非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
13 
HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53260 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:39268 
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216 數據處理指令和數據類型。它還實現了一整套DSP指令和增強應用程序安全性的存儲器保護單元（MPU）。
STM32F429IIT6包含高速嵌入式存儲器（最高2兆字節的閃存，最高256千字節的SRAM），最高4千字
2024-03-12 09:39:01
的基礎。同時STM32MP135支持高性能DDR3存儲器，在存儲器性能與抖動抑制方面實現極大的優化。為了實現工業實時以太網EtherCAT與標準以太網TCP/IP通訊同時運行，STM32MP135設計了
2024-03-07 20:06:14
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現在市場上兩種主要的閃存技術。Intel于1988年首先開發出 NOR Flash 技術,徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統天下
2024-03-01 17:08:45158 
飛創高性能直線電機模組FCL系列具備超長行程、超高速度、超高精度、超重負載以及速度平穩的特點，可滿足LDI設備制備等制造過程中對精密運動控制的需求。該模組作為高精密自動化設備的重要傳動元件，有助于實現自動化生產，提高效率和降低成本。
2024-02-29 15:41:30154 
NAND閃存作為如今各種電子設備中常見的非易失性存儲器，存在于固態硬盤（SSD）、USB閃存驅動器和智能手機存儲等器件。而隨著電腦終端、企業存儲、數據中心、甚至汽車配件等應用場景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 
1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數據存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數據存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數據的數據存儲器。
2024-01-30 08:18:12
高精度納米級壓電位移平臺“PIEZOCONCEPT”半導體界后摩爾時代的手術刀！第三代半導體是后摩爾時代實現芯片性能突破的核心技術之一，優越性能和廣泛的下游應用使相關廠商存在良好發展前景。隨著下
2024-01-26 08:16:17162 
閃存技術，通常用于存儲數據，并且具有一些額外的安全特性。這種技術結合了 NAND 閃存的高密度存儲能力和安全性能。它通常用于存儲數據，如圖像、視頻、音頻、文檔等，同時具備保護數據免受未經授權訪問或篡改
2024-01-24 18:30:00
特性。這種技術結合了NAND閃存的高密度存儲能力和安全性能。它通常用于存儲數據，如圖像、視頻、音頻、文檔等，同時具備保護數據免受未經授權訪問或篡改的能力。SDNA
2024-01-24 18:29:55373 
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
）和NAND（NAND Flash Memory）。 eMMC是一種嵌入式多媒體控制器，它為移動設備（如智能手機和平板電腦）提供了一種高性能的存儲解決方案。它包括一個閃存控制器、一個NAND閃存芯片和一些
2024-01-08 13:51:46597
SD NAND是一種基于NAND閃存技術的存儲設備，與其他存儲設備相比，它具有以下幾個顯著的優點：
高可靠性：SD NAND針對嵌入式系統的特殊需求進行了設計，具有更高的可靠性。它內置了閃存控制器
2024-01-05 17:54:39
人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲器作為緩沖器（buffers），其可靠性和速度有助于實現高性能。
2024-01-03 17:16:041431 
從存儲芯片的市場表現來看，兩大類別DRAM（動態隨機存取存儲器）與NAND Flash（閃存存儲器）目前的價格較今年谷底都出現了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
dram和nand的區別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機存取存儲器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003897 本編程手冊介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲器。為方便起見，在本文中除特別說明外，統稱它們為STM32F10xxx。 STM32F10xxx內嵌的閃存存儲器可以用于在線編程(ICP)或在程序中編程(IAP)燒寫。
2023-11-28 15:16:56
2 閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17910 
電子發燒友網站提供《性能超群的含閃存存儲器、8引腳PIC微控制器.pdf》資料免費下載
2023-11-17 11:02:010 。CSNP4GCR01-AMW是一種基于NAND閃存和SD控制器的4Gb密度嵌入式存儲；而CSNP32GCR01-AOW是一種基于NAND閃存和SD控制器的32Gb密度嵌入式存儲。與原始NAND相比其具有
2023-11-15 18:07:57
