XFRMR T3/DS3/E3/STS-1 1:1 45UH
2024-03-14 22:19:27
如下。
按動按鈕“TEST”啟動電路，T3的基極通過R7，Test，T2的b-e接地，從而使得T3導通。此時+9V通過T3加到IC2穩壓芯片。IC2輸出VCC是加到單片機上。
單片機工作后，通過
2024-03-14 09:15:05
LSM6DS3TR停產買不到了，準備切換LSM6DS3TR-C型號使用。
請問兩者有什么差別？能否直接替換？有成功替換案例嗎？
2024-03-14 06:40:10
下無法通過該imu訪問到外掛的磁力計。
個人編寫代碼邏輯如下：
/*初始化部分*///使能對嵌入功能寄存器的訪問bsp_spi_write(LSM6DS3
2024-03-07 06:26:09
HMC729LC3C是一款集成復位功能的T觸發器，設計支持高達26 GHz的時鐘頻率。 正常工作時，若復位引腳未置位，則輸出將在時鐘正邊沿從之前的狀態切換到其他狀態。 這便實現對時鐘輸入的二分
2024-03-03 15:01:14
：30V- 額定電流：18A- 導通電阻：20mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓：1.5V**應用簡介：**這是一款集成了兩個N-Channel溝道
2024-02-20 10:19:23
**VBsemi Si2329DS-T1-GE3-VB 產品詳細參數說明與應用簡介****參數說明:**- **型號：** Si2329DS-T1-GE3-VB- **絲印：** VB2290-
2024-02-03 10:36:58
TIMER3 CNT=13396652,CAP=10668028
如果把TIMER3設置成事件計數模式，T3引腳 同樣每秒輸入10個脈沖，CNT計數就比較準。
2024-01-17 07:40:32
**詳細參數說明：**- **型號:** SI2338DS-T1-E3-VB- **絲印:** VB1330- **品牌:** VBsemi- **參數:** - 封裝類型
2024-01-03 17:26:32
**型號：SI2304DS-T1-E3-VB****絲印：VB1330****品牌：VBsemi****參數：**- 封裝：SOT23- 類型：N-Channel 溝道- 額定電壓：30V-
2024-01-03 15:30:34
, 6.5mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：1.72V- 封裝類型：SOP8應用簡介：SI4466DY-T1-E3-VB是一款N溝
2023-12-22 15:36:20
Ω @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：0.45~1V- 封裝類型：SOT23應用簡介：TN0200T-T1-E3-VB是一款N
2023-12-21 16:58:46
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：-1.42V- 封裝：SOP8**詳細參數說明：**SI4425BDY-T1-E3-VB是一款P溝道MOSFET，最大
2023-12-20 11:46:33
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：1.54V- 封裝：SOP8**詳細參數說明：**SI4850DY-T1-E3-VB是一款N溝道MOSFET，最大耐壓為6
2023-12-20 10:44:08
, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：0.45V to 1V- 封裝：SOT23應用簡介：SI2314EDS-T1-E3-VB是一款N
2023-12-18 17:09:54
根據提供的型號和參數，以下是對該 MOSFET 型號 SI4413DY-T1-E3-VB 的詳細參數和應用簡介：**型號：** SI4413DY-T1-E3-VB**絲印：** VBA2311
2023-12-18 17:08:07
型號：SI2314DS-T1-E3-VB絲印：VB1240品牌：VBsemi參數說明：- **N溝道：** 該器件是一種N溝道MOSFET，電流在N溝道中流動，通常用于不同類型的應用，如電源開關等
2023-12-18 11:19:34
, 13mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓 (Vth)：-1.42V- 封裝：SOP8應用簡介：SI4825DDY-T1-E3-VB是一款P溝道M
