等全系列產(chǎn)品線及行業(yè)應(yīng)用案例，展現(xiàn)了康盈半導(dǎo)體在存儲產(chǎn)品設(shè)計、開發(fā)、封裝測試、生產(chǎn)、客戶應(yīng)用等各個流程的綜合實力，獲得各行業(yè)客戶的肯定。 結(jié)合工業(yè)年會特性，康盈半導(dǎo)體此次年會重點展示了工業(yè)級存儲產(chǎn)品和部分客戶應(yīng)用案例。康盈半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域
2024-03-19 09:21:00
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想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
共讀好書 半導(dǎo)體產(chǎn)品在由二維向三維發(fā)展，從技術(shù)發(fā)展方向半導(dǎo)體產(chǎn)品出現(xiàn)了系統(tǒng)級封裝（SiP）等新的封裝方式，從技術(shù)實現(xiàn)方法出現(xiàn)了倒裝（FlipChip），凸塊（Bumping），晶圓級封裝（Wafer
2024-02-21 10:34:20176 
N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:18319 
服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯底材料的選擇、分類以及襯底與外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54474 半導(dǎo)體二極管是一種電子器件，由兩種不同類型的半導(dǎo)體材料組成，通常是P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。它具有兩個電極，即陽極和陰極。
2024-01-20 09:53:15288 半導(dǎo)體芯片封裝是指半導(dǎo)體器件的保護(hù)外殼。該保護(hù)殼可保護(hù)電路免受腐蝕和物理傷害，同時還便于連接電氣連接以將其與印刷電路板 (PCB) 連接。
2024-01-06 17:46:41295 
半導(dǎo)體放電管是一種采用半導(dǎo)體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開關(guān)特性。當(dāng)浪涌電壓超過轉(zhuǎn)折的電壓VBO時，器件被導(dǎo)通，這時它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
半導(dǎo)體分為哪幾種類型 怎么判斷p型半導(dǎo)體 p型半導(dǎo)體如何導(dǎo)電? 半導(dǎo)體是一種具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間特性的物質(zhì)，其導(dǎo)電性能可以通過控制雜質(zhì)的加入而改變。半導(dǎo)體可以分為兩種類型：p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體
2023-12-19 14:03:481382 “半導(dǎo)體”是一種特性介于“導(dǎo)體“和“絕緣體”之間的物質(zhì)，前者像金屬一樣導(dǎo)電，后者幾乎不導(dǎo)電，電流流動的容易程度與物質(zhì)電阻的大小有關(guān)。
2023-12-14 18:26:24538 
在本系列第二篇文章中，我們主要了解到半導(dǎo)體封裝的作用。這些封裝的形狀和尺寸各異，保護(hù)和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。在這篇文章中，我們將帶您了解半導(dǎo)體封裝的不同分類，包括制造半導(dǎo)體封裝所用材料的類型、半導(dǎo)體封裝的獨特制造工藝，以及半導(dǎo)體封裝的應(yīng)用案例。
2023-12-14 17:16:52442 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 根據(jù)不同的誘因，常見的對半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 功率半導(dǎo)體和集成電路是兩種不同類型的電子器件，它們在設(shè)計、制造、應(yīng)用等方面有著顯著的區(qū)別。下面將詳細(xì)介紹功率半導(dǎo)體和集成電路的區(qū)別。 一、定義 功率半導(dǎo)體指的是能夠承受較大功率和電流的半導(dǎo)體器件
2023-12-04 17:00:57682 據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 、晶閘管等等，主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）后來，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展，現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)非常廣泛，在計算機(jī)、通行、消費(fèi)
2023-12-03 16:33:191134 
按施敏教授的觀點，半導(dǎo)體器件有四個最基本的結(jié)構(gòu)單元：金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合，比如BJT由兩個背靠背的PN結(jié)構(gòu)成，MOSFET由MOS結(jié)構(gòu)和兩對PN結(jié)構(gòu)成。
2023-11-30 15:56:171033 
功率半導(dǎo)體有多種類型，我們可以使用它們的應(yīng)用甚至更多。基本上，所有功率半導(dǎo)體器件都可以分為三類：二極管、晶閘管和晶體管。
