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1.臺(tái)積電：不排除在日本生產(chǎn)先進(jìn)芯片 2nm研發(fā)順利
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據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電于6月30日在日本橫濱召開(kāi)記者會(huì)。臺(tái)積電副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示，不排除未來(lái)在日本生產(chǎn)先進(jìn)芯片的可能性。在記者會(huì)上，臺(tái)積電表示日本工廠將以日本客戶為中心，預(yù)計(jì)將有持續(xù)且旺盛的需求。據(jù)此前消息，該工廠規(guī)劃生產(chǎn)22/28nm以及12/16nm芯片，月產(chǎn)能目標(biāo)為5.5萬(wàn)片晶圓。臺(tái)積電在發(fā)布會(huì)上強(qiáng)調(diào)，2nm制程工藝（N2）研發(fā)順利，能夠按照此前目標(biāo)于2025年量產(chǎn)。此外，張曉強(qiáng)還表示，256Mb SRAM的良率已經(jīng)超過(guò)50%，研發(fā)目標(biāo)80%以上已完成。
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2. 電科裝備實(shí)現(xiàn)離子注入裝備28納米工藝制程全覆蓋
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據(jù)報(bào)道，中電科電子裝備集團(tuán)有限公司實(shí)現(xiàn)離子注入裝備28納米工藝制程全覆蓋。報(bào)道指出，離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備，28納米則是當(dāng)前芯片應(yīng)用領(lǐng)域中覆蓋面最廣的成熟制程。電科裝備連續(xù)突破光路、控制、軟件等關(guān)鍵模塊的核心技術(shù)，形成中束流、大束流、高能及第三代半導(dǎo)體等全系列離子注入機(jī)產(chǎn)品格局，實(shí)現(xiàn)28納米工藝制程全覆蓋。
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3. 三星-LX“半導(dǎo)體聯(lián)盟”合作開(kāi)發(fā)下一代芯片
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LX Semicon 是一家曾經(jīng)隸屬于 LG 集團(tuán)的綜合性企業(yè) LX Group 旗下的無(wú)晶圓公司，目前正在考慮將下一代顯示驅(qū)動(dòng)器集成電路 (DDIs) 的生產(chǎn)委托給三星電子代工。三星與 LX 的合作預(yù)計(jì)將對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)產(chǎn)生積極影響，并實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈多樣化。據(jù)業(yè)內(nèi)人士 7 月 2 日消息，LX Semicon 已選擇三星電子為其代工合作伙伴，共同開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)下一代芯片。
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4. 比亞迪：2023 上半年銷量合計(jì) 125.5637 萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng) 94.25%
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比亞迪發(fā)布 2023 年 6 月產(chǎn)銷快報(bào)，6 月銷量合計(jì) 25.3046 萬(wàn)輛。上半年銷量合計(jì) 125.5637 萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng) 94.25%。新能源汽車 6 月合計(jì)銷量 25.3046 萬(wàn)輛，本年累計(jì)銷量 125.5637 萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng) 95.78%。比亞迪 6 月海外銷售新能源乘用車合計(jì) 10536 輛；公司 2023 年 6 月新能源汽車動(dòng)力電池及儲(chǔ)能電池裝機(jī)總量約為 11.816GWh，2023 年累計(jì)裝機(jī)總量約為 60.250GWh。
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5. 消息稱蘋果 AirPods Pro 充電盒將換用 USB-C 接口，測(cè)聽(tīng)力功能開(kāi)發(fā)中
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據(jù)彭博社Mark Gurman在他的最新一期 Power On 時(shí)事通訊中報(bào)道，蘋果正準(zhǔn)備推出適用于 AirPods Pro 的 USB-C 充電盒，大概會(huì)在今年秋天與 iPhone 15 系列一起推出，后者也將從 Lightning 端口切換到 USB-C 端口。Gurman 還透露，除了蘋果在 WWDC 上公布的一些 iOS 17 中的 AirPods 功能之外，蘋果公司還在測(cè)試一項(xiàng)新的聽(tīng)力測(cè)試功能，該功能將會(huì)在用戶的耳朵里播放不同的音調(diào)和聲音，根據(jù)用戶的反應(yīng)，能夠檢測(cè)出可能存在的聽(tīng)力問(wèn)題。
