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標(biāo)簽 > 3D閃存
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3D閃存切換DDR 3.0技術(shù)數(shù)據(jù)表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-01-18 標(biāo)簽:DDR3D閃存 433 0
鎧俠正式發(fā)布業(yè)界首款車載UFS 4.0嵌入式閃存
存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社宣布,該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應(yīng)用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。
服務(wù)器支撐閃存芯片市場增長,上下游企業(yè)加速布局基礎(chǔ)設(shè)施、汽車新興領(lǐng)域
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近年來,由于消費(fèi)級、工業(yè)級以及汽車等終端市場的需求變動,影響了閃存行業(yè)的供需變化。在技術(shù)上,閃存朝著更加先進(jìn)的工藝迭代...
鎧俠推出162層3D閃存:產(chǎn)能增加70%、性能提升66%
在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后,美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營,推出了162層3D閃...
Kioxia和西部數(shù)據(jù)合作開發(fā)第六代162層3D閃存技術(shù)
Kioxia(鎧俠)和西部數(shù)據(jù)宣布,雙方合作開發(fā)了第六代162層3D閃存技術(shù)。這是兩家企業(yè)建立20年合作關(guān)系的又一里程碑,也是兩家公司迄今密度最高、最先...
2021-02-20 標(biāo)簽:CMOS西部數(shù)據(jù)3d nand 2374 0
隨著3D閃存技術(shù)的發(fā)展,容量超過1 TB的閃存解決方案得到了越來越廣泛的應(yīng)用,對于數(shù)據(jù)可靠性的要求也變得越來越復(fù)雜。
這是因?yàn)椋琗tacking架構(gòu)將閃存陣列的工藝和CMOS邏輯器件工藝分割隔離,從這一程度上講,利用Xtacking技術(shù)可以更容易地調(diào)整優(yōu)化閃存陣列的工藝...
三星正在開發(fā)160堆棧3D閃存 將大幅改進(jìn)制造工藝
上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù),QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng)造了三個世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn),三星等公司也沒閑著,三星...
據(jù)了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱三星可能會大幅改進(jìn)制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧...
因?yàn)?D閃存技術(shù)允許有更多的細(xì)胞堆疊在給定的表面積,這樣總?cè)萘繉⒈葘?shí)際可以使用的容量要大很多。
鎧俠開發(fā)新的3D半圓形閃存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”
鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)近日宣布將使用專門設(shè)計(jì)的半圓形浮置柵極(FG)單元開發(fā)全球首個[1]三維(3D)半圓形分柵型閃存單元...
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