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標(biāo)簽 > 3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型,通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限,容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間,但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。

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3d nand技術(shù)

pSLC帶來(lái)的“新”存儲(chǔ)容量 偽SLC如何兼顧耐用性和經(jīng)濟(jì)性

pSLC帶來(lái)的“新”存儲(chǔ)容量 偽SLC如何兼顧耐用性和經(jīng)濟(jì)性

( 作者:Swissbit AG 存儲(chǔ)解決方案總經(jīng)理 Roger Griesemer)如今,在 NAND 閃存行業(yè)中,隨處可見(jiàn)存儲(chǔ)密度又達(dá)到新高的各種新...

2021-11-16 標(biāo)簽:閃存NAND存儲(chǔ) 1.9萬(wàn) 0

存儲(chǔ)芯片是什么 存儲(chǔ)芯片的分類及發(fā)展歷史

存儲(chǔ)芯片是什么 存儲(chǔ)芯片的分類及發(fā)展歷史

存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品,我們?nèi)粘K械碾娮釉O(shè)備基本都會(huì)用到存儲(chǔ)器。據(jù)WSTS預(yù)測(cè),2023年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1675億美元,...

2023-07-07 標(biāo)簽:fpgaasic存儲(chǔ)芯片 1.5萬(wàn) 0

 一文讀懂3D NAND存儲(chǔ)器進(jìn)化史

一文讀懂3D NAND存儲(chǔ)器進(jìn)化史

通過(guò)3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來(lái),促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。

2018-04-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器3D NAND 1.3萬(wàn) 0

64層第二代3D NAND存儲(chǔ)產(chǎn)品及解決方案

幫助智能手機(jī)制造商通過(guò)人工智能 (AI)、虛擬現(xiàn)實(shí)和面部識(shí)別等新一代移動(dòng)功能來(lái)增強(qiáng)用戶體驗(yàn).

2018-04-08 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器美光3d nand 9340 0

探討半導(dǎo)體制造原子層刻蝕與沉積工藝的自限性反應(yīng)

探討半導(dǎo)體制造原子層刻蝕與沉積工藝的自限性反應(yīng)

原子層刻蝕和沉積工藝?yán)米韵扌苑磻?yīng),提供原子級(jí)控制。 泛林集團(tuán)先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽(yáng)博士 分享了他對(duì)這個(gè)話題的看法。 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求...

2021-02-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體行業(yè)3d nand 7940 0

基于64層3D NAND技術(shù)的企業(yè)級(jí)SATA固態(tài)硬盤(pán)

更輕松地向數(shù)據(jù)中心添加閃存,并憑借快速、一致的性能消除存儲(chǔ)瓶頸,降低總體擁有成本。

2018-04-10 標(biāo)簽:美光科技固態(tài)硬盤(pán)3D NAND 6359 0

市場(chǎng)對(duì)于3D NAND的需求有多大?140層3D NAND層數(shù)還會(huì)遠(yuǎn)嗎?

而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候,存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大,然而每層的厚度卻在縮小,以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm,層厚度大約70nm,4...

2018-06-03 標(biāo)簽:東芝閃存芯片3D NAND 5933 0

3D NAND技術(shù)工藝發(fā)展與主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)探討

本文為您講述ROM存儲(chǔ)介質(zhì)3D NAND技術(shù)工藝的發(fā)展,現(xiàn)階段主流的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),包括傳統(tǒng)eMMC,三星和蘋(píng)果提出的UFC標(biāo)準(zhǔn)和NVMe標(biāo)準(zhǔn)。

2016-10-12 標(biāo)簽:內(nèi)存3D NAND 3463 1

高深寬比刻蝕和納米級(jí)圖形化推進(jìn)存儲(chǔ)器的路線圖

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探索未來(lái)三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn),以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案

2022-01-10 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器EUV3d nand 2846 0

SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲(chǔ)芯片大揭秘

3D NAND的好處自然就是能夠比現(xiàn)在的閃存提供功能大的存儲(chǔ)空間,存儲(chǔ)密度可以達(dá)到現(xiàn)有閃存的三倍以上,未來(lái)甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出來(lái)。

2015-06-01 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)SSD3D NAND 2761 0

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3d nand資訊

干貨!一文看懂3D NAND Flash

干貨!一文看懂3D NAND Flash

目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片...

2016-08-11 標(biāo)簽:東芝三星電子Intel 4.3萬(wàn) 0

西部數(shù)據(jù)看好鎧俠存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)規(guī)模 謀求長(zhǎng)期合作構(gòu)建競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道,西部數(shù)據(jù)首席執(zhí)行官戴維·戈克勒(David Goeckeler)表示,由于閃存市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng),這家美國(guó)芯片制造商認(rèn)為日本的鎧俠公司是長(zhǎng)期...

