電子發燒友網站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 14:11:23
0 耐壓30V降壓恒壓芯片的工作原理如下：
該芯片內部集成了開關管和同步整流管，通過它們進行電壓的轉換，將輸入的30V電壓降至所需的輸出電壓（如12V或5V）。在工作過程中，該芯片通過PWM
2024-03-22 11:31:10
項目要做一個DC-DC車載電源，輸入300—1000V，輸出0—30V，功率大概2KW, 目前考慮到效率問題，想用兩級級聯的結構，前級和后級用什么拓撲比較好？
2024-03-19 14:13:37
器件型號: AM4942N-T1-PF-VB絲印: VBA3638品牌: VBsemi參數:- 類型: 2個N-Channel溝道- 最大工作電壓: 60V- 最大電流: 6A- 開通電阻: 27m
2024-03-12 16:32:00
**VB1330 N-Channel MOSFET (AM2334N-T1-PF-VB)****詳細參數說明：**- **封裝類型：** SOT23- **溝道類型：** N
2024-03-12 14:05:42
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
電子發燒友網站提供《20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:03:240 **NTB75N03-06T4G-VB****絲印：** VBL1303 **品牌：** VBsemi **參數：** TO263；N—Channel溝道, 30V；170A
2024-02-19 17:05:20
。按導電溝道功率MOSFET可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強型。 MOSFET的主要特
2024-01-09 10:22:43112 
在雙電源±15V的供電的狀態下，ADG1408的模擬通道能輸入30V（相對GND）的模擬電壓嗎？
2024-01-05 12:57:40
英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：2.4V- 封裝：TO251**詳細參數說明：**FQU30N06L-VB是一款N溝道MOSFET，最大耐壓為60V，最大電流為25
2023-12-20 10:55:14
, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：1.8V (Vth)- 封裝：TO252應用簡介:FQD30N06-VB是一款高性能N溝道功率MOSFET，適用于廣泛的高電壓和高電流
2023-12-19 11:37:24
, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：1.8V (Vth)- 封裝：TO252應用簡介:4N06L30-VB是一款N溝道功率MOSFET，適用于各種高功率和高電壓應用。這款器
2023-12-19 11:22:53
型號：AO4446-VB絲印：VBA1311品牌：VBsemi參數說明：- **N溝道：** 該器件是一種N溝道MOSFET，電流在N溝道中流動，通常用于不同類型的應用，如電源開關等。- **工作
2023-12-19 10:43:33
**品牌：** VBsemi**參數：**- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大電流：6A- 靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON))：30mΩ @ 10V,
2023-12-16 10:29:41
該型號AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N溝道MOSFET，具有30V電壓、6.5A電流的額定參數。其RDS(ON)在10V下為30mΩ，在4.5V下為33mΩ，適用于20V的門源
2023-12-13 14:59:03
：IFNNY）順應系統層面的發展趨勢，推出業界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率
2023-12-12 18:04:37494 
SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330)參數說明：極性：N溝道；額定電壓：30V；最大電流：6.5A；導通電阻：30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V；門源電壓范圍：20Vgs
2023-12-09 15:00:49
IRLR7843TRPBF (VBE1303)參數說明:極性：N溝道；額定電壓：30V；最大電流：100A；導通電阻：2mΩ @ 10V, 3mΩ @ 4.5V；門源電壓范圍：20Vgs (±V
2023-12-08 15:47:58
深圳市三佛科技有限公司供應SLD80N03T貼片MOS美浦森 30V 80A TO252，原裝現貨 SLD80N03T 美浦森 30V 80A TO252 N溝道 MOS
2023-11-30 16:26:19
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
的 OptiMOS MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。它配有一個M1連接器，用于連接iMOTION模塊化應用設計套件(MADK)控制板EVAL-M1-101T。
2023-11-17 17:08:41534 
利用AD5522怎么設計一個正負30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負11V左右。但我們客戶的需求是30V的。不知道用AD5522能否設計出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何設計一個高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內即可。
2023-11-16 06:36:14
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10459 該型號AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N溝道MOSFET，具有30V電壓、6.5A電流的額定參數。其RDS(ON)在10V下為30mΩ，在4.5V下為33mΩ，適用于20V的門源
2023-11-09 17:13:58
? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備
2023-11-09 15:19:57663 
Ω@10V、28mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、1.8Vth(V)、TO252應用簡介 該型號的30N06L-VB是一款功率N溝道MOSFET。由
2023-11-08 17:17:38
型號 AM30N10-70D-T1-PF-VB絲印 VBE1104N品牌 VBsemi參數說明 類型 N溝道
2023-11-08 16:32:46
