英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45
203 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用DFN封裝的 TPS63802 2A、高效率、低IQ降壓/升壓轉換器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-07 10:11:32
0 Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化熱機械設計和裝配。
2024-02-29 12:50:34139 Nexperia（安世半導體）再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET，以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應用。
2024-02-29 11:44:53223 DFN封裝是一種先進的電子元件封裝工藝，與SMD封裝相比，DFN封裝提供了更高的靈活性和穩(wěn)定性。
2024-01-28 17:24:551388 了一款 100V MOSFET—— AONA66916 ，該器件采用AOS創(chuàng)新型雙面散熱DFN 5 x 6 封裝。客戶系統(tǒng)研發(fā)人員一直以來把 AOS 產(chǎn)品作為其方案設計的重要組件之一，幫助客戶實現(xiàn)各種高性能應用
2024-01-25 15:18:42617 
新發(fā)布的RX23E-B MCU配備125kSPS速率的ΔΣADC，其性能與分立式產(chǎn)品相當，可支持大多數(shù)工業(yè)傳感設備。
2024-01-04 18:23:53650 
作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美編輯 所有的分立式開關功率器件都需要驅動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC
2024-01-01 13:25:00401 
型號：APM3020PUC-TRL-VB絲印：VBE2317品牌：VBsemi參數(shù)說明：- MOSFET類型：P溝道- 額定電壓：-30V- 最大電流：-40A- 導通電阻（RDS(ON)）：18m
2023-12-14 15:59:51
該分立式穩(wěn)壓器具有與現(xiàn)代穩(wěn)壓器集成電路（IC）等效的完整功能。
2023-12-13 17:32:56289 
型號：DMP3020LSS-13-VB絲印：VBA2311品牌：VBsemi詳細參數(shù)說明：- 類型：P溝道MOSFET- 額定電壓（Vds）：-30V- 額定電流（Id）：-11A- 導通電
2023-12-13 15:40:04
基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 圖1顯示Littelfuse在HV分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品。作為業(yè)界最高電壓阻斷能力（高達4700V）器件的制造商
2023-12-01 11:04:49337 
加拿大蒙特利爾 - 11月27日 - 全球知名的電子元器件分銷商富昌電子最近榮獲 Diodes 公司頒發(fā)的2023年最佳全球分銷商獎。 Diodes公司是全球領先的高品質模擬、分立、邏輯和混合信號
2023-11-30 15:52:51131 
) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia
2023-11-30 09:12:02432 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《分立式元件對電源進行時序控制的優(yōu)缺點.pdf》資料免費下載
2023-11-29 11:36:070 高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應用
2023-11-24 14:57:39195 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《建立FETching分立式放大器的提示.pdf》資料免費下載
2023-11-23 15:05:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《集成壓控振蕩器的寬帶鎖相環(huán)能取代分立式解決方案嗎.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:15:030 英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255 
分立式封裝中還有一種叫作壓接封裝(Press Packs)或餅形封裝(Capsules)的，主要應用于功率模塊尚不能達到的高功率范圍。在極高功率范圍，功率芯片的大小可以是一個整晶圓，如下圖，所以具有圓形管腳的培養(yǎng)皿型封裝是圓形芯片的理想封裝形式。
2023-11-19 17:36:02455 
，并具有良好的冷卻系統(tǒng)。 通過 直接銅鍵合 （DCB） 安裝在水冷散熱器上的分立器件是設計工程師可用的一種解決方案，假設分立器件可以像表面貼裝器件 （SMD） 一樣安裝。 TO 247PLUS分立式封裝的回流焊 TO-247PLUS是一種理想的封裝，可
2023-11-16 17:26:531059 
設計供電網(wǎng)絡 (PDN) 時，決定使用電源模塊還是自研分立式電源解決方案，需要仔細考慮設計變量。
2023-11-16 16:32:51304 ) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領域的領軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。 三菱電機的功率半導體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領域實現(xiàn)大幅節(jié)
2023-11-14 10:06:00101 
在分立式封裝中，650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達150A的電流。該產(chǎn)品系列電流等級為40A至150A，有四種不同封裝類型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265 器件，能夠像IGBT一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何優(yōu)化SiC柵極驅動電路 。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應用 。 封裝 WBG半導體使高壓轉換器能夠在更接近
2023-11-09 10:10:02333 
無過熱危險的情況下實現(xiàn)充電速率最大化的熱調(diào)節(jié)功能? ESOP8/DFN2x2-8/DFN2x3-8/DFN3x3-8封裝? 符合RoHS標準描述PC3221是一款適用于單節(jié)鋰電池的完整恒流/恒壓
2023-11-08 10:12:35
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
列文章的第二部分 SiC柵極驅動電路的關鍵要求 和 NCP51705 SiC 柵極驅動器的基本功能 。 分立式 SiC 柵極驅 動 為了補