2021-05-06 標(biāo)簽:西部數(shù)據(jù)3D Nand鎧俠 3.0萬(wàn) 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)64層3D NAND閃存 一文盤(pán)點(diǎn)2019年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)大事件

國(guó)內(nèi)企業(yè)方面長(zhǎng)江存儲(chǔ)和合肥長(zhǎng)鑫兩個(gè)重大項(xiàng)目的投產(chǎn),無(wú)疑為其他存儲(chǔ)器企業(yè)增添了信心。東芝存儲(chǔ)收購(gòu)臺(tái)灣光寶SSD業(yè)務(wù),美光在新加坡閃存廠建立,恢復(fù)向華為供貨...

2019-10-03 標(biāo)簽:三星電子美光3D NAND 1.3萬(wàn) 0

傳三星預(yù)將芯片制造價(jià)格上調(diào)至多20%;美光首發(fā)232層3D NAND,將于2022年末量產(chǎn)

傳三星預(yù)將芯片制造價(jià)格上調(diào)至多 20% ? 根據(jù)外媒的最新消息,三星正就將芯片制造價(jià)格提高20%進(jìn)行商議。值得注意的是,除了三星之外,臺(tái)積電此前也宣布,...

2022-05-15 標(biāo)簽:三星電子芯片制造美光 1.2萬(wàn) 0

東芝WD聯(lián)盟3D NAND采用三星技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)

Kioxia(原東芝存儲(chǔ)),西部數(shù)據(jù)(WD)聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前,原東...

2019-12-13 標(biāo)簽:東芝三星電子西部數(shù)據(jù) 1.2萬(wàn) 0

紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群執(zhí)行副總裁高啟全退休 坂本幸雄接收紫光DRAM布局

紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁高啟全在2020年9月30日正式退休,未來(lái)紫光集團(tuán)的DRAM事業(yè)布局將由前爾必達(dá)社長(zhǎng)、現(xiàn)任紫光高級(jí)副總的坂本幸雄接手。

2020-10-02 標(biāo)簽:DRAM爾必達(dá)3D NAND 7020 0

南京第一座12寸廠20個(gè)月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨

日前,臺(tái)積電南京廠總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球出席“芯片之城”南京江北新區(qū)“兩城壹中心“招商會(huì)透露,南京12寸廠這個(gè)月已開(kāi)始出貨。

2018-05-02 標(biāo)簽:納米技術(shù)臺(tái)積電3D NAND 6611 0

原廠3D NAND揭秘:從32層至128層及更高,給產(chǎn)業(yè)帶來(lái)怎樣的變化?

在三星、東芝存儲(chǔ)器(TMC)、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等3D技術(shù)快速發(fā)展的推動(dòng)下,不僅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及,2019...

2019-07-05 標(biāo)簽:SK海力士3D NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 6317 0

東芝半導(dǎo)體大火 存儲(chǔ)芯片漲價(jià)預(yù)期抬頭

1月7日,鎧俠存儲(chǔ)(原東芝半導(dǎo)體)四日市Fab 6工廠一機(jī)臺(tái)發(fā)生火災(zāi),目前火勢(shì)已經(jīng)撲滅,正在進(jìn)行停機(jī)檢查和災(zāi)損統(tǒng)計(jì)。美光股價(jià)同一天大漲,本文根據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)...

2020-01-08 標(biāo)簽:美光存儲(chǔ)芯片3D NAND 6157 0

從華為P10閃存芯片事件,你看到了什么?

日前,網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)華為P10不同批次手機(jī)采用了不同規(guī)格的閃存芯片。網(wǎng)上對(duì)此眾說(shuō)紛紜。華為官方也因此發(fā)表聲明,華為手機(jī)跟國(guó)內(nèi)外多家優(yōu)秀的閃存供應(yīng)商合作,同時(shí)為...

2017-04-21 標(biāo)簽:3d nand華為p10 6074 0

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3d nand數(shù)據(jù)手冊(cè)

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    云存儲(chǔ)是在云計(jì)算(cloud computing)概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念,是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù),本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存,云數(shù)據(jù)存儲(chǔ),免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好,云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
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TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
CAN CSI DSI DVI Ethernet HDMI I2C RS-485
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Arduino BeagleBone 樹(shù)莓派 STM32 MSP430 EFM32 ARM mbed EDA
示波器 LPC imx8 PSoC Altium Designer Allegro Mentor Pads
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