但是，存儲芯片大企業的價格已經出現上漲跡象。還有外電報道說，已經從dram開始的存儲器價格上升趨勢正在擴大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487 中圖儀器SJ5730系列納米探針式輪廓儀采用超高精度納米衍射光學測量系統、超高直線度研磨級摩擦導軌、高性能直流伺服驅動系統、高性能計算機控制系統技術，分辨率高達0.1nm，系統殘差小于3nm
2023-11-09 09:14:22
三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉整個閃存市場，穩定NAND閃存價格，并實現明年上半年逆轉市場等目標。
2023-11-03 17:21:111214 據多名半導體業界消息人士稱，三星繼本季度將nand閃存價格上調10至20%后，決定明年第一季度和第二季度也分別上調20%。三星電子正在努力穩定nand閃存價格，試圖在明年上半年逆轉市場。
2023-11-02 10:35:01523 單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價格將全面上漲，這已經導致國內存儲器下游企業的閃存采購成本上漲了近20%，而內存采購成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:49793 中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優點，已成為廣泛使用在閃存上的結構。”目前主要用于數碼相機等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 存儲器測試問題怎么才能穩定
2023-10-17 06:51:11
據悉，東京電子新技術的目標是能夠長時間儲存數據的3d nand閃存。該公司開發了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368 據韓國貿易部16日公布的資料顯示，韓國9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%，但8月份減少了8.9%。存儲器半導體業界的另一個支柱——3.3354萬dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個月的35.2%有所減少。
2023-10-16 14:17:21244 納米科技的迅猛發展將我們的視野拓展到了微觀世界，而測量納米級尺寸的物體和現象則成為了時下熱門的研究領域。納米級測量儀器作為一種重要的工具，扮演著重要的角色。那么，如何才能準確測量納米級物體
2023-10-12 09:12:161 在納米級測量中，由于物體尺寸的相對較小，傳統的測量儀器往往無法滿足精確的要求。而納米級測量儀器具備高精度、高分辨率和非破壞性的特點，可以測量微小的尺寸。納米級測量儀器在納米科技研究領域中扮演著重要的角色。通過共聚焦顯微鏡、光學輪廓儀等的運用，科研人員們能夠更加深入地了解納米世界的奧秘。
2023-10-11 15:23:160 納米科技的迅猛發展將我們的視野拓展到了微觀世界，而測量納米級尺寸的物體和現象則成為了時下熱門的研究領域。納米級測量儀器作為一種重要的工具，扮演著重要的角色。那么，如何才能準確測量納米級物體呢？在
2023-10-11 14:37:46
納米科技的迅猛發展將我們的視野拓展到了微觀世界，而測量納米級尺寸的物體和現象則成為了時下熱門的研究領域。納米級測量儀器作為一種重要的工具，扮演著重要的角色。那么，如何才能準確測量納米級物體呢？在
2023-10-11 13:49:37
電子發燒友網站提供《如何對STM8S和STM8A閃存程序存儲器和數據EEPROM進行編程.pdf》資料免費下載
2023-10-07 16:05:500 怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術的飛速發展，數據存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優勢，在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06490 本編程手冊介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲器。為方便起見，在本文中出特別說明外，統稱它們為STM32F10xxx
2023-09-26 06:18:33
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
在SoC中，存儲器是決定性能的另一個重要因素。不同的SoC設計中，根據實際需要采用不同的存儲器類型和大小。
2023-09-18 16:22:19325 
)都是獨立和軟件可配置的 每個通道都有3個事件標志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯 支持存儲器->存儲器外設->存儲器存儲器->外設和外設-&
2023-09-13 08:06:16
FSMC特性簡介和FSMC框圖外掛存儲器地址映射
AHB接口
NOR/PSRAM控制器
接口信號
支持的存儲器和訪問方式異步傳輸
同步突發傳輸
NAND/PC card控制器
接口信號
·支持的存儲器和訪問方式NAND操作
.ECC計算
.PC card/Compact Flash操作
2023-09-13 06:54:41
系統架構
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態重映射（STM32F2新增）
? 內嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現在我們常見的存儲設備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態硬盤，手機存儲等等，電腦傳統硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23553 