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 詳細參數說明 型號: 2SK3105-T1B-A-VB 絲印: VB1330 品牌: VBsemi 參數: N溝道,30V,6.5A,RDS
2023-11-08 11:12:50
型晶體管，它屬于電壓控制型半導體器件。根據導電溝道類型和柵極驅動電壓的不同，可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
新潔能NCE30P12S NCE P通道增強模式電源MOSFET新潔能NCE30P12S，一款卓越的P通道增強模式電源MOSFET，采用前沿的溝槽技術，盡顯卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:550 新潔能NCE30P30K NCE P通道增強模式電源MOSFET TO-252-2L新潔能NCE30P30K，全新升級，為您的高電流負載應用提供強大支持！采用先進的溝槽技術和設計，民信微我們
2023-11-03 20:39:340 型號 AOD408 絲印 VBE1310 品牌 VBsemi 參數 溝道類型 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 70A 導通電阻 7m
2023-11-03 16:13:50
型號 IRF8788TRPBF絲印 VBA1302品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 20A 導通電阻 4mΩ@10V, 4.5m
2023-11-03 15:31:19
FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關和放大電路中，可以控制電流流動并放大信號。
2023-11-03 14:56:23293 
型號 STD10NF10T4絲印 VBE1101M品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 18A 導通電阻 115mΩ@10V, 121m
2023-11-03 13:44:15
型號 AO4430絲印 VBA1303品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 18A 導通電阻 5mΩ @10V, 6.5mΩ @4.5V
2023-11-03 11:26:46
AM2336NT1PF詳細參數說明 極性 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 6.5A 導通電阻 30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓
2023-11-03 10:55:12
型號 FDN337NNL絲印 VB1330品牌 VBsemi參數說明 MOSFET類型 N溝道 額定電壓(VDS) 30V
2023-11-03 09:36:45
型號 AO4410絲印 VBA1303品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 18A 導通電阻 5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 門源
2023-11-02 16:45:48
型號 SI4920DYT1E3絲印 VBA3316品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 2個N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 8.5A 導通電阻 20mΩ @10V
2023-11-02 15:19:13
型號 FDMS9600S絲印 VBQA3303G品牌 VBsemi參數說明 MOSFET類型 2個N溝道 額定電壓(VDS)
2023-11-01 15:35:50
型號 B09N03A絲印 VBE1307品牌 VBsemi參數 頻道類型 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 60A RDS(ON) 10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5V 門源
2023-11-01 15:27:17
型號 AO3416絲印 VB1330品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 6.5A 導通電阻 30mΩ @10V, 33mΩ @4.5V
2023-11-01 14:27:18
型號 AFN4634WSS8RG絲印 VBA1303品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 18A 導通電阻 5mΩ @10V, 6.5m
2023-11-01 11:21:18
1.6Vth (V) 封裝類型 TO252應用簡介 MTD3302是一款N溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。具有30V的較高額定電壓和60A的大額定電
2023-10-31 15:03:49
型號 FDN357NNL絲印 VB1330品牌 VBsemi參數說明 MOSFET類型 N溝道 額定電壓(VDS) 30V
2023-10-31 14:43:01
型號 IRLML2803TRPBF絲印 VB1330品牌 VBsemi參數 N溝道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.2~2.2Vth
2023-10-31 14:00:49
型號 IRF7313TRPBF絲印 VBA3328品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 2個N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 6.8A/6.0A 導通電阻 22m
2023-10-31 11:48:47
型號 AO4818絲印 VBA3316品牌 VBsemi參數 2個N溝道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.5Vth(V)；SOP8該
2023-10-31 11:34:59
型號 IRF7413TRPBF絲印 VBA1311品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 12A 導通電阻 12mΩ @10V, 15m
2023-10-31 11:06:50
型號 SQ9945BEYT1GE3絲印 VBA3638品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 2個N溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 6A 導通電阻 27mΩ @10V
2023-10-28 15:05:44
型號 AOD484 絲印 VBE1310 品牌 VBsemi 參數 頻道類型 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 70A RDS(ON) 7mΩ @ 10V，9mΩ @ 4.5V 門源
2023-10-28 14:07:26
型號 SI2324DS-T1-GE3絲印 VB1102M品牌 VBsemi詳細參數說明 - 類型 N溝道MOSFET- 最大耐壓 100V- 最大電流 2A- 導通電阻 246m
