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標(biāo)簽 > 3d nand
3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型,通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限,容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間,但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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pSLC帶來(lái)的“新”存儲(chǔ)容量 偽SLC如何兼顧耐用性和經(jīng)濟(jì)性
( 作者:Swissbit AG 存儲(chǔ)解決方案總經(jīng)理 Roger Griesemer)如今,在 NAND 閃存行業(yè)中,隨處可見(jiàn)存儲(chǔ)密度又達(dá)到新高的各種新...
存儲(chǔ)芯片是什么 存儲(chǔ)芯片的分類及發(fā)展歷史
存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品,我們?nèi)粘K械碾娮釉O(shè)備基本都會(huì)用到存儲(chǔ)器。據(jù)WSTS預(yù)測(cè),2023年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1675億美元,...
64層第二代3D NAND存儲(chǔ)產(chǎn)品及解決方案
幫助智能手機(jī)制造商通過(guò)人工智能 (AI)、虛擬現(xiàn)實(shí)和面部識(shí)別等新一代移動(dòng)功能來(lái)增強(qiáng)用戶體驗(yàn).
探討半導(dǎo)體制造原子層刻蝕與沉積工藝的自限性反應(yīng)
原子層刻蝕和沉積工藝?yán)米韵扌苑磻?yīng),提供原子級(jí)控制。 泛林集團(tuán)先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽(yáng)博士 分享了他對(duì)這個(gè)話題的看法。 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求...
2021-02-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體行業(yè)3d nand 7940 0
基于64層3D NAND技術(shù)的企業(yè)級(jí)SATA固態(tài)硬盤(pán)
更輕松地向數(shù)據(jù)中心添加閃存,并憑借快速、一致的性能消除存儲(chǔ)瓶頸,降低總體擁有成本。
2018-04-10 標(biāo)簽:美光科技固態(tài)硬盤(pán)3D NAND 6359 0
市場(chǎng)對(duì)于3D NAND的需求有多大?140層3D NAND層數(shù)還會(huì)遠(yuǎn)嗎?
而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候,存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大,然而每層的厚度卻在縮小,以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm,層厚度大約70nm,4...
3D NAND技術(shù)工藝發(fā)展與主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)探討
本文為您講述ROM存儲(chǔ)介質(zhì)3D NAND技術(shù)工藝的發(fā)展,現(xiàn)階段主流的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),包括傳統(tǒng)eMMC,三星和蘋(píng)果提出的UFC標(biāo)準(zhǔn)和NVMe標(biāo)準(zhǔn)。
SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲(chǔ)芯片大揭秘
3D NAND的好處自然就是能夠比現(xiàn)在的閃存提供功能大的存儲(chǔ)空間,存儲(chǔ)密度可以達(dá)到現(xiàn)有閃存的三倍以上,未來(lái)甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出來(lái)。
2015-06-01 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)SSD3D NAND 2761 0
3D NAND對(duì)比2D NAND的優(yōu)勢(shì)立即下載
類別:嵌入式開(kāi)發(fā) 2017-10-13 標(biāo)簽:閃存3d nand2d nand 1412 0
目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片...
西部數(shù)據(jù)看好鎧俠存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)規(guī)模 謀求長(zhǎng)期合作構(gòu)建競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道,西部數(shù)據(jù)首席執(zhí)行官戴維·戈克勒(David Goeckeler)表示,由于閃存市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng),這家美國(guó)芯片制造商認(rèn)為日本的鎧俠公司是長(zhǎng)期...
2021-05-06 標(biāo)簽:西部數(shù)據(jù)3D Nand鎧俠 3.0萬(wàn) 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)64層3D NAND閃存 一文盤(pán)點(diǎn)2019年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)大事件
國(guó)內(nèi)企業(yè)方面長(zhǎng)江存儲(chǔ)和合肥長(zhǎng)鑫兩個(gè)重大項(xiàng)目的投產(chǎn),無(wú)疑為其他存儲(chǔ)器企業(yè)增添了信心。東芝存儲(chǔ)收購(gòu)臺(tái)灣光寶SSD業(yè)務(wù),美光在新加坡閃存廠建立,恢復(fù)向華為供貨...
傳三星預(yù)將芯片制造價(jià)格上調(diào)至多20%;美光首發(fā)232層3D NAND,將于2022年末量產(chǎn)
傳三星預(yù)將芯片制造價(jià)格上調(diào)至多 20% ? 根據(jù)外媒的最新消息,三星正就將芯片制造價(jià)格提高20%進(jìn)行商議。值得注意的是,除了三星之外,臺(tái)積電此前也宣布,...
東芝WD聯(lián)盟3D NAND采用三星技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)
Kioxia(原東芝存儲(chǔ)),西部數(shù)據(jù)(WD)聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前,原東...
2019-12-13 標(biāo)簽:東芝三星電子西部數(shù)據(jù) 1.2萬(wàn) 0
紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群執(zhí)行副總裁高啟全退休 坂本幸雄接收紫光DRAM布局
紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁高啟全在2020年9月30日正式退休,未來(lái)紫光集團(tuán)的DRAM事業(yè)布局將由前爾必達(dá)社長(zhǎng)、現(xiàn)任紫光高級(jí)副總的坂本幸雄接手。
南京第一座12寸廠20個(gè)月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨
日前,臺(tái)積電南京廠總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球出席“芯片之城”南京江北新區(qū)“兩城壹中心“招商會(huì)透露,南京12寸廠這個(gè)月已開(kāi)始出貨。
原廠3D NAND揭秘:從32層至128層及更高,給產(chǎn)業(yè)帶來(lái)怎樣的變化?
在三星、東芝存儲(chǔ)器(TMC)、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等3D技術(shù)快速發(fā)展的推動(dòng)下,不僅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及,2019...
2019-07-05 標(biāo)簽:SK海力士3D NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 6317 0
東芝半導(dǎo)體大火 存儲(chǔ)芯片漲價(jià)預(yù)期抬頭
1月7日,鎧俠存儲(chǔ)(原東芝半導(dǎo)體)四日市Fab 6工廠一機(jī)臺(tái)發(fā)生火災(zāi),目前火勢(shì)已經(jīng)撲滅,正在進(jìn)行停機(jī)檢查和災(zāi)損統(tǒng)計(jì)。美光股價(jià)同一天大漲,本文根據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)...
日前,網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)華為P10不同批次手機(jī)采用了不同規(guī)格的閃存芯片。網(wǎng)上對(duì)此眾說(shuō)紛紜。華為官方也因此發(fā)表聲明,華為手機(jī)跟國(guó)內(nèi)外多家優(yōu)秀的閃存供應(yīng)商合作,同時(shí)為...
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