STM32 F7 概述? STM32總線架構和存儲器映射? 總線架構? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統配置控制器(SYSCFG)? 復位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
Nand Flash存儲器是Flash存儲器的一種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了高性價比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲器具有容量較大、改寫速度快等優點
2023-09-05 18:10:011621 電子發燒友網站提供《云優化性能：使用基于閃存的存儲的I/O密集型工作負載.pdf》資料免費下載
2023-08-28 10:04:340 NAND閃存作為一種非易失性存儲介質，憑借其功耗低、重量輕、性能佳和斷電后仍然能保存數據等特點，成為比硬盤驅動器更好的存儲設備，非常適合作為便攜設備的存儲器來使用。 固態硬盤（Solid State
2023-08-22 18:25:03253 
三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術生產的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
消息人士補充說：“盡管nand閃存價格上漲，但中國存儲器模塊企業最近停止了價格供應和訂單。預計不久就會上調價格，因此模塊企業計劃將價格上調8至10%。”
2023-08-18 09:47:25285 技術，每種技術都具有不同的特性和高級功能。雙數據速率 (DDR) 同步動態隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統存儲器最主流的存儲器技術，因為它使用電容器作為存儲元件來實現高密度和簡單架構、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
三星已經減少了主要nand閃存生產基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業內人士認為，三星的nand閃存產量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業績中，由于市場持續低迷，三星電子正式公布了存儲器減產計劃。
2023-08-16 10:23:58423 在當今科技時代，數據存儲需求急劇增長，NAND?閃存技術作為一種關鍵的非易失性存儲解決方案持續發展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術的引入，為數據存儲領域帶來了新的創新。本文將探討 pSLC
2023-08-02 15:16:593365 
在當今科技時代，數據存儲需求急劇增長，NAND閃存技術作為一種關鍵的非易失性存儲解決方案持續發展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術的引入，為數據存儲領域帶來了新的創新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790 
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發、測試和許可。
AHB MC利用了新開發的動態存儲器控制器（DMC）和靜態存儲器控制器
2023-08-02 06:26:35
當前，伴隨千行百業的數字化轉型，由服務器、存儲、網絡等組成的數據中心，作為支撐數字化轉型的基礎，迎來高速發展。關于存儲，NAND全閃介質的SSD固態硬盤因其高性能、高可靠、低能耗的特點，可滿足人們
2023-08-01 16:35:03276 半導體存儲器是當今電子設備的核心組件，從智能手機到高性能計算機，幾乎所有設備都需要某種形式的半導體存儲器。根據應用需求和工作原理，半導體存儲器可以分為兩大類：內存和閃存。本文將介紹這兩大類存儲器的種類和工作原理。
2023-07-31 09:57:32598 
手機“性能鐵三角”——SoC、運行內存、閃存決定了一款手機的用戶體驗和定位，其中存儲器性能和容量對用戶體驗的影響越來越大。
2023-07-27 17:01:33557 對 NAND 存儲器的需求也大幅增加。從移動或便攜式固態硬盤到數據中心，從企業固態硬盤再到汽車配件， NAND 閃存的應用領域和使用場景愈發多樣化，各種要求也隨之出現，常見的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424 
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達到最高
2023-07-19 19:02:21864 NAND閃存是一種電壓原件，靠其內存電壓來存儲數據。
2023-07-12 09:43:211444 
閃存存儲設備：NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介，被廣泛用于固態硬盤（SSD）、USB閃存驅動器、內存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495200 全棧式信號鏈芯片供應商列拓科技Leto宣布，最新推出高性能、高閃存、低功耗微控制器芯片LTM32F103ZET6。 LTM32F103ZET6芯片使用ARM 32位Cortex-M3內核，最高
2023-06-26 14:12:19793 
8 存儲器 8.4 片上閃存 RA6 MCU具有兩部分閃存：代碼閃存和數據閃存，各部分的大小和擦寫周期數因器件而異。閃存控制單元 (FCU) 控制閃存的編程和擦除。閃存應用程序命令接口 (FACI
2023-06-26 12:10:03375 
制造、設計或啟用NAND閃存的公司組成的行業工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡化NAND閃存集成到消費電子產品、計算平臺和任何其他需要固態大容量存儲的應用程序中。為NAND閃存定義標準化的組件