2023-11-02 19:10:01361 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
（UVLO）；
前緣沖裁（LEB）；
逐周期過電流保護（OCP）；
輸出開路/短路保護（OVP/OSP）；
熱折返保護（TFP）；
超溫保護（OTP）；
SO-7封裝；
應用
電源可調(diào)光LED燈；
脫機LED電源驅動程序；
2023-10-12 15:09:18
設計者提供了實現(xiàn)項目管理策略的機會，從而降低了開發(fā)成本并加快了上市速度。本文重點介紹分立式微控制器（MCU） 和分立式現(xiàn)場可編程門陣列 （FPGA）的組合，展示了這種架構如何適合高效和迭代的設計過程。利用研究資料、實證結果和案例研究，探討這種架構的好處，并提供示范性的應用。讀完本文，嵌入式系
2023-10-03 22:05:00733 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DFN2020MD-6:帶有側邊可濕焊盤的無引腳封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-27 10:06:111 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081 5mm×5mm表貼封裝中。相比于要在尺寸和帶寬之間艱難取舍的傳統(tǒng)分立式定向耦合器，該器件具有明顯的優(yōu)勢，尤其是在1GHz以下的頻率。使用ADL5920測量水位非常簡單。測量時，會使用一根由黃銅條制成
2023-09-20 07:06:00
LED 有幾種解決方案。較完善的分立式方案是將精密并聯(lián)穩(wěn)壓器和功率雙極性晶體管組合，采用電流吸收器配置。 ? 分立式LED驅動電路圖 在升壓轉換器的輸出級使用線性調(diào)節(jié)，可將 24 V 電源電壓轉換為 72 V，為兩個并聯(lián)的 LED 燈串提供所需的高電壓。兩
2023-09-19 03:17:18156 
DMT3020LFCL 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT3020LFCL 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效
2023-09-18 14:14:28
和功率水平。這些快速恢復硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車應用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
DMN3020UFDF 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMN3020UFDF 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理
2023-09-07 10:20:41
? 【 2023 年 8 月 3 日，德國慕尼黑訊】 小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應用設計方面發(fā)揮著至關重要的作用。此外，更高的功率密度還能實現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸
2023-09-06 14:18:431202 
的傳統(tǒng)解決方案由多個分立功率 MOSFET 和多個輔助組件組成。 在傳統(tǒng)的分立式解決方案中，設計人員至少需要兩個功率 MOSFET 用于充電器的 DC/DC 變換器：一個功率 MOSFET 用于防止電池電源回流到輸入端；如果需要電池的電源路徑管理功能，則還需要另一
2023-08-23 14:55:04289 產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
由微控制器中的定時器/計數(shù)器模塊產(chǎn)生，但如果您不想在電路中包含微控制器，那么使用分立邏輯組件生成信號也非常簡單。所示電路的擴展可以從 8 位數(shù)字輸入字產(chǎn)生兩個 PWM 波形。每個信號有 15 個值。例如
2023-08-09 15:55:18984 
。 通常，當在熱插拔和電熔絲應用中使用分立式 MOSFET 時，會假設只有一個 MOSFET 會傳導整個軟啟動電流。這是由于每個 MOSFET 的柵極閾值電壓存在多樣性。因此，即使并聯(lián)了多個 MOSFET，所有的功率損耗也只會發(fā)生在一個器件里。那么就需要加大 MOSFET 的額定值和封裝尺寸，
2023-07-28 16:25:51413 
QFN、DFN封裝是一種先進的封裝形式，即雙框架芯片封裝。它具有小體積、高密度、熱導性好等優(yōu)點，被廣泛應用于集成電路封裝領域。QFN、DFN封裝工藝包括以下幾個步驟：芯片切割：使用劃片機等設備將芯片
2023-07-24 09:30:23950 
通過AEC-Q101認證且可承受的接面溫度高達175°C，強茂P溝道MOSFET是汽車設計工程師理想的選擇，可實現(xiàn)簡化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:45526 3020 CNC + Arduino + GRBL + CN固件
2023-07-17 15:51:395 本文將介紹在設計分立式寬帶全差分PGIA時要注意的關鍵事項，并展示PGIA在驅動高速信號鏈μModule?數(shù)據(jù)采集解決方案時的精密性能。
2023-07-10 15:40:47265 
在現(xiàn)今電力電子領域，高壓（HV）分立功率半導體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
工廠后續(xù)還將開始更多產(chǎn)品型號碳化硅器件的樣品申請，并批量出貨中國市場。 C3M0040120K是一款1200 V/40 mΩ/66 A第三代分立式碳化硅MOSFET，采用TO-247-4封裝
2023-07-06 10:35:14373 在本文中，我將對不同的電機控制實現(xiàn)方案進行比較，包括分立式和完全集成式選項，從而幫助您找到適合您設計的方法。表 1 比較了各種電機控制選項的集成度。
2023-07-04 10:27:42427 
可穿戴設備只是可以從分立式RTC中受益的應用的一個例子。醫(yī)療設備是另一個領域。例如，糖尿病患者的胰島素筆由紐扣電池供電。如果這些筆中的微控制器必須始終保持打開狀態(tài)才能使內(nèi)置RTC運行，則電池將很快
2023-06-28 15:41:26322 ，以及用于小型Li+電池的電源路徑充電器。Mital解釋了PMIC如何為真無線立體聲（TWS）耳塞提供“一站式電源解決方案”。這種耳塞非常先進，通常具有用于主動降噪的附加麥克風、生物識別傳感器和微小外形的實時語言翻譯。“分立式或半分立式電源解決方案很難滿足這些要求，”Mital說。
2023-06-28 09:50:13227 1ns
DFN10封裝有使能引腳，待機時靜態(tài)功耗低至7uA
SOP8、HSOP8、DFN10、DFN8封裝
結溫范圍-40°C~150°C
NSD1224典型應用框圖納芯微NSD1224半橋驅動性能優(yōu)異
2023-06-27 15:14:07
目錄 ⊙擊穿電壓 ⊙導通電阻 ⊙跨導 ⊙閾值電壓 ⊙二極管正向電壓 ⊙功率耗散 ⊙動態(tài)特性 ⊙柵極電荷 ⊙dv/dt 能力 盡管分立式功率MOSFET的幾何結構，電壓和電流電平與超大規(guī)模集成電路
2023-06-17 14:24:52591 
