非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
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芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表，其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:3058 
曙光存儲推出ParaStor分布式全閃存儲，攜業(yè)內(nèi)首創(chuàng)技術(shù)XDS，以訓(xùn)練加速、穩(wěn)定性強(qiáng)、性價比高的獨(dú)特價值，全維度涵蓋網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算和平臺，為千行百業(yè)的AI大模型開發(fā)者提供存儲解決方案。
2024-03-01 11:30:19137 2024年2月28日 - 三星電子今日宣布，已開始向客戶提供其256GB1 SD Express2 microSD存儲卡樣品，該款存儲卡順序讀取速度最高可達(dá)800MB/s，此外，1TB3 UHS-1 microSD存儲卡現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2024-02-28 10:38:34322 存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應(yīng)用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。
2024-02-22 16:21:51612 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲器，存在于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器和智能手機(jī)存儲等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 
1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《存儲器接口產(chǎn)品手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-29 09:31:17
0 鐵電存儲器通常具有更快的隨機(jī)存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51516 
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出DA14592低功耗藍(lán)牙（LE）片上系統(tǒng)（SoC），成為瑞薩功耗最低、體積最小的多核（Cortex-M33、Cortex-M0+
2024-01-19 16:37:30586 更改的。 數(shù)據(jù)可靠性：只讀存儲器的數(shù)據(jù)是在生產(chǎn)過程中進(jìn)行編程的，因此具有很高的可靠性。與可擦寫存儲器（如閃存）相比，ROM具有更低的故障率，并且不容易受到病毒或錯誤操作的影響。 高速讀取：由于只讀存儲器中的數(shù)據(jù)是固定的，無需進(jìn)行寫
2024-01-17 14:17:39288 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
隨著人們對計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的需求不斷增長，存儲器的種類也越來越多。其中，RAM（Random Access Memory，隨機(jī)訪問存儲器）是計(jì)算機(jī)中最常用的一種存儲器。RAM可以分為兩種類型，一種
2024-01-12 17:27:15512 描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17731 
本編程手冊介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲器。為方便起見，在本文中除特別說明外，統(tǒng)稱它們?yōu)镾TM32F10xxx。 STM32F10xxx內(nèi)嵌的閃存存儲器可以用于在線編程(ICP)或在程序中編程(IAP)燒寫。
2023-11-28 15:16:562 閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17909 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《半導(dǎo)體存儲器電子課件.ppt》資料免費(fèi)下載
2023-11-21 14:40:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《性能超群的含閃存存儲器、8引腳PIC微控制器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-17 11:02:010 何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
單片機(jī)的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
FLASH存儲器 2.7V~3.6V 256MBit NAND
2023-10-24 17:19:29
快閃存儲器（flash memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙?b class="flag-6" style="color: red">存儲器。它是一種非易失性存儲器，即斷電數(shù)據(jù)也不會丟失。
2023-10-24 15:19:17498 
mcs-8051單片機(jī)的程序存儲器是多少
2023-10-18 07:33:36
存儲領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何對STM8S和STM8A閃存程序存儲器和數(shù)據(jù)EEPROM進(jìn)行編程.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-07 16:05:500 自舉程序存儲在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲器（系統(tǒng)存儲器）中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務(wù)是通過一種可用的串行外設(shè)（USART、CAN、USB、I2C 等）將應(yīng)用程序下載到內(nèi)部
2023-09-28 07:15:06
怎么隨機(jī)存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
本編程手冊介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲器。為方便起見，在本文中出特別說明外，統(tǒng)稱它們?yōu)镾TM32F10xxx
2023-09-26 06:18:33
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
存儲器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機(jī)存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272101 STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲器映射? 總線架構(gòu)? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設(shè)定存儲。
2023-09-07 14:27:24523 
FLASH存儲器 256Mbit 2.7V~3.6V TSOP56_14X18.4MM
2023-09-03 18:04:07
庫的慢-慢工藝點(diǎn)對塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
存儲器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)（CPU 或 GPU）提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)人員可以選擇多種類型的存儲器
2023-08-17 09:54:20413 
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新
2023-08-09 14:32:40397 
15億元，市場占比25%，混閃存儲銷售額38億元，市場占比54%，相比全球全閃存儲市場份額41.3%的局面，中國全閃存儲市場還有很大發(fā)展空間。其中浪潮信息全閃存儲一季度銷售額和出貨量，位居中國前二，出貨量同比增長310%，領(lǐng)漲中國市場。 從細(xì)分市場來看，一季度中國全閃存儲
2023-08-08 12:55:47716 今日，全球領(lǐng)先的檢驗(yàn)、檢測及認(rèn)證機(jī)構(gòu)DEKRA德凱為華為OceanStor全閃存存儲頒發(fā)全球首個DEKRA德凱存儲產(chǎn)品碳足跡和DEKRA Seal碳標(biāo)簽證書。華為OceanStor全閃存存儲憑借業(yè)界
