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標簽 > GaN
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本土Tier1推出GaN OBC:單級拓撲、6.1kW/L功率密度、98%峰值效率
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近期GaN在OBC上的應(yīng)用方案開始陸續(xù)推出市場, 在一 月初,陽光電動力推出了一款全新的二合一OBC方案,采用GaN器件以...
UCG28826 中文數(shù)據(jù)手冊 具有集成式 GaN (65W) 的自偏置高頻 QR 反激式轉(zhuǎn)換器
UCG28826 是一款高頻準諧振反激式轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT),可將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,適用于高達 65W的電...
2025-01-21 標簽:反激式轉(zhuǎn)換器GaN 318 0
利用用于多相偏置解決方案的 GMR10Dx 模塊優(yōu)化工業(yè)電機控制系統(tǒng)中的功率控制器
作者:Ganmar Technologies 2024-12-12 本文探討了開發(fā)可靠安全的多相功率控制器所面臨的設(shè)計挑戰(zhàn)和主要考慮因素。文中利用具有浮...
安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?粉末純度、SiC晶錠一致性
硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而,硅也有局限性,尤其在電力電子領(lǐng)域,設(shè)計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。 本文為白皮...
驅(qū)動電流分檔功能?是指通過配置不同的分壓電阻值來調(diào)節(jié)驅(qū)動電流的檔位,從而優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中,如電源管理芯片U8...
TI的UCG28826無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計難題
人們對更小、更高效電源的需求不斷增長,進而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中,制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)...
廣芯微600W雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換平臺方案
廣芯微電子(廣州)股份有限公司于2024年12月宣布推出基于其UM32G421微處理器芯片打造的600W高效率雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換參考開發(fā)平臺,集成...
2024-12-14 標簽:轉(zhuǎn)換器微處理器DC-DC 1339 0
GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載
類別:電子資料 2025-01-24 標簽:GaN功率半導(dǎo)體 31 0
GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓撲結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)效率高達95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載
類別:電子資料 2025-01-22 標簽:拓撲結(jié)構(gòu)GaNAHB 100 0
基于GaN的多輸出反激式轉(zhuǎn)換器中平面變壓器繞組損耗的優(yōu)化方法立即下載
類別:電子資料 2025-01-22 標簽:變壓器反激式轉(zhuǎn)換器GaN 77 0
意法半導(dǎo)體推出250W MasterGaN參考設(shè)計
為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設(shè)計,意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝(SiP...
2025-02-06 標簽:意法半導(dǎo)體GaN諧振轉(zhuǎn)換器 190 0
本土Tier1推出GaN OBC:單級拓撲、6.1kW/L功率密度、98%峰值效率
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近期GaN在OBC上的應(yīng)用方案開始陸續(xù)推出市場, 在一 月初,陽光電動力推出了一款全新的二合一OBC方案,采用GaN器件以...
近日,日本豐田合成株式會社宣布了一項重大技術(shù)突破:成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm(8英寸)氮化鎵(GaN)單晶晶圓。
解析GaN器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù):鍵合、生長、鈍化生長
在追求更高功率密度和更優(yōu)性能的電子器件領(lǐng)域,GaN(氮化鎵)器件因其卓越的性能而備受矚目。然而,隨著功率密度的不斷提升,器件內(nèi)部的熱積累問題日益嚴重,成...
隨著全球新能源汽車、人工智能、光伏及儲能等新興市場的蓬勃發(fā)展,高性能功率器件的需求呈現(xiàn)出前所未有的增長態(tài)勢。在這一背景下,2025年1月8日于珠海金灣工...
HFG610-65 數(shù)據(jù)手冊和產(chǎn)品介紹 具有集成 GaN HEMT 的高頻準諧振反激式穩(wěn)壓器
HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準諧振 (QR) 反激式穩(wěn)壓器,專用于高性能和高頻設(shè)計。與傳統(tǒng)QR 反激式穩(wěn)壓器不同,HFG610-...
安森美成功收購紐約州德威特GaN晶圓制造廠,助力技術(shù)布局!
近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美(onsemi)宣布,以2000萬美元的價格成功收購位于美國紐約州德威特的原NexGenPowerSystem...
近年來,在消費電子需求帶動下,加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
應(yīng)用指南導(dǎo)讀 | 優(yōu)化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局
作為寬禁帶半導(dǎo)體,氮化鎵(GaN)以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領(lǐng)域的新寵。然而,GaN器件的高速開關(guān)行為也對PCB布局設(shè)計提出了...
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
---|---|---|---|
GS61008P-MR | 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價格
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