請問新唐ARM內(nèi)核的QFN32封裝2腳5V供電的單片機?謝謝
2023-06-16 06:38:16
引言：和上一節(jié)不同的逆變器（傳送門：FCD-6：逆變器）不同的是，本節(jié)簡述的整流器是和逆變器相反的一個過程，即將交流電AC轉換為直流電DC。小功率輸入的可以由集成方案解決，功率稍大的都是采用分立方案，本節(jié)主要簡述分立式整流器的整流原理，集成式同理。
2023-06-14 16:45:31501 
引言：逆變器，inverter，即將直流電DC轉轉換為交流電AC的裝置，小功率輸出的可以由集成方案解決，功率稍大的都是采用分立方案，本節(jié)主要簡述分立式逆變器的逆變原理，集成式同理。
2023-06-13 17:11:311257 
MOS類型高低邊開關固有其優(yōu)勢，比如壓降小，損耗低，控制簡易，使用場景也比BJT類型的高低邊開關廣泛
2023-06-07 17:15:38467 
在深入研究關鍵參數(shù)之前，我們先來看看不同類型的負載開關。高壓側負載開關將負載與電源連接或斷開，由外部啟用信號控制開關將高壓側電源電流切換到負載。
2023-06-07 16:12:171355 
基于單個MOSFET拓撲的負載開關只能阻斷一個方向的電流，由于MOSFET有一個固有的體二極管，如果存在反向電流，它們的作用就像處于導通狀態(tài)的二極管
2023-06-07 16:09:252204 
需要通過負載開關將電路或子系統(tǒng)與電源斷開有幾個原因，一個非常簡單和常見的原因是，它有助于節(jié)省電力。
2023-06-07 15:35:32877 引言：當傳統(tǒng)設備與使用較小電平的新設備連接時，需要進行邏輯電平轉換。
2023-06-07 15:32:48621 
PRISEMI芯導產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
理由相信潮流正在轉變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。
2023-06-03 12:30:58382 
技術的不斷提升，國內(nèi)的終端應用客戶也更加趨向于實施國產(chǎn)化采購，給國內(nèi)半導體分立器件企業(yè)帶來更多的發(fā)展機遇。
根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會發(fā)布的《中國半導體行業(yè)發(fā)展狀況報告》顯示，2019 年中國半導體分立
2023-05-26 14:24:29
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
是否可以獲得HVQFN148 SOT2111-1封裝的3D STEP模型？
2023-05-12 07:21:34
TGF3021-SM 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF3021-SM 是一款 30 W (P3dB) 寬帶無可比擬的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 4 GHz
2023-05-11 10:54:16
TGF3020-SM 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF3020-SM 是一款 5W (P3dB)、50 歐姆輸入匹配的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，工作頻率范圍為 4.0 至
2023-05-11 10:47:06
TGF3015-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF3015-SM 是一款 10W (P3dB)、50 歐姆輸入匹配的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，工作頻率范圍為 30 MHz 至 3.0
2023-05-11 10:39:42
TGF2979-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2979-SM 是一款 25 W (P3dB) 寬帶無可比擬的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 12 GHz 和 32V
2023-05-11 10:20:37
TGF2978-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2978-SM 是一款 20 W (P3dB) 寬帶無可匹敵的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在直流至 12 GHz 和 32V 電源軌
2023-05-11 10:13:01
TGF2977-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2977-SM 是一款 5 W (P3dB) 寬帶無可比擬的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 12 GHz 和 32V 電源
2023-05-11 10:04:40
TGF2954產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2954 是一款分立式 5.04 mm GaN on SiC HEMT，工作頻率為 DC-12 GHz。TGF2954 通常提供 44.5 dBm 的飽和
2023-05-11 09:42:55
TGF2933 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2933 是一款 7 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT，可在 DC 至 25 GHz 和 28 V 電源下工作。該器件
2023-05-11 09:32:02
TGF2023-2-20 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2023-2-20 是基于 SiCHEMT 的分立式 20 mm GaN，工作頻率范圍為 DC 至 14 GHz
2023-05-10 20:18:21
TGF2023-2-10產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2023-2-10 是一款分立式 10 mm GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 DC 至 14 GHz。TGF2023-2-10
2023-05-10 20:07:14
TGF2023-2-05 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2023-2-05 是一款分立式 5.0 mm GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 DC 至 18 GHz
2023-05-10 20:00:44
TGF2023-2-02產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2023-2-02 是一款分立式 2.5 mm GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 DC 至 18 GHz。TGF2023-2-02
2023-05-10 19:52:31