2023-11-27 13:24:26239 半導(dǎo)體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們在電子設(shè)備中發(fā)揮著重要的作用。本文將介紹半導(dǎo)體分立器件的基本概念、分類、應(yīng)用和發(fā)展趨勢。
2023-11-23 10:12:56792 
為了滿足應(yīng)用的散熱要求，設(shè)計人員需要比較不同半導(dǎo)體封裝類型的熱特性。在本博客中， Nexperia（安世半導(dǎo)體）討論了其焊線封裝和夾片粘合封裝的散熱通道，以便設(shè)計人員選擇更合適的封裝。 焊線器件
2023-11-20 01:35:37218 
其實除了這些傳統(tǒng)的封裝，還有很多隨著半導(dǎo)體發(fā)展新出現(xiàn)的封裝技術(shù)，如一系列的先進(jìn)封裝和晶圓級封裝等等。盡管半導(dǎo)體封裝技術(shù)不斷發(fā)展，但仍面臨著一些挑戰(zhàn)。首先，隨著半導(dǎo)體元件尺寸的不斷縮小，封裝
2023-11-15 15:28:431071 
，能夠像IGBT一樣進(jìn)行高壓開關(guān)，同時開關(guān)頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何優(yōu)化SiC柵極驅(qū)動電路 。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應(yīng)用 。 封裝 WBG半導(dǎo)體使高壓轉(zhuǎn)換器能夠在更接近
2023-11-09 10:10:02333 
環(huán)氧模塑料是一種重要的微電子封裝材料, 是決定最終封裝性能的主要材料之一, 具有低成本和高生產(chǎn)效率等優(yōu)點, 目前已經(jīng)成為半導(dǎo)體封裝不可或缺的重要材料。本文簡單介紹了環(huán)氧模塑料在半導(dǎo)體封裝中的重要作用
2023-11-08 09:36:56533 
型晶體管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和柵極驅(qū)動電壓的不同，可以分為N溝道-增強(qiáng)型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強(qiáng)型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件，主要用作電路和系統(tǒng)中的開關(guān)或整流器。如今，功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類活動的各個行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體，電動汽車包括功率半導(dǎo)體，飛機(jī)和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體。
2023-11-07 10:54:05459 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
高功率密度、非常緊湊的設(shè)計和簡化的裝配過程。該產(chǎn)品系列為系統(tǒng)設(shè)計人員提供了四件裝、六件裝和圖騰柱配置的選擇，以提高其靈活性。 這些模塊包括1,200V SiC電源開關(guān)，采用意法半導(dǎo)體尖端的第二代和第三代SiC MOSFET技術(shù)，以確保最小的RDS(on)值。這些器件以最小的溫度依賴性
2023-10-26 17:31:32741 金氧半場效晶體管（MOSFET）憑借其通用性和廣泛用途躋身于最受歡迎的晶體管之列。歐時電子指南將詳述這類晶體管的工作機(jī)制，并提供關(guān)于使用和選擇恰當(dāng)MOSFET類型的實用建議。
2023-10-26 10:36:16481 
第3代半導(dǎo)體一般指禁帶寬度大于2.2eV的半導(dǎo)體材料，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大致分為3個階段，以硅(Si)為代表的通常稱為第1代半導(dǎo)體材料 ;以砷化鎵為代表的稱為第2代半導(dǎo)體材料
2023-10-25 15:10:27278 
如今，半導(dǎo)體元器件已成為電子應(yīng)用中不可或缺的一部分。半導(dǎo)體元器件的需求主要受生命周期較短的消費(fèi)電子影響。
2023-10-24 16:43:51604 根據(jù)專利摘要，該實用新型公開了半導(dǎo)體電力配件的單元結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體電力配件。上述細(xì)胞結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電類型的移動區(qū)域有相對設(shè)定的第一表面和第二表面。第二導(dǎo)電類型的第一混入?yún)^(qū)形成于漂流區(qū)的第一表面。第一導(dǎo)電型的源區(qū)是第二導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)在遠(yuǎn)離漂移區(qū)的表面形成。
2023-10-20 10:13:28379 
功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計的時候，需要多一塊區(qū)域，來承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點之一。
2023-10-18 11:16:21878 
一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測試機(jī)專為以下測試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體制造過程中不可或缺的一部分，它保護(hù)了敏感的半導(dǎo)體元件并提供了與其他電子組件的電氣和機(jī)械接口。本文將詳細(xì)探討半導(dǎo)體封裝的功能和應(yīng)用范圍。