2023-12-14 16:08:27
型號：SI2347DS-T1-GE3-VB絲印：VB2355品牌：VBsemi參數：- 類型：P溝道- 最大耐壓：-30V- 最大電流：-5.6A- 靜態開啟電阻 (RDS(ON))：47m
2023-12-14 10:43:26
Ω @ 4.5Vgs、33mΩ @ 2.5Vgs- 閾值電壓（Vth）：0.45V 到 1V 可調- 封裝類型：SOT23應用簡介：TN0200TS-T1-E3-VB是一款N溝道
2023-12-14 10:12:05
Ω @2.5V，15Vgs（±V）；-0.6～-2Vth(V)；SOP8應用簡介：SI9424DY-T1-E3-VB是一款P溝道功率MOSFET器件，適用于多種領域的電子
2023-12-13 15:28:40
應用簡介： Si2399DS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，適用于需要控制電流的應用。由于其低導通電阻（RDS(ON)），能有效降低導通損耗，在需要高效能轉換
2023-12-13 10:11:37
：SOT23。應用簡介：Si2342DS-T1-GE3是一款用于中低電壓應用的N溝道MOSFET，適用于電源開關、LED驅動和電池管理等領域模塊。
2023-12-09 15:07:11
：SOT23。應用簡介：SI2302DS-T1-GE3是一款中低電壓N溝道MOSFET，適用于電源開關、電機控制和穩壓等應用。其低導通電阻和可調的閾值電壓使其在多種場景中
2023-12-09 14:53:11
(±V)閾值電壓：-0.81V；封裝：SOT23應用簡介：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P溝道MOSFET，適用于需要控制電流的應用。其低
2023-12-09 14:50:12
：SI2300DS-T1-GE3是一款適用于中電流、低電壓的N溝道MOSFET。其低閾值電壓使其適合低電壓邏輯驅動。常用于移動設備、低電壓應用等。優勢：適用于低電壓邏輯
2023-12-09 14:47:20
速率
b） 3 個 10 位 DAC
c） 輸入兼容 TTL 電平
d） DAC 輸出電流范圍 2mA～26mA
e） 集成帶隙基準電壓源
f） LQFP48 封裝
3 封裝及引腳功能說明
產品采用 48 引線的四邊引線扁平外殼封裝，實體尺寸 7mm×7mm。
2023-12-09 10:39:23
描述 IETF PWE3 SAToP/CESoPSN/HDLC兼容的DS34S132為L2TPv3/IP、UDP/IP、MPLS (MFA-8)以及城域以太網(MEF-8)網絡提供將TDM
2023-12-07 11:05:52
SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P溝道MOSFET產品，絲印型號為VB2290；采用SOT23-3封裝。該產品的特性包括額定電壓為-20V，額定電流為-4A，RDS
2023-11-30 16:02:35
近日，武漢芯源半導體正式發布首款基于Cortex?-M0+內核的CW32A030C8T7車規級MCU，這是武漢芯源半導體首款通過AEC-Q100 (Grade 2)車規標準的主流通用型車規MCU產品
2023-11-30 15:47:01
SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P溝道MOSFET產品，絲印型號為VB2290；采用SOT23-3封裝。該產品的特性包括額定電壓為-20V，額定電流為-4A，RDS
2023-11-30 14:21:31
"型號 SI2347DS-T1-GE3-VB絲印 VB2355品牌 VBsemi參數 類型 P溝道 最大耐壓
2023-11-14 10:34:07
型號 SI2356DS-T1-GE3-VB絲印 VB1330品牌 VBsemi詳細參數說明 溝道類型 N溝道
2023-11-11 13:36:44
來了。想了一會，可控硅不是干接點，所以會有漏電流，萬用表的內阻很高，這個電流在可控硅上沒有太大壓降。
想法對不對呢，驗證一下，在輸出端T1和T3串入3個燈泡。送電測量T1和T3電壓變成了2.6V
2023-11-08 06:48:52
型號 SI2309DS-T1-GE3-VB絲印 VB2658品牌 VBsemi詳細參數說明 溝道類型 P溝道 額定
2023-11-07 17:12:55