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6. 英偉達(dá)、博通、AMD 陸續(xù)追加臺(tái)積電訂單，整體下單規(guī)模較 2023 年至少增加 20%
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據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)、博通、AMD 都在臺(tái)積電投片，再加上蘋果 iPhone 和 Mac 的 3nm 芯片需求，臺(tái)積電下半年?duì)I收應(yīng)會(huì)有顯著回升。由于 AI 領(lǐng)域需求增長(zhǎng)，三家公司 Q2 以來(lái)不僅逐季陸續(xù)上調(diào)臺(tái)積電 5/7nm 訂單，同時(shí)也在爭(zhēng)搶臺(tái)積電 CoWoS 產(chǎn)能，強(qiáng)勁追單動(dòng)能更已延續(xù)至 2024 年，整體下單規(guī)模較 2023 年至少再增 2 成以上。
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今日看點(diǎn)丨臺(tái)積電：不排除在日本生產(chǎn)先進(jìn)芯片 2nm研發(fā)順利；電科裝備實(shí)現(xiàn)離子注入裝備28納米工藝制程全覆
- 臺(tái)積電(164642)
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2718半導(dǎo)體離子注入工藝講解
阱區(qū)注入的工藝說(shuō)明如下圖所示，是高能量離子注入過(guò)程，因?yàn)樗枰纬哨鍏^(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi)，而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。
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了臺(tái)積電N2（2nm）項(xiàng)目的重要進(jìn)展，因?yàn)樵摴緩奈垂歼^(guò)2nm晶圓廠的確切時(shí)間表。 ? 據(jù)報(bào)道稱，雖然只是象征意義，但設(shè)備的搬入是晶圓廠建設(shè)的一個(gè)重要里程碑，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">裝備一個(gè)晶圓廠通常需要一年的時(shí)間。對(duì)于臺(tái)積電的N2工藝而言，其需要多臺(tái)ASML的Twinscan NXE極紫外（E
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56410nm、7nm等制程到底是指什么？宏旺半導(dǎo)體和你聊聊
的性能，現(xiàn)在的電子產(chǎn)品對(duì)于續(xù)航有著較為苛刻的要求，而制程工藝的進(jìn)步是驅(qū)動(dòng)芯片升級(jí)的重要?jiǎng)恿ΑＲ苍S在7nm之后，還會(huì)有3nm甚至更加先進(jìn)的制程工藝出現(xiàn)，進(jìn)一步提高產(chǎn)品的使用性能。今天科普文先到這里，歡迎
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2020年半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)前瞻
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臺(tái)積電5nm架構(gòu)設(shè)計(jì)試產(chǎn)
臺(tái)積電宣布5nm基本完工開(kāi)始試產(chǎn)：面積縮小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
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離子注入技術(shù)有什么特點(diǎn)？
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退出7納米研發(fā)，令業(yè)界十分震驚。自GF 退出戰(zhàn)局后，全球7納米大戰(zhàn)的芯片大廠僅剩英特爾、臺(tái)積電和三星這三家，高端芯片戰(zhàn)場(chǎng)上呈現(xiàn)三國(guó)鼎立之勢(shì)。全球第二大芯片廠 GF何故離場(chǎng)？GF是全球第二大芯片代工廠
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MLCC龍頭漲價(jià)；車廠砍單芯片；臺(tái)積電28nm設(shè)備訂單全部取消！
需求變化，臺(tái)積電28nm設(shè)備訂單全部取消！
對(duì)于這一消息，臺(tái)積電方面表示，相關(guān)制程技術(shù)與時(shí)間表依客戶需求及市場(chǎng)動(dòng)向而定，目前正處法說(shuō)會(huì)前緘默期，不便多做評(píng)論，將于法說(shuō)會(huì)說(shuō)明。
目前28nm工藝代工市場(chǎng)
2023-05-10 10:54:09
[轉(zhuǎn)]臺(tái)積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾蘋果
1座支持20納米12英寸廠南科Fab14第5期已全產(chǎn)能投片，第2座12英寸廠Fab14第6期將在7月正式進(jìn)入量產(chǎn)，將成為臺(tái)積電第3季營(yíng)收挑戰(zhàn)2,000億元新高的重要?jiǎng)幽堋?臺(tái)積電原本計(jì)劃在今年底轉(zhuǎn)進(jìn)