2023-06-21 17:36:325865 
該控制器訪問連接到外部存儲器總線的SDRAM器件。程序和數據存儲器共用地址空間；使用單獨的總線分別訪問這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數據。存儲器映射中包含片上RAM、外設
2023-06-21 12:15:03421 
珠海創飛芯科技有限公司作為國內首家一站式非易失存儲IP 供應商，將先進的OTP（一次性可編程存儲器）、NOR閃存和NAND SLC（單層單元）閃存技術推向市場。此外，創飛芯還為IP產品組合提供OTP
2023-06-15 15:44:541283 3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內，容納更高的存儲容量，從而有效節約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727 
內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區，硬盤的一個扇區也為512
2023-06-10 17:21:001982 NAND 存儲器制造商三星和 SK 海力士已尋求將 NAND 閃存價格提高 3%-5% 以試探市場反應，并表示 NAND 閃存的價格已降至可變成本以下。 ? 2. 日媒：蘋果Vision Pro 給電子
2023-06-09 12:01:041114 
4 選項設置存儲器 選項設置存儲器用于確定復位后MCU的狀態。該存儲器分配在閃存中的配置設置區域和程序閃存區域。這兩個區域的可用設置方法不同。Cortex-M33內核MCU的選項設置存儲器可能具有
2023-06-08 17:00:04411 
為了進行性能比較，使用了三種不同的存儲芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
以更低的成本獲得更高的存儲性能可能會在存儲設備的設計中造成瓶頸。為了實現更高的性能，設備必須使用片上DRAM，這增加了總體成本。這就是統一內存擴展（UME），JEDEC規范的出現。它被定義為 JEDEC UFS（通用閃存）規范的擴展。JEDEC UFS設備使用NAND閃存技術進行數據存儲。
2023-05-26 14:22:28673 
NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031193 
在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：1、存儲器介紹存儲器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
flash中運行。嵌入式系統多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統和內核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往較小。NOR設備在每次寫操作時都必須以塊的方式寫入數據。并行NOR閃存利用靜態隨機存取存儲器(SRAM)快速訪問芯片的可尋址區域，實現了存儲字節的快速訪問。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
單片機的程序存儲器和數據存儲器共處同一地址空間為什么不會發生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
極高的運動定位精度和穩定性，在數據存儲中具有著非常廣泛的應用。在數據存儲的領域，通常需要壓電納米定位臺來實現納米甚至亞納米級別的運動控制精度。 壓電納米定位臺用于讀寫頭的高精度調節 壓電納米定位臺可以在光盤數據存儲
2023-04-26 16:23:02431 
白光干涉儀和激光共聚焦顯微鏡同為微納米級表面光學分析儀器，都具有非接觸式、高速度測量、高穩定性的特點，都有表征微觀形貌的輪廓尺寸測量功能，適用范圍廣，可測多種類型樣品的表面微細結構
2023-04-20 14:38:431595 
我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態的源數據，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數據和目標地址的數據，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
存儲設備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數據且無需持續供電，即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數據。存儲器映射中包含片上RAM、外設I/O寄存器、程序ROM、數據閃存和外部存儲器區域。 圖13. RA2A1存儲器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466 除了SPI這種串行接口比較受存儲器設計廠商的歡迎，還有比如由samsung和toshiba設計的Toggle NAND Interface，也被稱為 Asynchronous DDR NAND
2023-04-04 15:16:19763 
我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們如何使用。請指導我們實現這一目標
2023-04-04 08:16:50
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應用程序復制到
2023-03-29 07:06:44
并行NOR閃存嵌入式存儲器
2023-03-24 14:01:23
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