Ω @10V, 260mΩ @4.5V- 門源電壓 20Vgs- 門閾電壓 2Vth- 封裝 SOT23應用簡介 SI2324DS-T1-GE3是一款N溝道MOS
2023-10-27 17:18:42
名稱 SI2308DS-T1-GE3 型號 VB1695 品牌 VBsemi 參數 - 頻道類型 N溝道- 額定電壓 60V- 額定電流 4A- RDS
2023-10-27 16:38:22
TP4586雙路獨立控制的 TWS 充電倉解決方案
概述：
TP4586 是一款集成線性充電管理、同步升壓轉換、電池電量指示和多種保護功能的單芯片電源管理 SOC，為藍牙耳機充電倉的充放電提供
2023-10-23 15:29:10
ESP32-S3 是一款低功耗的 MCU 系統級芯片 (SoC)，支持 2.4 GHz Wi-Fi 和低功耗藍牙 (Bluetooth? LE) 無線通信。芯片集成了高性能的 Xtensa? 32 位 LX7 雙核處理器、超低功耗協處理器、Wi-Fi 基帶、藍牙基帶、RF 模塊以及外設。
2023-09-18 07:53:06
CW32F003x3/x4是一款基于eFlash的單芯片微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+內核
具有高達48 MHz的主頻率、高速嵌入式存儲器（高達20 KB的FLASH和
至3K字節
2023-09-14 08:16:19
專門設計，可在硬件上實現大幅運動檢測、傾斜度檢測、硬件計步功能、時間戳，并支持對外部磁力計的數據采集，且支持鐵磁校準 （硬鐵修正，軟鐵修正）。LSM6DS3 集成有一個 8Kbyte 的智能先進先出
2023-09-13 08:23:34
啟動器，負責將屋子收拾干凈，等后面linux系統進來入駐。
我們需要用串口連接板子上的E2，E3，GND，可以用usb-ttl工具去連，于是電腦上就可以通過usb-ttl看到T113串口輸出的信息了
2023-09-08 10:15:04
TTM Technologies 的 BD3150N50100AHF 是一款巴倫，頻率為 3.1 至 7 GHz，幅度平衡 ±0.8 至 1.5 dB，相位平衡 3 至 20 度，插入損耗 0.7
2023-08-15 11:30:08
e4 菲律賓（PHL）產的批次工作正常，e3臺灣（TWN）生產的批次工作不正常。
2023-08-07 12:41:40
1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款工業級第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續在碳化硅 (SiC) 領域
2023-07-28 14:21:34
1200 V、17 mΩ、134 A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款汽車級 1200 V E 系列裸片碳化硅 (SiC) MOSFET 繼續在碳化硅領域保持
2023-07-28 13:50:09
1200 V、17 mΩ、134 A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款汽車級 1200 V E 系列裸片碳化硅 (SiC) MOSFET 繼續在碳化硅領域保持
2023-07-28 13:48:14
DS26503是一個樓宇綜合定時供給系統(BITS)時鐘恢復元件，還可用作基本T1/E1收發器。接收部分可從T1, E1和6312kHz同步時序接口中恢復時鐘。在T1和E1模式下，還可恢復出同步狀態
2023-07-18 08:58:07
DS28E17為1-Wire從機至I2C主機橋接器件，直接連接至I2C從機，支持標準(最高100kHz)或高速(最大400kHz)工作。數據通過1-Wire?協議串行傳輸，僅需單根數據線和接地回路
2023-07-13 17:54:06
DS28E02將1024位EEPROM與符合FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1)的質詢-響應安全認證功能結合在一起。1024位EEPROM陣列被配置為四頁，每頁256位，且帶有64位暫存器
2023-07-13 17:33:38
DeepCover?嵌入式安全方案通過多層高級物理保護為系統提供最安全的密鑰存儲，以保護敏感數據。DeepCover安全認證器件(DS28E25)集成了基于FIPS 180-3安全散列算法
2023-07-13 17:26:27