2014-05-07 15:30:16
【AD新聞】百萬(wàn)片訂單大洗牌！臺(tái)積電或成高通新一代PMIC芯片最大供應(yīng)商
納米制程AP訂單，加上電源管理芯片進(jìn)入新一代規(guī)格后，臺(tái)積電將成為高通的主力供應(yīng)商，未來(lái)高通與臺(tái)積電在各大產(chǎn)品線可望全面強(qiáng)化合作。 近來(lái)8吋晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)大爆滿，包括電源管理芯片、指紋辨識(shí)芯片等需求
2017-09-22 11:11:12
【AD新聞】競(jìng)爭(zhēng)激烈!臺(tái)積電中芯搶高通芯片訂單
了高通的訂單。之后，中芯國(guó)際憑借極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格從Globalfoundries手中奪走了訂單，成為高通電源管理芯片的主要合作伙伴。我們知道，在高通的幫助下，中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)了28nm工藝量產(chǎn)，而且還加快14nm硅片的量產(chǎn)。由于產(chǎn)能、價(jià)格及新芯片技術(shù)的原因，此次高通將電源管理芯片交給了臺(tái)積電生產(chǎn)。
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從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程 精選資料分享
的寬度，也被稱為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
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全球進(jìn)入5nm時(shí)代
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半導(dǎo)體制造企業(yè)未來(lái)分析
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日進(jìn)3.3億，年狂掙千億的臺(tái)積電，為何還漲價(jià)？
（26.1%）的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率。但轉(zhuǎn)念一想，臺(tái)積電通過(guò)漲價(jià)來(lái)推進(jìn)新芯片廠的順利建設(shè)，長(zhǎng)期來(lái)看，可幫助我們避免另一場(chǎng)芯片危機(jī)，這也許是值得的。其次，受疫情影響，半導(dǎo)體上游材料生產(chǎn)及供應(yīng)受到影響，導(dǎo)致晶圓代工所需
2021-09-02 09:44:44
聚焦離子束應(yīng)用介紹
減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時(shí)間和周期。2.Cross-Section 截面分析用FIB在IC芯片特定位置作截面斷層,以便觀測(cè)材料的截面結(jié)構(gòu)與材質(zhì),定點(diǎn)分析芯片結(jié)構(gòu)缺陷。3.Probing
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蘋果芯片供應(yīng)商名單曝光后 三星哭了！
工藝的研發(fā)和產(chǎn)品線開(kāi)發(fā)資金。此外，為了避免去年在A9芯片上和三星斗得“兩敗俱傷”，今年臺(tái)積電在供應(yīng)鏈上也做好了充足的準(zhǔn)備。唯一美中不足的是，臺(tái)積電前段時(shí)間的全球首款10nm工藝芯片，還沒(méi)有辦法量產(chǎn)
2016-07-21 17:07:54
論工藝制程，Intel VS臺(tái)積電誰(shuí)會(huì)贏？
1662.53億元人民幣），同比增長(zhǎng)10.6%，稅后凈利3065.74億元新臺(tái)幣（約為604.26億元人民幣），同比增長(zhǎng)16.2%，成績(jī)可喜。對(duì)于先進(jìn)制程，臺(tái)積電透露，7nm、10nm研發(fā)順利進(jìn)行，今年Q1
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鉺離子注入碳化硅后的射程分布和射程離散
離散和橫向離散對(duì)器件性能的影響,應(yīng)用盧瑟福背散射技術(shù)研究將劑量為5×1015cm-2的400 keV能量的Er+離子注入6H-SiC晶體的平均投影射程、射程離散和深度分布。用SRIM2006模擬軟件
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M5525100－1/UM型大角度離子注入機(jī):M5525100－1/UM 型大角度離子注入機(jī)可滿足100 納米，8 英寸集成電路制造工藝的要求，適合源漏區(qū)的大角度暈、袋、柵閾值調(diào)整、阱等注入，可獲得良好
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芯片界的卷王,老大哥臺(tái)積電搶先進(jìn)軍2納米工藝#科技#芯片?? #硬聲創(chuàng)作季
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電科裝備自主研發(fā)的00mmCMP設(shè)備使中國(guó)芯片高端裝備再添利器
