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HBM3

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HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對比

AI服務(wù)器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā)，且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加，經(jīng)測算，預(yù)期25年市場規(guī)模約150億美元，增速超過50%。

2024-03-01 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器服務(wù)器 HBM 1886 0

深入分析AMD MI300A的規(guī)格和設(shè)計(jì)方案

MI300A 與 H100 SXM，同樣是 APU（CPU + GPU）與僅 GPU 的比較，AMD 認(rèn)為其芯片處于大致水平，但包含 CPU。

2023-12-21 標(biāo)簽：芯片 amd cpu 2634 0

HBM3：用于解決高密度和復(fù)雜計(jì)算問題的下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)

在這個(gè)技術(shù)革命的時(shí)代，人工智能應(yīng)用程序、高端服務(wù)器和圖形等領(lǐng)域都在不斷發(fā)展。這些應(yīng)用需要快速處理和高密度來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，其中高帶寬內(nèi)存（HBM）提供了最...

2023-05-25 標(biāo)簽：服務(wù)器人工智能 HBM 4934 0

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風(fēng)景獨(dú)好？12層HBM3E量產(chǎn)，16層HBM3E在研，產(chǎn)業(yè)鏈涌動(dòng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）在早前的報(bào)道中，對于HBM產(chǎn)能是否即將過剩，業(yè)界有不同的聲音，但絲毫未影響存儲(chǔ)芯片廠商對HBM產(chǎn)品升級的步伐。 ? 三大廠...

2024-10-06 標(biāo)簽：SK海力士 HBM3 HBM3E 3956 0

三星HBM3已經(jīng)通過英偉達(dá)的適用性測試

去年，三星便積極向英偉達(dá)遞送了HBM3樣品，旨在融入其H100等多款計(jì)算卡的供應(yīng)鏈體系中，并預(yù)計(jì)于2024年?duì)幦〉接ミ_(dá)HBM3訂單中高達(dá)30%的份額。...

2024-07-26 標(biāo)簽：英偉達(dá)三星 HBM3 565 0

今日看點(diǎn)丨傳三星HBM3獲英偉達(dá)認(rèn)證將用于中國版H20芯片；OPPO 新開兩塊高密度硅材料單電芯電池

1. 隨著日本將首次引入EUV 光刻機(jī)，ASML 當(dāng)?shù)貑T工計(jì)劃增至600 人 ? 隨著日本準(zhǔn)備進(jìn)口其首批極紫外（EUV）光刻機(jī)，作為唯一技術(shù)提供商的AS...

2024-07-24 標(biāo)簽：芯片 OPPO 英偉達(dá) 692 0

HBM格局生變！傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達(dá)，國內(nèi)廠商積極布局

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道，三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí)，美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HB...

2024-07-23 標(biāo)簽：英偉達(dá)HBM 三星 3898 0

三星電子HBM3E芯片驗(yàn)證仍在進(jìn)行，與英偉達(dá)展開聯(lián)合測試并取得階段性成果

據(jù)行業(yè)觀察者透露，三星HBM3E面臨的問題源于臺(tái)積電在驗(yàn)證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)，而這與三星自身的生產(chǎn)方式有所出入，從而影響了產(chǎn)品的認(rèn)證進(jìn)程。

2024-05-17 標(biāo)簽：SK海力士三星 HBM3 426 0

SK海力士發(fā)布2024財(cái)年第1季度財(cái)報(bào)，創(chuàng)歷史同期新高

本季度，SK海力士實(shí)現(xiàn)了歷史最高的收入水平，同時(shí)營業(yè)利潤也刷新了自 2018 年以來的同期次高紀(jì)錄。公司認(rèn)為這標(biāo)志著長期低迷后的全面復(fù)蘇。

2024-04-25 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM3 633 0

韓美半導(dǎo)體新款TC鍵合機(jī)助力HBM市場擴(kuò)張

TC鍵合機(jī)作為一種應(yīng)用熱壓技術(shù)將芯片與電路板連接的設(shè)備，近年來廣泛應(yīng)用于HBM3E和HBM3的垂直堆疊工藝中，提升了生產(chǎn)效率和精度。

2024-04-12 標(biāo)簽：電路板半導(dǎo)體行業(yè)HBM3 1193 0

今日看點(diǎn)丨三星研發(fā)出16層堆疊HBM3芯片樣品；Meta推出新款A(yù)I芯片

1. 法拉第未來被曝銷量造假，賈躍亭回應(yīng)：誹謗 ? 近日市場消息，法拉第未來（Faraday Future）被兩名前員工舉報(bào)稱，迄今為止的銷量數(shù)據(jù)存在造...

2024-04-11 標(biāo)簽：Meta AI芯片三星 755 0

HBM3E起飛，沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

HBM3自2022年1月誕生，便憑借其獨(dú)特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計(jì)算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性，更在技術(shù)上取得了...

2024-03-30 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 SK海力士 HBM3 2266 0

三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM

12層HBM3e將每個(gè)堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s，這比單個(gè)堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。

2024-03-29 標(biāo)簽：amd DRAM 服務(wù)器 582 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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