DeepCover?嵌入式安全方案通過多層高級物理保護為系統提供最安全的密鑰存儲，有效保護敏感數據。DeepCover安全認證器件(DS28E15)集成了基于FIPS 180-3安全散列算法
2023-07-13 17:23:35
DeepCover?嵌入式安全方案通過多層高級物理保護措施為系統提供最安全的密鑰存儲，以保護敏感數據。DeepCover安全認證(DS28E22)器件集成了基于FIPS 180-3安全散列算法
2023-07-13 17:18:29
DeepCover?嵌入式安全方案通過多層高級物理保護為系統提供業內最安全的密鑰存儲,有效保護敏感數據。DeepCover安全認證器件(DS28EL15)集成了基于FIPS 180-3安全散列算法
2023-07-13 17:14:07
，每個存儲塊可寫8次。DS28E80通過單觸點1-Wire?總線進行標準速率或高速率通信。每片器件都擁有唯一的64位識別碼，由工廠寫至芯片。通信符合1-Wire協議，
2023-07-13 17:01:58
DS28E16安全認證器集FIPS202兼容安全散列算法(SHA-3)質詢和響應認證與安全EEPROM于一身。器件提供一組核心加密工具，包括SHA-3引擎、256位安全EEPROM、遞減計數器和唯一
2023-07-13 16:35:34
DS2502-E48是DS2502 (1024位只加存儲器)的一個變種。它與標準DS2502的不同之處在于其用戶化ROM的家族碼為89h，在標準ROM序列號區的高12位為UniqueWare?標識符
2023-07-13 15:56:50
DS28E05是一款112字節用戶可編程EEPROM芯片，分為7頁，每頁16字節。存儲器頁通過保護字節可單獨設置為寫保護或者EPROM仿真模式。每個器件都帶有唯一的64位ROM注冊碼(ROM ID
2023-07-13 11:35:21
HMC675LP3E是一款SiGe、單芯片、超快速比較器，集成小擺幅CML輸出驅動器和鎖存輸入。 該比較器支持10 Gbps工作速率，同時提供100 ps傳播延遲和60 ps最小脈沖寬度以及0.2
2023-06-30 11:14:12
HMC674LP3E為硅鍺(SiGe)、單芯片、超快速比較器，集成小擺幅正發射極耦合邏輯(RSPECL)輸出驅動器和鎖存輸入。這些比較器支持10 Gbps工作速率，并提供85 ps傳播延遲和60
2023-06-30 10:53:29
2SK3150(L) 2SK3150(S) 數據表
2023-06-28 20:32:14
0 1 核心板簡介創龍科技SOM-TLT3是一款基于全志科技T3處理器設計的4核ARM Cortex-A7國產工業核心板，每核主頻高達1.2GHz。核心板通過郵票孔連接方式引出CSI、TVIN、MIPI
2023-06-28 10:16:23
1 評估板簡介創龍科技TLT3-EVM是一款基于全志科技T3處理器設計的4核ARM Cortex-A7高性能低功耗國產評估板，每核主頻高達1.2GHz，由核心板和評估底板組成。評估板接口資源豐富
2023-06-28 10:11:48
本應用筆記舉例說明如何在橋接模式下配置單個T3端口，在DS31256上進行非溝道化工作。此外，此示例還介紹如何在該端口上以環回模式構造、發送、接收和檢查數據包。本應用筆記作為編碼示例提供，以便于適應最終用戶應用。
2023-06-16 17:29:51
688 DS3112具有六種不同的發送時鐘和六種不同的接收時鐘類型：發送DS3、DS2、DS1、E3、E2和E1時鐘，以及接收DS3、DS2、DS1、E3、E2和E1時鐘。由于電路中同一級的時鐘具有相似
2023-06-13 15:39:46317 
通常，T3/E3/STS-1 信號在短距離內傳輸，但某些應用需要更長的距離。T3/E3/STS-1 光纖到銅轉換器接收銅纜信號并將其轉換為光信號，通過光纖鏈路傳輸。一對轉換器將 T3/E3
2023-06-10 15:28:44501 
T3A3-08 是一款寬帶雙音終結器 (T3) 混頻器，集成了一個僅正偏壓的 LO 緩沖放大器。它是一種具有成本效益的即插即用混頻器，具有出色的線性度和低正弦波
2023-05-24 15:08:45
2SK3150(L) 2SK3150(S) 數據表
2023-05-11 20:08:130 IP2312單節鋰電池同步開關降壓充電 IC（英集芯 指定代理 科發鑫）一簡介 IP2312 是一款 5V 輸入，支持單節鋰電池同步開關降壓充電管理的 IC。 IP2312 集成功率 MOS，采用
2023-05-02 15:32:36