2023-07-31 17:11:37661 半導(dǎo)體存儲器是當(dāng)今電子設(shè)備的核心組件，從智能手機(jī)到高性能計(jì)算機(jī)，幾乎所有設(shè)備都需要某種形式的半導(dǎo)體存儲器。根據(jù)應(yīng)用需求和工作原理，半導(dǎo)體存儲器可以分為兩大類：內(nèi)存和閃存。本文將介紹這兩大類存儲器的種類和工作原理。
2023-07-31 09:57:32598 
8月8日-10日， 全球閃存峰會FMS2023 將在美國加州圣克拉拉會議中心隆重舉行。作為國際閃存行業(yè)的盛會，F(xiàn)MS2023將展示閃存最新進(jìn)展，聚焦DRAM、DNA數(shù)據(jù)存儲、UCIe、CXL
2023-07-28 16:35:12278 
手機(jī)“性能鐵三角”——SoC、運(yùn)行內(nèi)存、閃存決定了一款手機(jī)的用戶體驗(yàn)和定位，其中存儲器性能和容量對用戶體驗(yàn)的影響越來越大。
2023-07-27 17:01:33557 TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響，實(shí)際TBW值可能會偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù)，并探討如何降低寫入放大對存儲器的影響。
2023-07-25 14:19:39253 何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28873 PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453771 8 存儲器 8.4 片上閃存 RA6 MCU具有兩部分閃存：代碼閃存和數(shù)據(jù)閃存，各部分的大小和擦寫周期數(shù)因器件而異。閃存控制單元 (FCU) 控制閃存的編程和擦除。閃存應(yīng)用程序命令接口 (FACI
2023-06-26 12:10:03375 
半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲器區(qū)域。 圖16. RA6M3存儲器映射 8.1 SRAM RA6 MCU提供帶
2023-06-21 12:15:03421 
4 選項(xiàng)設(shè)置存儲器 選項(xiàng)設(shè)置存儲器用于確定復(fù)位后MCU的狀態(tài)。該存儲器分配在閃存中的配置設(shè)置區(qū)域和程序閃存區(qū)域。這兩個區(qū)域的可用設(shè)置方法不同。Cortex-M33內(nèi)核MCU的選項(xiàng)設(shè)置存儲器可能具有
2023-06-08 17:00:04411 
全新的256GB、512GB和1TB閃存設(shè)備允許智能手機(jī)和移動應(yīng)用程序充分利用5G網(wǎng)絡(luò)的高速率 為了繼續(xù)推動通用閃存(1)（UFS）技術(shù)的發(fā)展，全球存儲器解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社近日宣布，具有
2023-06-06 14:30:191526 
磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409 近日，IBM 存儲推出了基于其閃存產(chǎn)品 IBM FlashSystem 的新能力，幫助企業(yè)高效應(yīng)對數(shù)據(jù)安全威脅。
2023-05-25 16:35:02829 在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲器設(shè)計(jì)：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
描述? BL24C256A提供262144位串行電可擦除和可編程只讀存儲器（EEPROM），組織為32768字，每個8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-17 10:19:18
單片機(jī)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
下一階段，復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，F(xiàn)M25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26377 
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。前面已講解過關(guān)于存儲器到存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會講解外設(shè)到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
我正在使用 mpc5777c 微控制器。我在 nxp 閃存代碼示例中看到了這些代碼。我不明白為什么他們在閃存操作后恢復(fù)閃存控制器緩存。據(jù)我了解，RestoreFlashControllerCache
2023-04-17 07:17:57
4月13日， 全球首款RISC-V平板電腦——PineTab-V正式開啟預(yù)售 。PineTab-V由全球領(lǐng)先的開源硬件廠商Pine64設(shè)計(jì)推出，搭載賽昉科技昉·驚鴻7110 SoC（以下簡稱
2023-04-14 13:56:10
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼，存儲語音、文本和數(shù)據(jù)，提供的靈活性和性能遠(yuǎn)超普通串行閃速存儲器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553817 
。這種存儲器經(jīng)過專門優(yōu)化，適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機(jī)、健康監(jiān)測儀、無人機(jī)和 GPS 導(dǎo)航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，有助于實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強(qiáng)安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲器。
2023-04-11 11:08:07937 
數(shù)據(jù)信息。它們都是電子可寫和可擦除存儲器，用以存儲單片機(jī)的應(yīng)用程序及數(shù)據(jù)信息。這些數(shù)據(jù)可在芯片上或芯片外存儲信息。盡管Flash和EEPROM設(shè)備都可以存儲嵌入式設(shè)備中使用的信息，但是它們的體系結(jié)構(gòu)
2023-04-07 16:42:42
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點(diǎn)，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實(shí)時時鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲器映射中包含片上RAM、外設(shè)I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲器區(qū)域。 圖13. RA2A1存儲器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466 FLASH存儲器 接口類型：SPI 存儲容量：256Mbit WPDFN8_6X8MM_EP
2023-04-06 15:49:42
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ堉笇?dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
我正在尋找一些與 IMXRT1064 的外部 SRAM 使用相關(guān)的信息。例如，EVK 有 256Mbit 166MHz SDRAM。166MHz與使用過的SDRAM有關(guān)。我試圖找到 SEMC 控制器
2023-03-30 07:11:18
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
FLASH存儲器 256Mbit 2.7V~3.6V FLASH - NOR
2023-03-28 18:31:00
EEPROM存儲器 256K I2C串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:28
FPGA - 配置存儲器 IC - 配置存儲器內(nèi)存閃存 16Mb 40 MHz
2023-03-28 13:18:05
3 v 256位 串行快閃存儲器 雙/四spi, qpi和DTR
2023-03-27 11:55:03
并行NOR閃存嵌入式存儲器
2023-03-24 14:01:23
8 Mbit 數(shù)據(jù)閃存（帶額外的 256 Kbits），最小 1.7V SPI 串行閃存存儲器
2023-03-23 04:56:18
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