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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

一文帶你了解什么是SD NAND存儲(chǔ)芯片

前言：隨著國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)芯片的需求日益增加，國(guó)產(chǎn)中高端芯片在不斷的占領(lǐng)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)甚至在國(guó)際市場(chǎng)都有一部分，越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始研究自己的芯片，這個(gè)芯片的種類(lèi)繁...

2024-11-13 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)SD NAND 1105 0

一文看懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC幾種存儲(chǔ)器的區(qū)別

存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類(lèi)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見(jiàn)的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用： 1 NANDNAND Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種...

2024-11-11 標(biāo)簽：NAND DDR emmc 4875 0

eMMC主控的定義和主要功能

eMMC的全稱(chēng)為“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒體存儲(chǔ)卡。eMMC采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的接口，把高容量NAND Flash...

2024-11-09 標(biāo)簽：閃存控制器 NAND 778 0

3D-NAND浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析

傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴(kuò)展性已達(dá)到極限。為了解決這一問(wèn)題，3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，通過(guò)在垂直方向上堆疊存儲(chǔ)單元，大幅提升了存儲(chǔ)密度。本文將簡(jiǎn)...

2024-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 3D 879 0

瀚海微SD NAND之SD 協(xié)議（34）1.8V信號(hào)的時(shí)序

固定數(shù)據(jù)窗口插卡輸出時(shí)序如下圖所示，SDR12、SDR25、SDR50的輸出時(shí)序。

2024-10-08 標(biāo)簽：NAND 信號(hào)時(shí)鐘 459 0

瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述（27）C_SIZE

該參數(shù)用于計(jì)算用戶的數(shù)據(jù)卡容量(不包括安全保護(hù)區(qū)域)，數(shù)據(jù)卡的內(nèi)存容量從C_SIZE、C_SIZE MULT和READ_BL_LEN表項(xiàng)計(jì)算。

2024-09-21 標(biāo)簽：電源 NAND 內(nèi)存 408 0

心率監(jiān)測(cè)儀使用的存儲(chǔ)產(chǎn)品

心率監(jiān)測(cè)儀可能會(huì)使用多種存儲(chǔ)產(chǎn)品來(lái)記錄和保存心率數(shù)據(jù)，具體取決于設(shè)備的設(shè)計(jì)、應(yīng)用場(chǎng)景和技術(shù)要求。

2024-09-21 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)卡 SD卡 354 0

瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述（24）擦除超時(shí)計(jì)算

擦除單元速度類(lèi)規(guī)范定義了一個(gè)新的管理單元AU(分配單元)。擦除超時(shí)計(jì)算被定義為AU的基礎(chǔ)。SD存儲(chǔ)卡支持塊擦除，但擦除塊需要更多的時(shí)間，這是AU(部分擦...

2024-09-07 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)卡 SD 612 0

SD NAND SPI模式：如何實(shí)現(xiàn)低功耗運(yùn)行

最近，收到客戶反饋，使用我們SD NAND過(guò)程中，使用SPI模式，對(duì)SD完成操作后，SD沒(méi)有進(jìn)入低功耗模式，未對(duì)SD進(jìn)行任何操作的情況下測(cè)得的功耗仍在2...

2024-09-02 標(biāo)簽：mcu NAND SPI 556 0

SD NAND參考設(shè)計(jì)提示

一、電路設(shè)計(jì)1、參考電路：R1~R5(10K-100kΩ)是上拉電阻，當(dāng)SDNAND處于高阻抗模式時(shí)，保護(hù)CMD和DAT線免受總線浮動(dòng)。即使主機(jī)使用SD...

2024-08-30 標(biāo)簽：上拉電阻 NAND 電路設(shè)計(jì) 361 0

JK觸發(fā)器的原理和功能

JK觸發(fā)器，也被稱(chēng)為通用可編程觸發(fā)器，是數(shù)字電路中的一種重要且功能強(qiáng)大的基本存儲(chǔ)器件。其名稱(chēng)源自其兩個(gè)輸入端口J（置位）和K（復(fù)位），以及一個(gè)關(guān)鍵的控制...

2024-08-30 標(biāo)簽：NAND JK觸發(fā)器數(shù)字電路 5298 0

瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述(15)命令類(lèi)b

1)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)不得跨越物理塊邊界，除非在CSD中設(shè)置了WRITE BLK MISALIGN。如果不支持寫(xiě)部分塊，則塊長(zhǎng)度-默認(rèn)塊長(zhǎng)度(在CSD中給出)1...

2024-08-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)SDIO接口 758 0

NAND Flash與其他類(lèi)型存儲(chǔ)器的區(qū)別

NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器，具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對(duì)NAND Flash優(yōu)...

2024-08-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 SSD硬盤(pán) 863 0

恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動(dòng)時(shí)間

大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動(dòng)時(shí)間。

2024-08-08 標(biāo)簽：芯片 NAND 恩智浦 674 0

瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述（8）專(zhuān)用命令CMD55 56

應(yīng)用專(zhuān)用命令app_cmd (CMD55) 當(dāng)卡接收到這個(gè)命令時(shí)，會(huì)使卡將下面的命令解釋為一個(gè)特定于應(yīng)用程序的命令A(yù)CMD。ACMD提供命令擴(kuò)展，具有與...

2024-08-08 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)SD 1241 0

K210使用創(chuàng)世NAND flash完成火災(zāi)檢測(cè)

2024-08-10 標(biāo)簽：芯片 NAND FlaSh 637 0

NAND Flash的擦寫(xiě)次數(shù)介紹

NAND Flash作為非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的重要一員，其擦寫(xiě)次數(shù)是評(píng)估其性能和壽命的關(guān)鍵因素之一。以下將詳細(xì)介紹NAND Flash的擦寫(xiě)次數(shù)，包括其定義...

2024-07-29 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ)技術(shù) 3703 0

NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好

在討論NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好時(shí)，我們需要從多個(gè)維度進(jìn)行深入分析，包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場(chǎng)景、成本效益以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)等。

2024-07-29 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 NAND FlaSh 1757 0

NAND Flash與NOR Flash：壞塊管理需求的差異解析

NOR Flash和NAND Flash是兩種不同類(lèi)型的閃存技術(shù)，它們?cè)诖鎯?chǔ)單元的連接方式、耐用性、壞塊管理等方面存在差異。

2024-07-10 標(biāo)簽：mcu NAND FlaSh 2356 0

貼片式SD卡功能介紹【MK SD NAND】

SDNAND，通常稱(chēng)為嵌入式SD卡、貼片式TF卡、SD Flash、直接貼裝SD卡、貼裝卡、焊接式存儲(chǔ)卡、工業(yè)級(jí)TF卡、工業(yè)級(jí)SD卡或內(nèi)置SD卡，是為空...

2024-07-05 標(biāo)簽：mcu NAND SD卡 921 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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