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標(biāo)簽 > eMRAM
eMRAM 技術(shù)是自旋電子學(xué)(Spintronics,2007 年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng))發(fā)展的重要產(chǎn)物。eMRAM 是利用電子的自旋特性實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ),其核心存儲(chǔ)器件為磁性隧道結(jié) MTJ。
eMRAM 技術(shù)是自旋電子學(xué)(Spintronics,2007 年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng))發(fā)展的重要產(chǎn)物。eMRAM 是利用電子的自旋特性實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ),其核心存儲(chǔ)器件為磁性隧道結(jié) MTJ。
作為一種新型存儲(chǔ),eMRAM 具有非易失性、讀寫速度快、能耗低、集成密度高、耐久力強(qiáng)、天然抗輻射和隨工藝節(jié)點(diǎn)等比微縮等優(yōu)點(diǎn)。
三星電子正按計(jì)劃推進(jìn)eMRAM內(nèi)存制程升級(jí)
三星電子在昨日舉行的韓國“AI-PIM 研討會(huì)”上宣布,其正按計(jì)劃穩(wěn)步進(jìn)行eMRAM(嵌入式磁性隨機(jī)存取內(nèi)存)的制程升級(jí)工作。據(jù)悉,目前8nm eMRA...
三星宣布開發(fā)業(yè)界首款車用級(jí)5nm eMRAM
三星在會(huì)上表示,作為新一代汽車技術(shù),正在首次開發(fā)5nm eMRAM。三星計(jì)劃到2024年為止,用14納米工程增加mbram產(chǎn)品有價(jià)證券組合,2年后升級(jí)為...
2023-10-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)eMRAM三星 848 0
不同于傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器如DRAM、SRAM 和 NAND 閃存等利用電子的電荷特性進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ),eMRAM的技術(shù)原理是利用電子的自旋特性實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ),其...
簡單介紹GlobalFoundrieS生產(chǎn)eMRAM的解決方案
GlobalFoundries(格羅方德半導(dǎo)體有限公司)今年2月份宣布已在其22FDX平臺(tái)上為物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用交付了首個(gè)可投入生產(chǎn)的eMRAM。并表示其...
GLOBALFOUNDRIES為存儲(chǔ)器技術(shù)設(shè)置了新的標(biāo)準(zhǔn)
無論是筆記本電腦的固態(tài)硬盤、物聯(lián)網(wǎng)/汽車硬件、基于邊緣的人工智能還是嵌入式非易失性內(nèi)存(eNVM),它們都是這些應(yīng)用程序和許多其他應(yīng)用程序的關(guān)鍵構(gòu)件。
eMRAM屬于新型存儲(chǔ)技術(shù),同目前占據(jù)市場主流的NAND閃存相比較,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...
格芯計(jì)劃今年實(shí)現(xiàn)eMRAM多重下線生產(chǎn) 將證明其經(jīng)濟(jì)實(shí)用性
格芯(GLOBALFOUNDRIES)的22nm FD-SOI(22FDX)平臺(tái)上的嵌入式磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(eMRAM)已正式投入生產(chǎn)。同時(shí)格芯正與多家...
格芯宣布eMRAM已投入生產(chǎn),為何晶圓代工廠都在研究eMRAM?
格芯今日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺(tái)的嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器(eMRAM)已投入生產(chǎn)。格芯正在接洽多家客戶,計(jì)劃2020年安...
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