmc

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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會(huì)訂立、主要針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
過壓保護(hù)電路

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6G

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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
華強(qiáng)pcb線路板打樣

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高頻電容

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COB

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wifi6

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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
dcdc轉(zhuǎn)換器

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
汽車

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檢測(cè)電路圖

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Zynq-7000

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
CD4069

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過流保護(hù)電路

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電路過電流過電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過電流和過電壓均進(jìn)行保護(hù)。
過零檢測(cè)電路

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過零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)。可作開關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
特斯拉線圈

特斯拉線圈

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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬伏的高頻電壓。
VHF

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VDD

VDD

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
逆變器電路圖

逆變器電路圖

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慕尼黑上海電子展

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測(cè)試電路

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AIoT

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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬物數(shù)據(jù)化、萬物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問題。
HarmonyOS

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HarmonyOS最新信息分享，我們將為大家?guī)鞨armonyOS是什么意思的深度解讀，HarmonyOS官網(wǎng)地址、HarmonyOS開源相關(guān)技術(shù)解讀與設(shè)計(jì)應(yīng)用案例，HarmonyOS系統(tǒng)官網(wǎng)信息，華為harmonyOS最新資訊動(dòng)態(tài)分析等。
功放板

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ELMOS

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功放制作

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功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡(jiǎn)稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
科創(chuàng)板

科創(chuàng)板

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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。

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氮化硅

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