我在加載 S32E 的 EB tersos 時安裝了 S32E 的集成參考示例，它顯示了該示例的各種插件未找到
安裝目錄只有tersos workspace found NO S32DS
2023-04-23 08:42:04
\\software\\PlatformSDK_S32XX_2022_03\\SW32_RTD_4_4_3_0_2_D2203\\Base_TS_T40D11M30I2R0\\include
2023-04-18 07:33:57
我在另一臺 PC 上的 S32DS 版本 3.5 中安裝 S32K3 SDK (SW32K3_S32DS_3.5_D2207) 時遇到問題。之前我安裝了S32DS 3.4版，重新安裝到3.5版。所以
2023-04-17 06:56:47
4月13日， 全球首款RISC-V平板電腦——PineTab-V正式開啟預售 。PineTab-V由全球領先的開源硬件廠商Pine64設計推出，搭載賽昉科技昉·驚鴻7110 SoC（以下簡稱
2023-04-14 13:56:10
使用 ESP-IDF V4.4.2。 在 PCB1 上讀取是可以的： [size=85%]T0:[1605,1605] T1:[1101,1102] T2:[1571,1571] T3:[1558,1558] T
2023-04-12 07:31:43
CT817B(S)(T3)-H
2023-04-06 23:31:04
IC TXRX DS3/E3 CSBGA
2023-04-06 17:07:15
IC TXRX DS3/E3 CSBGA
2023-04-06 16:10:19
IC LIU DS3/E3/STS-1 144CBSGA
2023-04-06 11:50:44
IC LIU DS3/E3/STS-1 144CBSGA
2023-04-06 11:50:42
ICLIU3.3VDS3/E3/STS-128PLCC
2023-04-06 11:50:41
DS3141 SINGLE DS3/E3 FRAMER
2023-04-06 11:50:41
ICLIUDS3/E3/STS-128-PLCC
2023-04-06 11:49:33
IC LIU DS3/E3/STS-1 QD 144CSBGA
2023-04-06 11:48:59
IC LIU DS3/E3/STS-1 28-PLCC
2023-04-06 11:48:58
ICLIUDS3/E3/STS-128-PLCC
2023-04-06 11:48:51
在SW32K3_FreeRTOS_10_5_0_CD2_3_0_0_DS_updatesite_D2301_ReleaseNotes中，需要安裝特定版本的S32DS和S32K3開發包。但是它們在軟件
2023-04-06 07:06:46
在SW32K3_FreeRTOS_10_5_0_CD2_3_0_0_DS_updatesite_D2301_ReleaseNotes中，需要安裝特定版本的S32DS和S32K3開發包。但是它們在軟件
2023-04-03 07:44:26
：LinuxSDK_AA_BB_CC_DD（基于T3_LinuxSDK_V1.3_20190122）本文測試板卡為創龍科技TLT3F-EVM開發板，它是一款基于全志科技T3四核ARM Cortex-A7
2023-03-31 16:31:44
件LinuxSDKLinuxSDK_AA_BB_CC_DD.tar.gz開發包本文測試板卡為創龍科技TLT3F-EVM開發板，它是一款基于全志科技T3四核ARM Cortex-A7 + 紫光同創Logos PGL25G/PGL50G FPGA設計的異構多核國產工業開發板
2023-03-31 16:30:26
六大原廠工業處理器平臺圖 2 創龍科技產品線概覽5款全國產平臺——工業級＋國產化率100%全志T113-i雙核Cortex-A7@1.2GHz含稅99元起全志T3/A40i四核
2023-03-31 16:19:06
遇到不少人新手小白問，能不能分享MQTT通信協議案例，做開發等等一系列的問題。應廣大用戶朋友需求號召，今天分享基于創龍科技的TLT3F-EVM開發板，它是一款基于全志科技T3四核ARM
2023-03-31 15:35:28
DS3150 - Telecom Evaluation Board
2023-03-30 11:44:28
KIT DESIGN LIU DS21448L T1/J1/E1
2023-03-30 11:44:28
電子發燒友App
工商網監
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