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標簽 > GaN

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gan技術(shù)

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2025-02-05 標簽:GaNOBCTier1 1230 0

UCG28826 中文數(shù)據(jù)手冊 具有集成式 GaN (65W) 的自偏置高頻 QR 反激式轉(zhuǎn)換器

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2025-01-21 標簽:反激式轉(zhuǎn)換器GaN 318 0

垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術(shù)

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垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中,我們...

2025-01-16 標簽:MOS功率器件GaN 121 0

遠山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測試方案

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遠山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...

2025-01-14 標簽:功率器件SiCGaN 622 0

利用用于多相偏置解決方案的 GMR10Dx 模塊優(yōu)化工業(yè)電機控制系統(tǒng)中的功率控制器

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作者:Ganmar Technologies 2024-12-12 本文探討了開發(fā)可靠安全的多相功率控制器所面臨的設(shè)計挑戰(zhàn)和主要考慮因素。文中利用具有浮...

2025-01-25 標簽:驅(qū)動器GaN功率控制器 157 0

嵌入PCB術(shù)語拓展

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一、術(shù)語 1、SiP:System-in-Package SiP是一種先進的封裝技術(shù),它將多個半導(dǎo)體器件、集成電路(IC)或其他電子組件,以及必要的輔助...

2025-01-08 標簽:pcbSiPqfn 414 0

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?粉末純度、SiC晶錠一致性

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硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而,硅也有局限性,尤其在電力電子領(lǐng)域,設(shè)計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。 本文為白皮...

2025-01-05 標簽:安森美SiCGaN 876 0

電源管理芯片U8733產(chǎn)品概述

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2024-12-30 標簽:封裝FETGaN 373 0

TI的UCG28826無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計難題

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廣芯微600W雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換平臺方案

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廣芯微電子(廣州)股份有限公司于2024年12月宣布推出基于其UM32G421微處理器芯片打造的600W高效率雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換參考開發(fā)平臺,集成...

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gan資訊

意法半導(dǎo)體推出250W MasterGaN參考設(shè)計

為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設(shè)計,意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝(SiP...

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京東方華燦與晶通半導(dǎo)體簽署合作備忘錄

隨著全球新能源汽車、人工智能、光伏及儲能等新興市場的蓬勃發(fā)展,高性能功率器件的需求呈現(xiàn)出前所未有的增長態(tài)勢。在這一背景下,2025年1月8日于珠海金灣工...

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HFG610-65 數(shù)據(jù)手冊和產(chǎn)品介紹 具有集成 GaN HEMT 的高頻準諧振反激式穩(wěn)壓器

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安森美成功收購紐約州德威特GaN晶圓制造廠,助力技術(shù)布局!

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近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美(onsemi)宣布,以2000萬美元的價格成功收購位于美國紐約州德威特的原NexGenPowerSystem...

2025-01-08 標簽:安森美GaN晶圓制造 199 0

第三代半導(dǎo)體廠商加速出海

近年來,在消費電子需求帶動下,加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。

2025-01-04 標簽:半導(dǎo)體消費電子GaN 527 0

應(yīng)用指南導(dǎo)讀 | 優(yōu)化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局

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作為寬禁帶半導(dǎo)體,氮化鎵(GaN)以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領(lǐng)域的新寵。然而,GaN器件的高速開關(guān)行為也對PCB布局設(shè)計提出了...

2025-01-03 標簽:pcbGaN功率晶體管 237 0

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gan數(shù)據(jù)手冊

型號 描述 數(shù)據(jù)手冊 參考價格
GS61008P-MR 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM

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