半導(dǎo)體行業(yè)觀察：日前，中電科電子裝備集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱電科裝備）傳來(lái)好消息，自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首臺(tái)中束流離子注入機(jī)在中芯國(guó)際大生產(chǎn)線上穩(wěn)定流片逾200萬(wàn)
2017-12-19 18:06:396669
6669臺(tái)積電2nm工藝制程研發(fā)啟動(dòng)，預(yù)計(jì)2024年可實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)
，6nm、5nm、4nm、3nm 等都已勢(shì)如破竹準(zhǔn)備量產(chǎn)，而其對(duì)手臺(tái)積電在較早前就宣布3nm制程發(fā)展相當(dāng)順利，后續(xù)的2nm工藝研發(fā)也開(kāi)始啟動(dòng)，預(yù)計(jì) 2024年就能夠投產(chǎn)。
2019-08-26 12:29:002622
2622國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)已發(fā)往大產(chǎn)線，集成電路裝備再破零
近日，從電科裝備旗下?tīng)q科中科信公司傳來(lái)喜訊，公司研發(fā)的12英寸中束流離子注入機(jī)順利發(fā)往某集成電路大產(chǎn)線，這臺(tái)由客戶直接采購(gòu)的設(shè)備如期交付，標(biāo)志著公司國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)市場(chǎng)化進(jìn)程再上新臺(tái)階。
2020-06-23 10:20:284019
4019臺(tái)積電2nm工藝的研發(fā)已取得重大進(jìn)展，爭(zhēng)取目標(biāo)良品率達(dá)90%
9月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，今年一季度順利量產(chǎn)5nm工藝的臺(tái)積電，正在研發(fā)更先進(jìn)的3nm和2nm芯片制程工藝，3nm工藝是計(jì)劃在明年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。
2020-09-25 14:17:101728
1728臺(tái)積電對(duì)2nm工藝2024年大規(guī)模投產(chǎn)非常樂(lè)觀
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在 5nm 工藝大規(guī)模投產(chǎn)之后，芯片代工商臺(tái)積電制程工藝的研發(fā)重點(diǎn)就將轉(zhuǎn)向了更先進(jìn)的 3nm 和 2nm 工藝，3nm 工藝是計(jì)劃在 2021 年開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022 年下
2020-11-17 17:34:021415
1415臺(tái)積電、三星在2022年將制程工藝推到2nm
臺(tái)積電、三星在2022年就有可能將制程工藝推到2nm，AMD、蘋果、高通、NVIDIA等公司也會(huì)跟著受益，現(xiàn)在自己生產(chǎn)芯片的就剩下Intel了，然而它們的7nm工藝已經(jīng)延期到至少2021年了。
2020-11-18 09:52:511857
1857離子注入工藝的設(shè)計(jì)與計(jì)算簡(jiǎn)介
介紹工藝之前，我們先聊一下昨天一個(gè)朋友提到的日本日新的離子注入設(shè)備。日本日新是全球3大離子注入設(shè)備商之一。 1973年的時(shí)候，該公司就開(kāi)始做離子注入的工藝設(shè)備。 目前的主要業(yè)務(wù)設(shè)備如上表。詳細(xì)的可以
2020-11-20 10:03:276458
6458離子注入工藝仿真
附近產(chǎn)生很多缺陷。如下圖， 但是離子注入之后也是需要二次退火的，退火的目的一是去除缺陷，二是讓摻雜的原子能夠進(jìn)入到晶格里面去，讓其處于激活狀態(tài)。感興趣的可以查閱半導(dǎo)體書本學(xué)習(xí)，推薦一本卡哇伊的半導(dǎo)體書，日本人
2020-11-20 10:10:305208
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美日聯(lián)手對(duì)抗臺(tái)積電，欲攻克2nm工藝技術(shù)
據(jù)日經(jīng)新聞近日?qǐng)?bào)道稱，美國(guó)與日本就2nm工藝研發(fā)一事展開(kāi)了技術(shù)合作，將有美日雙方數(shù)家高科技公司參與該協(xié)議。 目前的芯片代工領(lǐng)域，中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電毫無(wú)疑問(wèn)坐在了龍頭的位置，全球63%芯片代工的市場(chǎng)份額
2022-05-07 15:37:511021
1021美日聯(lián)手研發(fā)半導(dǎo)體，計(jì)劃2025年生產(chǎn)2nm制程技術(shù)
為了減小對(duì)臺(tái)積電的依賴，美日雙方開(kāi)始聯(lián)手研發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)，近日據(jù)報(bào)道稱，日本計(jì)劃最早在2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體制造基地，并與美國(guó)聯(lián)手生產(chǎn)2nm制程技術(shù)。 目前全球半導(dǎo)體加工領(lǐng)域最先進(jìn)的企業(yè)是中國(guó)臺(tái)灣
2022-06-16 14:43:131445