2023-09-28 08:50:491269 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
在本節(jié)中，我們將逐一闡述半導(dǎo)體發(fā)展的歷史性產(chǎn)品和世界主流半導(dǎo)體制程的代際演進(jìn)過程。從半導(dǎo)體主要制造階段所需主要材料的準(zhǔn)備開始，到最終的產(chǎn)品封裝階段，我們將沿著主流的半導(dǎo)體產(chǎn)品類型，半導(dǎo)體晶體管的制造
2023-09-22 10:35:47370 
將數(shù)萬計的半導(dǎo)體元器件組裝成一個緊湊的封裝體，與外界進(jìn)行信息交流，它的基本功能包括電源供給、信息交流、散熱、芯片保護(hù)和機(jī)械支撐。半導(dǎo)體封裝一般可
2023-09-21 08:11:54836 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25889 ▌峰會簡介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場，直擊智能熱點，共享前沿資訊，通過意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動加快可持續(xù)發(fā)展計劃，實現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
為了滿足應(yīng)用的散熱要求，設(shè)計人員需要比較不同半導(dǎo)體封裝類型的熱特性。在本文中，Nexperia(安世半導(dǎo)體)討論了其焊線封裝和夾片粘合封裝的散熱通道，以便設(shè)計人員選擇更合適的封裝。一、焊線器件
2023-09-08 16:57:17490 
為了滿足應(yīng)用的散熱要求，設(shè)計人員需要比較不同半導(dǎo)體封裝類型的熱特性。在本博客中， Nexperia(安世半導(dǎo)體)討論了其焊線封裝和夾片粘合封裝的散熱通道，以便設(shè)計人員選擇更合適的封裝。
2023-09-07 10:40:05449 
機(jī)、氟弧焊機(jī)、脈沖焊機(jī)等，本文將介紹武漢芯源半導(dǎo)體CW32F030系列單片機(jī)在電弧焊機(jī)中的應(yīng)用。
CW32F030系列MCU在電焊機(jī)的應(yīng)用框圖
方案特色：
●可實現(xiàn)對電焊機(jī)的自動化控制，可以通過輸入
2023-09-06 09:14:04
穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)洌酌?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain)和柵(Gate)三個主要區(qū)域組成。依照其“通道”(工作載流子的極性不同，可分為“N型“與“P 型”的兩種類型，通又稱為 NMOS與 PMOS。。
2023-09-01 09:53:331158 
半導(dǎo)體制冷器也叫半導(dǎo)體制冷模組、半導(dǎo)體熱電制冷模組、熱電制冷模塊，熱電制冷器等。它是由半導(dǎo)體制冷片及其兩側(cè)添加傳熱結(jié)構(gòu)組合而成的溫控器件。半導(dǎo)體制冷器兩側(cè)的傳熱結(jié)構(gòu)將制冷片冷面的制冷量與被冷卻空間
2023-08-25 17:58:421898 
，減少人力資源消耗，為半導(dǎo)體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動影像儀創(chuàng)新推出的飛拍測量、圖像拼接、環(huán)光獨立升降、圖像匹配、無接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測量需求，解決各行業(yè)尺寸測量難題。
2023-08-21 13:38:06
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
圖1為您呈現(xiàn)了半導(dǎo)體封裝方法的不同分類，大致可以分為兩種：傳統(tǒng)封裝和晶圓級（Wafer-Level）封裝。
2023-08-08 17:01:35553 
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
在電子工業(yè)的歷史中，硅(Si)已經(jīng)穩(wěn)定地成為半導(dǎo)體元器件的首選材料。從普通的晶體管到今天高度集成的芯片，硅都起到了不可替代的作用。但為什么在眾多元素和化合物中，人們會選擇硅作為制造半導(dǎo)體元器件的主要材料呢？本文將深入探討硅背后的秘密和它在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的無與倫比的地位。
2023-08-08 10:12:354873 
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，芯片集成度不斷提高，封裝尺寸越來越小，半導(dǎo)體器件面臨著更高的熱應(yīng)力挑戰(zhàn)。結(jié)溫過高不僅降低了器件的電氣性能，而且增加了金屬遷移率和其他退化變化，從而導(dǎo)致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:381962 
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031978 
] 了解不同類型的半導(dǎo)體封裝（第二部分）中，我們探討了不同類型的半導(dǎo)體封裝。本篇文章將詳細(xì)闡述半導(dǎo)體封裝設(shè)計工藝的各個階段，并介紹確保封裝能夠發(fā)揮半導(dǎo)體高質(zhì)量互連平臺作用的不同分析方法。
2023-08-07 10:06:19361 
電子封裝技術(shù)與器件的硬件結(jié)構(gòu)有關(guān)。這些硬件結(jié)構(gòu)包括有源元件1（如半導(dǎo)體）和無源元件2（如電阻器和電容器3）。因此，電子封裝技術(shù)涵蓋的范圍較廣，可分為0級封裝到3級封裝等四個不同等級。圖1展示了半導(dǎo)體封裝工藝的整個流程。
