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標(biāo)簽 > reram
ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說,關(guān)閉電源后存儲(chǔ)器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺(tái)配備ReRAM的PC將不需要載入時(shí)間。
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ReRAM 在嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域還是前景可觀的,但在存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存領(lǐng)域,這項(xiàng)技術(shù)將面臨很大的競爭。Applied 的 Ping 說:“它面臨著與已有解決方案的競...
富士通分享三大存儲(chǔ)技術(shù) 各具獨(dú)特堪稱黑馬技術(shù)
“FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)用于數(shù)據(jù)記錄;NRAM(碳納米管存儲(chǔ))用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲(chǔ)存, 還可替代NOR Flash;ReRAM(電阻式記憶體)可替代大容...
2018-05-04 標(biāo)簽:framreram非易失性存儲(chǔ)器 1.1萬 0
在存儲(chǔ)器的競爭格局中,除了FRAM,不得不提的另外兩個(gè)產(chǎn)品是ReRAM和NRAM。簡略地講,F(xiàn)RAM 用于數(shù)據(jù)記錄;ReRAM可替代大容量EEPROM;...
專注ReRAM新型存儲(chǔ)器,昕原半導(dǎo)體宣布完成近億美元Pre-A輪融資
新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)公司「昕原半導(dǎo)體」宣布完成近億美元的Pre-A輪融資,本輪融資由上海聯(lián)和投資領(lǐng)投,聯(lián)升投資、昆橋資本、聯(lián)新資本等基金跟投,主要用于存儲(chǔ)...
2021-04-06 標(biāo)簽:reram昕原半導(dǎo)體 7259 0
字節(jié)跳動(dòng)的進(jìn)與退:低調(diào)發(fā)起MR市場攻勢,TikTok國際市場受阻
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)通過擴(kuò)大投資版圖,尋找第二增長曲線是不少上市公司的策略。3月13日,天眼查顯示字條跳動(dòng)投資了昕原半導(dǎo)體,持股比例為9.5%...
2024-03-15 標(biāo)簽:虛擬現(xiàn)實(shí)MRreram 5860 0
MRAM PCM還是ReRAM 下一代存儲(chǔ)器非常值得關(guān)注
存儲(chǔ)器芯片開發(fā)的主要挑戰(zhàn)是面對日益增長的微處理器性能提高,如何保持同步提供高吞吐速度與較低功耗?面對挑戰(zhàn)存儲(chǔ)器制造商選擇改變計(jì)算架構(gòu)和移至更小的工藝節(jié)點(diǎn)...
ReRAM存算一體AI大算力芯片的獨(dú)特優(yōu)勢
近幾年,隨著傳統(tǒng)馮·諾依曼結(jié)構(gòu)的瓶頸逐漸顯現(xiàn),越來越多企業(yè)投身于存算一體芯片研發(fā)的浪潮中,試圖打破“存算墻”、“能耗墻”和“編譯墻”對AI應(yīng)用進(jìn)一步發(fā)展...
作為中國本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè),中芯國際(SMIC)的新聞及其取得的成績一直是行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。2017新年伊始,其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天,...
ReRAM存儲(chǔ)器助物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備降低能源消耗
未來如果該技術(shù)成為全球物聯(lián)網(wǎng)芯片主流內(nèi)存解決方案,將有助除去運(yùn)算與數(shù)據(jù)儲(chǔ)存之間的界線,有利于以數(shù)據(jù)為中心的運(yùn)算架構(gòu)發(fā)展。
2018-07-17 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器物聯(lián)網(wǎng)ReRAM 3955 0
ReRAM解決方案帶來了互連中的物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的偉大創(chuàng)新
ReRAM解決方案帶來了互連中的物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的偉大創(chuàng)新。能夠很容易地、大容量地與邏輯電路、模擬電路和RF組件集成于單個(gè)SoC中,并能夠在無須電池充電的條件...
2018-01-10 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)reram 3602 0
AI/HPC將加速新型存儲(chǔ)器更快進(jìn)入市場 臺(tái)積電積極推動(dòng)
隨著人工智能(AI)的深度學(xué)習(xí)及機(jī)器學(xué)習(xí)、高效能運(yùn)算(HPC)、物聯(lián)網(wǎng)裝置的普及,巨量資料組成密集且復(fù)雜,除了在處理器上提供運(yùn)算效能,也需要?jiǎng)?chuàng)新的存儲(chǔ)器...
富士通3大存儲(chǔ)技術(shù)將成黑馬,F(xiàn)RAM,NRAM、ReRAM可替代EEPROM
隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)的爆發(fā)讓存儲(chǔ)器市場也一場火爆,作為電子設(shè)備系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分,性能至關(guān)重要。市面上的存儲(chǔ)器參差不齊,該作何選擇?未來的存儲(chǔ)技術(shù)又該何去何從呢?
現(xiàn)在是出現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)的時(shí)候了
到目前為止,新興的非易失性存儲(chǔ)器(eNVM),如自旋轉(zhuǎn)矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM) 和相變存儲(chǔ)器(PCM),由于可擴(kuò)...
2019-04-28 標(biāo)簽:RAMReRAM非易失性存儲(chǔ)器 3151 0
國產(chǎn)存算一體超速前進(jìn) 存算一體架構(gòu)有機(jī)會(huì)解決很多AI面臨的問題
僅僅在五、六年前,人工智能還只存在于人們的想象。雷峰網(wǎng)雷峰網(wǎng) 短短幾年間AI快速擴(kuò)張,AI算力和運(yùn)算數(shù)據(jù)量每年都在以指數(shù)級(jí)增加,對算力的需求空前,但摩爾...
ReRAM技術(shù)將成嵌入式人工智能重要關(guān)鍵
Dialog半導(dǎo)體已將其導(dǎo)電橋接電阻RAM非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)授權(quán)給Globalfoundries,但生產(chǎn)計(jì)劃要等到2022年。 Globalf...
2020-11-17 標(biāo)簽:人工智能reram非易失性存儲(chǔ)器 2030 0
比NAND快千倍40nm ReRAM在中芯投產(chǎn) 2016年VR銷量630萬臺(tái)
物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,覆蓋領(lǐng)域繁多,2017年新年過后,機(jī)器人、VR、5G領(lǐng)域都有最新產(chǎn)品和頻譜劃分的演進(jìn)工作進(jìn)展,小編匯總最新的新聞,讓大家看到最新的趨勢。例如...
比NAND閃存速度快千倍的ReRAM由中芯國際量產(chǎn)
非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料,并透過電場轉(zhuǎn)換機(jī)制,開發(fā)出號(hào)稱比NAN...
ARM談新興NVM存儲(chǔ)技術(shù) 存儲(chǔ)市場將改變游戲規(guī)則
ARM正在關(guān)注這些前沿的存儲(chǔ)技術(shù),因?yàn)樗锌赡軐壿嬁臻g產(chǎn)生巨大的顛覆性,在硬件和軟件平臺(tái)層面也是如此。“有各種類型的電阻式RAM和磁性RAM出現(xiàn),TS...
2018-12-24 標(biāo)簽:armTSMC存儲(chǔ)技術(shù) 1757 0
富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品
上海, 2016-11-08——富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲(chǔ)器)(注1)產(chǎn)品MB8...
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