2023-10-27 17:18:42
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 1~~2W的隔離電源。
VPS8701B內部集成兩個N溝道功率MOSFET和兩個P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內部集成振蕩器提供一對高精度互補信號，能有效確保兩路功率MOSFET驅動
2023-10-12 10:04:51
電子發燒友網站提供《BUK4D50-30P P溝道溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 11:35:370 電子發燒友網站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 09:32:500 電子發燒友網站提供《BUK6D16-30E N溝道溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:43:170 供應AP3400A N溝道 30V 5.8A MOS場效應管-mos3400規格參數，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供mos3400規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 11:28:260 供應AP30N03K 低結電容 30V MOS-30N03K場效應管參數，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP30N03K規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 11:14:000 供應AP30N03K 電壓30V的貼片MOS管TO-252封裝絲印30N03K，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP30N03K規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 11:13:03
供應AP30H80Q 電機驅動mos管-N溝道 30V 80A 絲印30H80Q，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP30H80Q 規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 10:59:23
供應AP30H80K 30V 80A N溝道MOS管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供30H80K規格書參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 10:52:000 供應AP30H80K 30v耐壓n溝道mos管TO-252封裝 絲印:30H80K，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP30H80K規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 10:50:43
供應AP30H150KA 30V 150A N溝道MOS管-30h150場效應管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP30H150KA規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 10:39:500 供應AP30H150KA N溝道 30V 150A 絲印:30H150KA-30h150 mos管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP30H150KA規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 10:38:20
DMTH3004LFGQ 產品簡介DIODES 的 DMTH3004LFGQ 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時保持卓越的開關性能。該器件
2023-09-19 13:50:09
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431202 
供應AP50P03K 35a 30v p溝道增強型mos管絲印AP50P03，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP50P03K規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:31:063 供應AP18P30Q -20a -30v耐壓的p型mos 絲印:18P30Q參數，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP18P30Q規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:19:590 STF140N6F7內容簡介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET電子元器件，為廣泛的電壓范圍（30V至350V）應用提供了卓越的解決方案。采用TO-220FP封裝，以其N溝道結構
2023-08-21 16:34:33
器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 
在H橋電路中實現P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴格的計算和參數才能實現最佳響應。
2023-06-29 15:28:02957 
在這個設計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 
供應mos PTS4842 30V/7.7A雙n溝道mos管，提供4842雙mos管規格書及關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:46:251 供應PTS4842 MOS場效應管-30V/7.7A雙N溝道高級功率MOSFET，提供PTS4842雙mos管關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:45:17
最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173 請問CANbus至RS232協議轉換器能夠用30V電壓的電源嗎？
2023-05-09 11:03:26
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 LAMP INCAND S-6 BAYONET 30V
2023-03-28 20:26:17
LAMP INCAND 30V CANDELABRA SCRW
2023-03-28 20:23:07
-30V P溝道MOSFET
2023-03-28 12:55:19
30V P溝道MOSFET
2023-03-27 11:54:35
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