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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))

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dram資訊

三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道

據(jù)報(bào)道,三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 ...

2025-01-23 標(biāo)簽:DRAM三星電子內(nèi)存 163 0

三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM(1b DRAM)的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部為解...

2025-01-23 標(biāo)簽:DRAM三星 550 0

三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲

據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%...

2025-01-22 標(biāo)簽:DRAM三星電子內(nèi)存 160 0

三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至...

2025-01-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM制程技術(shù) 163 0

三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對(duì)良率與性能挑戰(zhàn)

近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí),已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有...

2025-01-22 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存三星 249 0

美光科技一行走進(jìn)清華大學(xué)電子工程系

為進(jìn)一步助力專業(yè)科技人才的培養(yǎng),美光作為創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍者,受邀在中國頂尖學(xué)府開設(shè) “美光課堂”。該課堂致力于為學(xué)生提供一個(gè)接觸行業(yè)...

2025-01-09 標(biāo)簽:DRAM美光科技固態(tài)存儲(chǔ) 242 0

美光科技計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,美光科技預(yù)計(jì)今年將繼續(xù)積極擴(kuò)大其DRAM產(chǎn)能,與去年相似。得益于美國政府確認(rèn)的巨額補(bǔ)貼,美光近期將具體落實(shí)對(duì)現(xiàn)有DRAM工廠進(jìn)行改造的投資計(jì)...

2025-01-07 標(biāo)簽:DRAM美光科技HBM 347 0

SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應(yīng)對(duì)AI芯片市場(chǎng)旺盛需求

SK海力士今年計(jì)劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存(HBM)的DRAM產(chǎn)能,目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片,這一增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對(duì)...

2025-01-07 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 299 0

國產(chǎn)DDR5內(nèi)存上市,內(nèi)存市場(chǎng)價(jià)格戰(zhàn)一觸即發(fā)

隨著國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市,內(nèi)存市場(chǎng)的競(jìng)爭態(tài)勢(shì)即將迎來新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品,據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Trendforce預(yù)估,2024年全球...

2025-01-07 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存DDR5 410 0

三星LPDDR5X榮獲CES 2025創(chuàng)新獎(jiǎng)

在CES 2025開幕前夕,三星半導(dǎo)體憑借其在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新與突破,以業(yè)界首創(chuàng)的LPDDR5X DRAM技術(shù),獲得了CES 2025在移動(dòng)設(shè)備、...

2024-12-31 標(biāo)簽:DRAMCES三星半導(dǎo)體 307 0

SK海力士如何以設(shè)計(jì)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)GDDR7速度新巔峰

挑戰(zhàn)傳統(tǒng),打破限制,勇攀高峰,打破常規(guī)者們?cè)趯で箝_創(chuàng)性解決方案的過程中重塑規(guī)則。繼SK海力士品牌短片《誰是打破常規(guī)者》播出后,將推出一系列文章,展示公司...

2024-12-27 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器SK海力士 402 0

AI興起推動(dòng)HBM需求激增,DRAM市場(chǎng)面臨重塑

TechInsights的最新報(bào)告揭示了AI興起對(duì)高帶寬內(nèi)存(HBM)需求的巨大影響。特別是在機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中,HBM的需求呈現(xiàn)出前...

2024-12-26 標(biāo)簽:處理器DRAMAI 267 0

Kioxia發(fā)布OCTRAM技術(shù),開啟低功耗DRAM新篇章

近日,在存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)域,Kioxia Corporation再次展現(xiàn)其創(chuàng)新實(shí)力,宣布成功開發(fā)出OCTRAM(氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM)技術(shù)。這...

2024-12-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAMKioxia 443 0

SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬片

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? ? 12 月 20 日消息,據(jù) TheElec 報(bào)道,韓國存儲(chǔ)芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單,但具體額度未知。 ? ...

2024-12-21 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 336 0

南亞科技與補(bǔ)丁科技攜手開發(fā)定制超高帶寬內(nèi)存

近日,臺(tái)灣地區(qū)知名的DRAM內(nèi)存制造商南亞科技宣布,已與專業(yè)DRAM設(shè)計(jì)公司補(bǔ)丁科技達(dá)成戰(zhàn)略合作,共同致力于定制超高帶寬內(nèi)存(Customized Ul...

2024-12-20 標(biāo)簽:DRAM帶寬內(nèi)存 234 0

紫光國芯亮相ICCAD-Expo 2024

近日,備受矚目的上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨第三十屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)(ICCAD-Expo 2024)在上海隆重舉行。來自全球的集成電路產(chǎn)...

2024-12-14 標(biāo)簽:集成電路DRAMICCAD 814 0

iPhone的DRAM封裝,有變!

來源: thelec 三星已經(jīng)開始研究改變iPhone所用低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM的封裝方法。 消息人士稱,這家韓國科技巨頭試圖將 LPDDR 的集成...

2024-12-09 標(biāo)簽:DRAMiPhone封裝 191 0

SK 海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門,任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

據(jù) Businesses Korea 報(bào)道,SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2...

2024-12-06 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 364 0

2024年第三季度全球DRAM市場(chǎng)營收環(huán)比增長13.6%

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日發(fā)布了最新的研究報(bào)告,揭示了2024年第三季度全球DRAM市場(chǎng)的表現(xiàn)。盡管面臨多重挑戰(zhàn),該季度DRAM市場(chǎng)營收仍實(shí)現(xiàn)...

2024-12-03 標(biāo)簽:DRAMSK海力士三星 386 0

華邦電子成功舉辦三場(chǎng)聯(lián)合技術(shù)論壇

上周,華邦電子在滬深兩地舉辦了三場(chǎng)聯(lián)合技術(shù)論壇,每場(chǎng)活動(dòng)座無虛席,技術(shù)工程師們齊聚一堂與講師共同探討從汽車電子、工業(yè)應(yīng)用到聯(lián)網(wǎng)通訊與計(jì)算機(jī),再到消費(fèi)電子...

2024-11-27 標(biāo)簽:FPGADRAM汽車電子 500 0

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    寒武紀(jì)
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    上海安路信息科技有限公司成立于2011年,總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專注于為客戶提供高性價(jià)比的可編程邏輯器件(FPGA)、可編程系統(tǒng)級(jí)芯片(SOC)、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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    驍龍835(一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
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