14452nm芯片是什么概念
我們說(shuō)的2nm和3nm，是從芯片的制造工藝方面來(lái)定義的。先進(jìn)的5納米工藝芯片，每個(gè)晶體管只有20個(gè)硅原子的大小，一塊芯片上，有100億到200億個(gè)的這種晶體管，一個(gè)頭發(fā)絲的截面，就有100多萬(wàn)個(gè)原件！
2022-06-22 09:19:1924548
24548全球首顆2nm芯片問(wèn)世時(shí)間 2nm芯片是多大
納米是計(jì)量單位，且1mm=1000000nm。芯片中的納米主要指的是生產(chǎn)芯片的工藝制程。
2022-06-22 11:00:364497
4497中國(guó)造2nm芯片嗎？前景如何？
在全球芯片先進(jìn)制程追逐戰(zhàn)中，IBM亮處了其生產(chǎn)的全球首款2nm芯片，臺(tái)積電和三星表示將在2024年左右完成2nm制程的量產(chǎn)，中科院也表示已經(jīng)攻克了新的晶體管技術(shù)并且下一代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料相關(guān)技術(shù)和資源
2022-06-22 14:42:1525471
25471中國(guó)臺(tái)積電研發(fā)2nm芯片
據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電正在研發(fā)先進(jìn)的2nm制程工藝，在北美技術(shù)論壇上，臺(tái)積電也是首次宣布，它們的目標(biāo)是在2025年實(shí)現(xiàn)2nm芯片量產(chǎn)。
2022-06-22 16:39:011596
15962nm芯片什么時(shí)候量產(chǎn)
臺(tái)積電3nm制工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)，而臺(tái)積電首次采用納米片晶體管架構(gòu)的2nm制程工藝，將于2025年量產(chǎn)，了解到，2nm工藝將比其前身提供純性能提升。
2022-06-22 17:11:591116
11162nm芯片是哪個(gè)國(guó)家研制的 2nm芯片什么時(shí)候量產(chǎn)
據(jù)相關(guān)消息報(bào)道，現(xiàn)階段臺(tái)積電正在研發(fā)更先進(jìn)的2nm制程工藝，采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，計(jì)劃將會(huì)在 2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2022-06-23 09:15:58908
9082nm芯片問(wèn)世了嗎 2nm芯片優(yōu)勢(shì)是什么
目前市面上的先進(jìn)制程主要由臺(tái)積電和三星兩家廠商代工，最先進(jìn)的制程為4nm，2022年下半年將會(huì)完成3nm制程的量產(chǎn)，不過(guò)有人提問(wèn)：2nm芯片問(wèn)世了嗎？2nm芯片優(yōu)勢(shì)是什么？ 提出這個(gè)問(wèn)題的人一定
2022-06-23 09:51:421403
14032nm芯片是極限嗎
會(huì)問(wèn)了：2nm芯片是極限嗎？ 之前臺(tái)積電公布了先進(jìn)制程發(fā)展規(guī)劃圖，從圖中我們可得知，在步入3nm制程后，臺(tái)積電將繼續(xù)在3nm上研發(fā)多代制程，直到2025年才能研發(fā)出2nm制程，而去年IBM就已經(jīng)研制出2nm芯片了，從去年到2025年如此長(zhǎng)的時(shí)間里人類都在2nm及2nm之前的
2022-06-23 10:12:374233
42332nm芯片與7nm芯片的差距有多大？
去年傳出了中科院、IBM研發(fā)2nm芯片及技術(shù)的消息，而今年臺(tái)積電和三星又相繼宣布將在2025年實(shí)現(xiàn)2nm制程芯片的量產(chǎn)，并且美國(guó)和日本也開(kāi)始聯(lián)手攻克2nm芯片相關(guān)技術(shù)，從這些消息能看出2nm芯片
2022-06-24 10:31:303662
3662中科院研發(fā)2nm芯片 中科院攻克2nm芯片關(guān)鍵技術(shù)
現(xiàn)階段全球芯片行業(yè)都聚焦在了2nm工藝制程上，臺(tái)積電、IBM等芯片巨頭也都相繼宣布了2nm制程技術(shù)的相關(guān)消息。
2022-06-27 16:55:3811544
115442nm芯片是什么意思 2nm芯片什么用
芯片中的納米指的是生產(chǎn)芯片的工藝制程，納米(符號(hào)為nm)如同厘米、分米和米一樣，是長(zhǎng)度單位，2nm、3nm、7nm是指處理器的蝕刻尺寸。
2022-06-27 17:42:4912062
12062臺(tái)積電2nm芯片最新消息
臺(tái)積電即將推出下一代先進(jìn)工藝制程2nm芯片，臺(tái)積電2nm芯片棄用FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，將于2025年開(kāi)始量產(chǎn)。
2022-06-27 18:03:471295
1295中國(guó)芯片突破2nm 國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望破冰
近日，臺(tái)積電正式宣布稱2nm工藝芯片技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)了重大突破，并且計(jì)劃在2025年進(jìn)階應(yīng)用2nm工藝，國(guó)產(chǎn)2nm芯片在不久之后或迎來(lái)破冰，目前臺(tái)積電和三星已經(jīng)著手3nm制程的量產(chǎn)了。
2022-06-29 09:20:3025069