TGF2023-2-01產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2023-2-01 是一款分立式 1.25 mm GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 DC 至 18 GHz。該器件通常提供 38
2023-05-10 19:13:39
QPD9300產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD9300 是一款 30 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 9.2 至 9.7 GHz，電源軌為 28 V
2023-05-10 13:11:25
QPD1425L產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD1425L 是一款 375W 分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz，通常提供 56.3dBm 的飽和
2023-05-10 13:04:06
QPD1425產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD1425 是一款 375W 分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz，通常提供 56.3dBm 的飽和輸出功率
2023-05-10 12:57:11
QPD1019產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD1019 是一款 500 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 2.9 至 3.3 GHz 和 50V 電源
2023-05-10 11:47:25
QPD1018 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD1018 是一款 500 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 2.7 至 3.1 GHz
2023-05-10 11:40:23
QPD1017產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD1017 是一款 450 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 3.1 至 3.5 GHz，采用 50V
2023-05-10 11:31:32
QPD1006產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD1006 是一款 450 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz 和 50V 電源
2023-05-09 19:01:23
QPD2160D 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD2160D 是一款分立式 1600 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2160D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準
2023-05-09 10:39:57
QPD2120D產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD2120D 是一款分立式 1200 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2120D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準 0.25um
2023-05-09 10:27:39
QPD2080D產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD2080D 是一款分立式 800 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2080D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準 0.25um
2023-05-09 10:15:57
QPD2060D產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD2060D 是一款分立式 600 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2060D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準 0.25um
2023-05-09 10:08:09
QPD2040D產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD2040D 是一款分立式 400 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2040D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準 0.25um
2023-05-09 09:57:54
QPD2025D產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD2025D 是一款分立式 250 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2025D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準 0.25um
2023-05-09 09:48:26
QPD2018D產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD2018D 是一款分立式 180 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2018D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準 0.25um
2023-05-09 09:37:38
Vishay 推出三款新系列汽車級表面貼裝標準整流器，皆為業(yè)內(nèi)先進的薄型可潤濕側翼 DFN3820A 封裝器件。
2023-04-28 09:09:53390 
溫濕度傳感器DFN封裝芯片管腳焊點保護防振動補強用底部填充膠應用由漢思新材料提供客戶的產(chǎn)品是DFN封裝IC芯片（雙邊無引腳扁平封裝）的溫濕度傳感器，尺寸為2.5*2.5*0.9(長寬高)客戶需要
2023-04-17 16:10:03495 
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應晶體管）是切換負載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結型晶體管（BJT）/第二個場效應晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負載開關具有更顯著的優(yōu)點。
2023-04-15 09:17:39512 
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論