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SRAM(Static Random Access Memory),即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
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EMI502NF08VM-10C國產SRAM芯片PIN2PIN替換IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND
偉凌創芯國產SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位寬256K x 8高速靜態隨機存取SRAM芯片,使用(8)條公共輸入和輸出線,并具有一個...
M7-0如何訪問SRAM區域34A00000~353FFFFF?
M7-0如何訪問SRAM區域34A00000~353FFFFF? M7-0可以使用地址映射來訪問SRAM區域34A00000~353FFFFF。具體來說...
2023-06-01 標簽:sram 642 0
賽普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM,由256K字16位組成。通過斷言芯片使能(CE)和寫入使能(WE)輸入LOW來執行...
靜態隨機存取存儲器SRAM是隨機存取存儲器的一種。這種存儲器只要保持通電,里面儲存的數據就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。
為進一步鼓勵全市廣大職工和青少年開展群眾性科技創新活動,充分激發廣大職工和青少年的聰明才智,加快上海建設具有世界影響力的社會主義現代化國際大都市,上海市...
自三十多年前問世以來,現場可編程門陣列(FPGAs)已被廣泛用于實現來自不同領域的無數應用。由于其底層的硬件可重新配置性,與定制設計的芯片相比,FPGA...
在我們對 Intel Xeon 和 Xeon SP 服務器 CPU 系列的性能和價格/性能進行了我們自己的分析后一天,這兩個圖表突然出現,其中標準的主流...
當程序在S038的SRAM里運行,并且CPU主時鐘設置為200M時,其CoreMark能夠達到380分,已經達到或超過目前國際大廠Cortex-M4 M...
臺積電在今年早些時候正式推出其 N3 制造技術時表示,與其 N5(5 納米級)工藝相比,新節點的邏輯密度將提高 1.6 倍和 1.7 倍。它沒有透露的是...
有趣的是,對于新的 N3E 節點,高密度 SRAM 位單元尺寸達到 0.021 μm2,這與他們的 N5 節點的位單元大小完全相同,并沒有縮小。N3B ...
存儲器靜態隨機存取(SRAM)只要這種內存保持通電,內部存儲的數據就可以保持不變。當電力供應終止時,SRAM存儲的數據仍將消退,這與切斷電源后可以存儲資...
MRAM是電池儲備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產品。Everspin MRAM高速非易失性存儲器,使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他...
標準SPI、傳統并列式閃存和高性能HYPERFLASH解決方案 英飛凌收購了賽普拉斯,擴充了其在SRAM和閃存產品的陣容。羅徹斯特電子與英飛凌及賽普拉斯...
XL32F003Q32 QFN32封裝 大資源64K的flash和8K的SRAM
XL32F003系列微控制器采用高性能的32位ARM*Cortex*-M0+內核,寬電壓工作范圍的MCU。嵌入高達64 Kbytes flash和8 K...
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