25069全球首款2nm芯片問(wèn)世 2nm芯片帶來(lái)的突破
在2021年5月份，IBM發(fā)布全球首個(gè)2nm制程芯片制造技術(shù)，全球首顆2nm芯片正式問(wèn)世。近期，臺(tái)積電正式宣布用于生產(chǎn)納米片晶體管架構(gòu)的2nm芯片，預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)，三星電子也已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)3nm芯片，2nm將于2025年量產(chǎn)。
2022-06-29 09:38:042826
2826臺(tái)積電2nm芯片什么時(shí)候研發(fā)出來(lái)的
臺(tái)積電2nm芯片什么時(shí)候研發(fā)出來(lái)的？去年五月份，美國(guó)企業(yè)IBM推出了全球首個(gè)2nm芯片制造技術(shù)，2nm芯片在市場(chǎng)掀起風(fēng)起云涌。早在去年下半年，臺(tái)積電就實(shí)現(xiàn)了5nm芯片的量產(chǎn)，而它的下一個(gè)目標(biāo)就是3nm和2nm制程。
2022-06-29 09:54:491082
1082IBM 2nm制程芯片采用的是什么技術(shù)
IBM的2nm制程芯片采用的是什么技術(shù)？IBM 2nm制程芯片采用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，晶體管密度可達(dá)5nm兩倍，每平方毫米容納3.3億個(gè)晶體管，2nm芯片將計(jì)算速度要提高45%，能源效率更是提高75%，電池續(xù)航時(shí)間提升至之前的4倍。
2022-06-29 17:43:08885
885國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功嗎？
2nm是目前芯片行業(yè)最先進(jìn)的制程，雖然還沒(méi)有一家企業(yè)能夠量產(chǎn)2nm芯片，但已經(jīng)有不少企業(yè)開(kāi)始了2nm工藝的相關(guān)研發(fā)。 臺(tái)積電和三星都已計(jì)劃好在2025年左右實(shí)現(xiàn)2nm制程工藝的量產(chǎn)，而美國(guó)和日本
2022-06-30 10:01:392424
2424三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎
三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎 全球第一款正式量產(chǎn)的3nm芯片即將出自三星半導(dǎo)體了，根據(jù)三星半導(dǎo)體官方的宣布，4D（GAA）架構(gòu)制程技術(shù)芯片正式開(kāi)始生產(chǎn)。 4D（GAA）架構(gòu)制程是3D
2022-06-30 20:21:521441
1441臺(tái)積電2nm芯片最新信息 臺(tái)積電計(jì)劃2025年投產(chǎn)2nm芯片
近日，臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上首次宣布，將推出下一代先進(jìn)工藝制程2nm芯片，將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，2nm工藝全球即將首發(fā)，臺(tái)積電公開(kāi)承諾到2025年生產(chǎn)先進(jìn)的2nm芯片。
2022-07-01 09:36:581661
1661臺(tái)積電2nm工藝最新消息 臺(tái)積電2nm芯片什么時(shí)候上市
臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上宣布推出了先進(jìn)工藝制程2nm，采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，預(yù)計(jì)在2025年的時(shí)候實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)計(jì)劃。
2022-07-01 09:41:171071
1071臺(tái)積電2nm芯片預(yù)計(jì)將于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上公開(kāi)了未來(lái)先進(jìn)制程的信息，其3nm芯片將于2022年內(nèi)量產(chǎn)，而首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的2nm制程工藝芯片，預(yù)計(jì)將于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2022-07-01 18:31:091391
13912nm芯片的晶體管有多大
現(xiàn)在的芯片技術(shù)越來(lái)越先進(jìn)，人們常常能夠聽(tīng)到某某公司又研發(fā)出5nm、4nm芯片的消息，而目前全球所研發(fā)出的最先進(jìn)的芯片是IBM公司的2nm芯片，我們都知道芯片內(nèi)部有很多晶體管，那么2nm芯片的晶體管
2022-07-04 09:15:363936
3936什么叫2nm芯片
什么叫2nm芯片 芯片這種東西大家都知道，無(wú)非是電子設(shè)備中的關(guān)鍵元器件，在之前IBM公司發(fā)布了轟動(dòng)全球的2nm芯片，那么大家知道什么叫2nm芯片嗎？ 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來(lái)
2022-07-04 10:08:3512809
12809臺(tái)積電2nm和3nm制程工藝