2023-08-01 16:45:03576 
經(jīng)過半導(dǎo)體制造（FAB）工序制備的電路圖形化晶圓容易受溫度變化、電擊、化學(xué)和物理性外部損傷等各種因素的影響。為了彌補(bǔ)這些弱點，將芯片與晶圓分離后再進(jìn)行包裝， 這種方法被稱為“半導(dǎo)體封裝
2023-07-28 16:45:31665 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
圖1為半導(dǎo)體封裝方法的不同分類，大致可以分為兩種：傳統(tǒng)封裝和晶圓級(Wafer-Level)封裝。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片，然后對芯片進(jìn)行封裝;而晶圓級封裝則是先在晶圓上進(jìn)行部分或全部封裝，之后再將其切割成單件。
2023-07-21 10:19:19879 
半導(dǎo)體功率
器件在全球
半導(dǎo)體市場中占有重要的位置，其在新能源、
工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。然而，中國的
半導(dǎo)體功率
器件產(chǎn)業(yè)與全球領(lǐng)先的
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國家相比，還存在一定的差距。本文將探討中國的
半導(dǎo)體功率
器件產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，與國際先進(jìn)水平的差距以及未來的發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2023-07-19 10:31:11603 
在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導(dǎo)體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
圖1為您呈現(xiàn)了半導(dǎo)體封裝方法的不同分類，大致可以分為兩種：傳統(tǒng)封裝和晶圓級（Wafer-Level）封裝。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片，然后對芯片進(jìn)行封裝；而晶圓級封裝則是先在晶圓上進(jìn)行部分或全部封裝，之后再將其切割成單件。
2023-07-04 09:20:311216 
國際上對封裝外形標(biāo)淮化工作開展得較早，一般采用標(biāo)淮增補(bǔ)單或外死注冊形式。 IEC SC47D 發(fā)布的 IEC 60191-2《半導(dǎo)體器件封裝標(biāo)準(zhǔn) 第2部分：外形》標(biāo)準(zhǔn)是以不斷發(fā)布補(bǔ)充件的形式，將新型
2023-06-30 10:17:081098 近日，小編收到客戶的咨詢，BGA的封裝測試怎么做？需要什么試驗設(shè)備？半導(dǎo)體封裝推拉力測試機(jī)是一種專門用于測試半導(dǎo)體封裝器件的推拉力性能的設(shè)備。封裝器件是將芯片封裝在外部保護(hù)殼內(nèi)的組件，常見的封裝形式
2023-06-26 10:07:59581 
半導(dǎo)體芯片是如何封裝的？這是一個很好的問題。半導(dǎo)體芯片通常需要被封裝起來才能使用。封裝工藝的目標(biāo)是將裸露的芯片保護(hù)起來，同時連接它們到外部引腳，以便于在電路板等設(shè)備中使用。
2023-06-21 14:33:561349 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32562 現(xiàn)可提供具備高效開關(guān)和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封裝 ? 奈梅亨， 2023 年 6 月 21 日： 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴(kuò)充NextPower
2023-06-21 09:21:57595 
（VLSI）設(shè)備采用的設(shè)計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導(dǎo)體加工工藝。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應(yīng)晶體管發(fā)展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號。雙極結(jié)型晶體管（BJT)自身的局限性驅(qū)動了功率
2023-06-17 14:24:52591 
廣，不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū)，都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累，研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級結(jié)MOSFET，具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
功率電子器件即功率半導(dǎo)體器件（power electronic device），通常是指用于控制大功率電路的電子器件（數(shù)十至數(shù)千安培的電流，數(shù)百伏以上的電壓）以及轉(zhuǎn)換電力設(shè)備間電能的器件。功率半導(dǎo)體
2023-06-09 15:49:241816 
應(yīng)用領(lǐng)域：
CMS32M65xx系列MCU是中微半導(dǎo)體電機(jī)控制產(chǎn)品線主力產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用于空氣凈化器、落地扇、油煙機(jī)、吸塵器、高速吹風(fēng)筒、高壓水泵、三相服務(wù)器風(fēng)扇、單相風(fēng)機(jī)、筋膜槍、電鉆、扳手等典型
