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標簽 > eMRAM
eMRAM 技術是自旋電子學(Spintronics,2007 年諾貝爾物理學獎)發展的重要產物。eMRAM 是利用電子的自旋特性實現數據存儲,其核心存儲器件為磁性隧道結 MTJ。
eMRAM 技術是自旋電子學(Spintronics,2007 年諾貝爾物理學獎)發展的重要產物。eMRAM 是利用電子的自旋特性實現數據存儲,其核心存儲器件為磁性隧道結 MTJ。
作為一種新型存儲,eMRAM 具有非易失性、讀寫速度快、能耗低、集成密度高、耐久力強、天然抗輻射和隨工藝節點等比微縮等優點。
三星電子在昨日舉行的韓國“AI-PIM 研討會”上宣布,其正按計劃穩步進行eMRAM(嵌入式磁性隨機存取內存)的制程升級工作。據悉,目前8nm eMRA...
三星在會上表示,作為新一代汽車技術,正在首次開發5nm eMRAM。三星計劃到2024年為止,用14納米工程增加mbram產品有價證券組合,2年后升級為...
不同于傳統半導體存儲器如DRAM、SRAM 和 NAND 閃存等利用電子的電荷特性進行數據存儲,eMRAM的技術原理是利用電子的自旋特性實現數據存儲,其...
簡單介紹GlobalFoundrieS生產eMRAM的解決方案
GlobalFoundries(格羅方德半導體有限公司)今年2月份宣布已在其22FDX平臺上為物聯網和汽車應用交付了首個可投入生產的eMRAM。并表示其...
無論是筆記本電腦的固態硬盤、物聯網/汽車硬件、基于邊緣的人工智能還是嵌入式非易失性內存(eNVM),它們都是這些應用程序和許多其他應用程序的關鍵構件。
eMRAM屬于新型存儲技術,同目前占據市場主流的NAND閃存相比較,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...
格芯(GLOBALFOUNDRIES)的22nm FD-SOI(22FDX)平臺上的嵌入式磁隨機存取存儲器(eMRAM)已正式投入生產。同時格芯正與多家...
格芯宣布eMRAM已投入生產,為何晶圓代工廠都在研究eMRAM?
格芯今日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產。格芯正在接洽多家客戶,計劃2020年安...
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