臺(tái)積電首度推出采用GAAFET技術(shù)的2nm制程工藝，將于2025年量產(chǎn)，其采用FinFlex技術(shù)的3nm制程工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)。
2022-07-04 18:13:312636
26362nm芯片一片多少錢
去年五月份，IBM公司領(lǐng)先全球制造出了首顆2nm制程工藝芯片，直到前幾天三星才開(kāi)始首次量產(chǎn)3nm芯片，而IBM在去年就已經(jīng)研制出了2nm芯片，如此先進(jìn)的技術(shù)自然就會(huì)有人疑惑2nm芯片一片
2022-07-05 09:16:132455
24552nm芯片與7nm芯片的差距 2nm芯片有多牛
1、IBM的2nm芯片，所有關(guān)鍵功能都是使用EUV光刻機(jī)進(jìn)行刻蝕。而7nm芯片只有在芯片生產(chǎn)的中間和后端環(huán)節(jié)使用EUV光刻機(jī)，意味著2nm工藝對(duì)EUV光刻機(jī)擁有更高的依賴性。
2022-07-05 17:26:497172
7172歐洲沖刺2nm芯片研發(fā)，建設(shè)2nm工廠
還不能進(jìn)行量產(chǎn)，但這也表現(xiàn)出了IBM技術(shù)的先進(jìn)。 據(jù)了解，美國(guó)和日本將聯(lián)手攻克先進(jìn)制程領(lǐng)域，將于2025年量產(chǎn)2nm芯片，全球芯片巨頭三星和臺(tái)積電同樣計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn)，除了這些半導(dǎo)體巨頭外，還有另一方勢(shì)力也在沖刺著2mn芯片的研發(fā)。
2022-07-06 15:42:051115
11152nm芯片有望成功嗎 2nm芯片最新進(jìn)展
2021年5月，IBM接連在多個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，率先推出測(cè)試芯片。中科院在2納米芯片工藝的承載材料上獲得了最新突破，臺(tái)積電也預(yù)計(jì)將在2024年年底和2025年進(jìn)行2nm制程的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2nm制程研究均已正式進(jìn)入開(kāi)發(fā)階段。
2022-07-07 09:44:373853
38532nm芯片是真的嗎 2nm芯片研究成功意味著什么
芯片制程一直是大家所關(guān)注的一個(gè)點(diǎn)，眾所周知芯片制程越先進(jìn)也就代表著芯片性能越強(qiáng)大，芯片其它各項(xiàng)參數(shù)也會(huì)更加優(yōu)秀。 2nm芯片是真的嗎 2022年6月30日，三星宣布正式實(shí)現(xiàn)了3nm芯片的量產(chǎn)，領(lǐng)先
2022-07-07 10:17:583921
3921離子注入與傳統(tǒng)熱擴(kuò)散工藝區(qū)別
與通過(guò)傳統(tǒng)熱擴(kuò)散工藝進(jìn)行摻雜的方式相比，離子注入摻雜具有如下優(yōu)點(diǎn)。
2022-10-31 09:06:015611
5611日本半導(dǎo)體復(fù)興 最快2025年搞定2nm工藝
在全球先進(jìn)半導(dǎo)體工藝中，臺(tái)積電、三星都有2nm工藝計(jì)劃，美國(guó)也能靠Intel實(shí)現(xiàn)2nm及以下的工藝，日本作為曾經(jīng)的半導(dǎo)體第一已經(jīng)沒(méi)有了先進(jìn)工藝生產(chǎn)能力，這也是他們要努力補(bǔ)上的，現(xiàn)在要聯(lián)手美國(guó)實(shí)現(xiàn)
2022-11-08 11:19:10711
71145nm工藝直躍2nm工藝，日本芯片工藝憑什么？
搞定2nm工藝需要至少3方面的突破，一個(gè)是技術(shù)，一個(gè)是資金，一個(gè)是市場(chǎng)，在技術(shù)上日本是指望跟美國(guó)的IBM公司合作，后者前兩年就演示過(guò)2nm工藝，但I(xiàn)BM的2nm工藝還停留在實(shí)驗(yàn)室級(jí)別，距離量產(chǎn)要很遠(yuǎn)。
2023-04-14 10:24:55507
507離子注入工藝的損傷與熱退火
高電流的硅或錯(cuò)離子注入將嚴(yán)重破壞單晶體的晶格結(jié)構(gòu)，并在晶圓表面附近產(chǎn)生非晶態(tài)層。
2023-05-19 09:22:131960
1960
電科裝備實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋
離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過(guò)程中，需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中，離子注入機(jī)就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
2023-06-30 16:41:19412
412中國(guó)電科實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝全覆蓋！【附41份報(bào)告】
來(lái)源：芯智訊，謝謝 編輯：感知芯視界 6月29日，據(jù)中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中國(guó)電科”）官方消息，該集團(tuán)旗下中電科電子裝備集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“電科裝備”）已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米
2023-07-03 09:16:46651