2023-06-09 09:11:16
蘭奈梅亨--(美國商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導(dǎo)體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術(shù)實現(xiàn)具有史上最低導(dǎo)通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 半導(dǎo)體制冷片是電子器件中重要的輔助元件，用于控制器件的溫度，從而保證器件的穩(wěn)定性和可靠性。在半導(dǎo)體制冷片的制造過程中，半導(dǎo)體制冷片的基板材料選擇是非常關(guān)鍵的，因為基板材料的性能會直接影響到制冷片的性能。
2023-06-08 11:34:191244 
PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
MOSFET 等類型；從技術(shù)發(fā)展趨勢看，采用制程復(fù)雜芯片工藝以及采用氮化鎵等新型材料和與之相匹配的封裝工藝制造具有優(yōu)異性能參數(shù)產(chǎn)品是場效應(yīng)管生產(chǎn)廠商不斷追蹤的熱點。
廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱
2023-05-26 14:24:29
功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛，幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè)，傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機(jī)等。近年來，新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、航空航天及武器裝備等也逐漸成為了功率半導(dǎo)體分立器件的新興應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-05-26 09:51:40573 本文以半導(dǎo)體封裝技術(shù)為研究對象，在論述半導(dǎo)體封裝技術(shù)及其重要作用的基礎(chǔ)上，探究了現(xiàn)階段半導(dǎo)體封裝技術(shù)的芯片保護(hù)、電氣功能實現(xiàn)、通用性、封裝界面標(biāo)準(zhǔn)化、散熱冷卻功能等諸多發(fā)展趨勢，深入研究了半導(dǎo)體前端
2023-05-16 10:06:00497 據(jù)統(tǒng)計，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲能逆變器里占比高、數(shù)量多，是必不可少的半導(dǎo)體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
摘要半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步使得芯片的尺寸得以不斷縮小，倒逼著封裝技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，也由此產(chǎn)生了各種各樣的封裝形式。當(dāng)前功率器件的設(shè)計和發(fā)展具有低電感、高散熱和高絕緣能力的屬性特征，器件封裝上呈現(xiàn)出模塊化
2023-04-20 09:59:41710 及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計2021年我國半導(dǎo)體分立器件市場規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國內(nèi)市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計2021年我國半導(dǎo)體分立器件市場規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國內(nèi)市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
中國北京（2023年4月12日）—業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布，旗下車規(guī)級GD25/55 SPINOR Flash和GD5F SPI NAND Flash系列
2023-04-13 15:18:46
二極管常見的封裝類型，DO-15、DO-27、SOD-323、SOD-723等，相信大家都很熟悉。圖源：百度百科封裝指的是安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。對于電子元器件來說，封裝是非常有必要
2023-04-13 14:09:54
怎樣根據(jù)霍爾電壓的極性來判斷半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型呢？
2023-04-13 11:03:35
封裝類型的選擇是IC 設(shè)計和封裝測試的一個重要環(huán)節(jié)。如果封裝類型選擇不當(dāng)，可能會造成產(chǎn)品功能無法實現(xiàn)，或者成本過高，甚至導(dǎo)致整個設(shè)計失敗。
2023-04-03 15:09:42848 封裝類型的選擇是IC 設(shè)計和封裝測試的一個重要環(huán)節(jié)。如果封裝類型選擇不當(dāng)，可能會造成產(chǎn)品功能無法實現(xiàn)，或者成本過高，甚至導(dǎo)致整個設(shè)計失敗。
2023-04-03 15:09:051109 已全部加載完成
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