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InnoSwitch3

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采用PowiGaN技術(shù)的InnoSwitch3恒壓/恒流離線式反激式開關(guān)電源IC在各種負(fù)載條件下均可提供高達(dá)95%的高效性能。PowiGaN初級(jí)開關(guān)具有極低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,并且新器件采用節(jié)省空間的InSOP 24D表面貼裝型封裝,在密閉的適配器應(yīng)用中無需使用散熱片即可提供100 W的輸出功率。

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InnoSwitch3簡(jiǎn)介

  InnoSwitch系列IC將初級(jí)、次級(jí)和反饋電路同時(shí)集成到一個(gè)表面貼裝離線式反激開關(guān)IC中。所有InnoSwitch IC都集成了初級(jí)MOSFET、初級(jí)側(cè)控制器、用于同步整流的次級(jí)側(cè)控制器以及可省去光耦器的創(chuàng)新性的FluxLink技術(shù)。

  采用PowiGaN技術(shù)的InnoSwitch3恒壓/恒流離線式反激式開關(guān)電源IC在各種負(fù)載條件下均可提供高達(dá)95%的高效性能。PowiGaN初級(jí)開關(guān)具有極低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,并且新器件采用節(jié)省空間的InSOP 24D表面貼裝型封裝,在密閉的適配器應(yīng)用中無需使用散熱片即可提供100 W的輸出功率。

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