651中國(guó)電科宣布已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋
離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過(guò)程中，需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中，離子注入機(jī)就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
2023-07-03 15:05:55593
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半導(dǎo)體離子注入工藝評(píng)估
摻雜物的種類、結(jié)深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過(guò)離子注入機(jī)的質(zhì)譜儀決定，摻雜物濃度由離子束電流與注入時(shí)間的乘積決定。四點(diǎn)探針是離子注入監(jiān)測(cè)中最常使用的測(cè)量工具，可以測(cè)量
2023-07-07 09:51:172240
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離子注入技術(shù)在晶硅太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
在晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)過(guò)程中，離子注入是一項(xiàng)非常重要的工藝，它可以大幅度提高光電轉(zhuǎn)換率，實(shí)現(xiàn)在應(yīng)用中的精益有效。「美能光伏」作為一家具有眾多檢測(cè)電池和組件性能設(shè)備的光伏企業(yè)，擁有的美能傅里葉紅外光
2023-08-29 08:35:56376
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2nm芯片是什么意思 2nm芯片什么時(shí)候量產(chǎn)
2nm芯片是什么意思 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來(lái)的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 更小的節(jié)點(diǎn)尺寸
2023-10-19 16:59:161958
19582nm芯片什么時(shí)候出 2nm芯片手機(jī)有哪些
N2，也就是2nm，將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 2nm芯片是指采用了2nm制程工藝所制造出來(lái)的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 2nm芯片手機(jī)
2023-10-19 17:06:18800
800離子注入仿真用什么模型
離子注入是一種重要的半導(dǎo)體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學(xué)性質(zhì)。離子注入仿真是對(duì)離子的注入過(guò)程進(jìn)行建模和模擬，以幫助優(yōu)化工藝參數(shù)并預(yù)測(cè)材料性能的變化。以下將詳細(xì)介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19257
257臺(tái)積電第一家日本工廠即將開(kāi)張：預(yù)生產(chǎn)28nm工藝芯片
這座晶圓廠于2022年4月開(kāi)始新建，大樓主結(jié)構(gòu)已完工，且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片，這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn)，但注意它不是22nm，而是28nm的一個(gè)變種，專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433
433臺(tái)積電2nm制程穩(wěn)步推進(jìn)，2025年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
得益于2nm制程項(xiàng)目的順利推進(jìn)，寶山、高雄新晶圓廠的建造工程正有序進(jìn)行。臺(tái)中科學(xué)園區(qū)已初步確定了A14與A10生產(chǎn)線的布局，具體是否增設(shè)2nm制程工藝將根據(jù)市場(chǎng)需求再定。
2024-01-16 09:40:51217
217臺(tái)積電2nm制程進(jìn)展順利
臺(tái)中科學(xué)園區(qū)已初步規(guī)劃A14和A10生產(chǎn)線，將視市場(chǎng)需求決定是否新增2nm制程工藝。
2024-01-31 14:09:34241
241臺(tái)積電沖刺2nm量產(chǎn)，2nm先進(jìn)制程決戰(zhàn)2025
人員接手試產(chǎn)及量產(chǎn)作業(yè)的種子團(tuán)隊(duì)，推動(dòng)新竹寶山和高雄廠于 2024年同步南北試產(chǎn)、2025年量產(chǎn)。 ? 從1971的10000nm制程到5nm，從5nm向3nm、2nm發(fā)展和演進(jìn)，芯片制造領(lǐng)域制程工藝的角逐從來(lái)未曾停歇，到現(xiàn)在2nm芯片大戰(zhàn)已經(jīng)全面打響。 ? 先進(jìn)制程工藝演
2023-08-20 08:32:072090
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論