利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:46
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為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03376 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1.5A 輸出電流高功率密度降壓/升壓轉(zhuǎn)換器TPS631000數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-07 10:23:21
0 ? 在處理激光光學(xué)時(shí)，功率和能量密度是需要理解的兩個(gè)重要概念。這兩個(gè)術(shù)語經(jīng)常互換使用，但含義不同。表1定義了與激光光學(xué)相關(guān)的功率密度、能量密度和其他相關(guān)術(shù)語。 表1：用于描述激光束和其他電磁輻射
2024-03-05 06:30:22167 
側(cè)輸出電壓和輸電電流，分別計(jì)算各采集時(shí)間點(diǎn)(每分鐘)輸出功率和輸出效率，為直觀展現(xiàn)逆變器效率，可將不同負(fù)載情況下轉(zhuǎn)換效率擬合得到輸出效率分布趨勢圖，同時(shí)可根據(jù)不同負(fù)載率工況的轉(zhuǎn)換效率計(jì)算出逆變器平均
2024-02-22 15:15:01
變頻器的輸入功率因數(shù)比輸出功率因數(shù)高的原因是什么？
在變頻器輸出達(dá)到額定電流輸出的時(shí)候，變頻器的功率因數(shù)也是比較低的，以37KW為例，37000/380/75/1.732=0.75，為什么變頻器在
2024-02-22 11:24:15
今天測試一臺大功率的逆變器，380V500KW，上電先是用可調(diào)直流源，調(diào)整欠壓點(diǎn)為250V，直流電源輸出設(shè)定為350V，電流輸出設(shè)定為0.2，0.5，2，5A，分別設(shè)定為如上數(shù)值時(shí)，直流源的輸出功率
2024-02-18 19:52:20
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44144 
逆變器的主要參數(shù)包括輸入電壓、輸出電壓、輸出頻率、最大輸出功率、效率、波形失真率、負(fù)載調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率、過載能力和保護(hù)功能等。 最大交流功率：指逆變器能夠提供的最大功率。通常，逆變器的命名
2024-01-23 10:39:30470 至關(guān)重要的作用。傳統(tǒng)的光伏并網(wǎng)逆變器通常采用IGBT器件，但由于該種器件的開關(guān)速度受到電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)影響，使得逆變器的開關(guān)頻率難以提高，這就限制了光伏逆變器效率和功率密度的提升。與傳統(tǒng)的 Si 器件相比
2024-01-19 09:43:03457 
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場強(qiáng)；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
小米超級電機(jī)V8s最大馬力為578PS，峰值功率達(dá)425kW，峰值扭矩635N·m，最高效率達(dá)98.11%，具有全球領(lǐng)先的電機(jī)功率密度，高達(dá)10.14kW/kg。
2024-01-10 16:13:41115 
iC逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44137 
。以下是設(shè)計(jì)SiC逆變器的一般流程： 需求分析：首先需要明確SiC逆變器的應(yīng)用需求，包括輸入電壓范圍、輸出電壓頻率、功率等級、工作溫度范圍等。這些需求將決定SiC逆變器的基本參數(shù)和性能指標(biāo)。 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：根據(jù)需求分析，選擇合適的
2024-01-10 14:42:56190 2024年1月4日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
2024-01-05 09:45:01227 
近日，迪龍新能源（Dilong New Energy）推出了一款輸出功率可達(dá)12kW的大功率DC/DC變換器，該變換器型號為DE12KS32A-560S400CA，可應(yīng)用于光伏儲能系統(tǒng)中。
2024-01-03 11:37:54415 事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
第三代功率半導(dǎo)體碳化硅SiC具有高耐壓等級、開關(guān)速度快以及耐高溫的特點(diǎn)，能顯著提高電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。
2023-12-28 16:08:18686 
一臺高壓電機(jī)額定功率5100KW,那它實(shí)際上能輸出多少功率？
輸出功率也就是有功功率，這個(gè)應(yīng)該跟功率因數(shù)有關(guān)。
那它最大輸出功率也不會超出5100KW,它的總功率也就是5100KW.
我如果讓電機(jī)
2023-12-27 07:22:49
，60W GaN MMIC HPA最低頻率(MHz)：13400最高頻率(MHz)：15500最高值輸出功率(W)：60額定電壓(V)：28模式：封裝的MMIC封裝類別：法蘭盤、模具技術(shù)性：GaN-on-SiC
2023-12-26 09:52:16
AP9523高功率密度5V/2.5A模塊電源方案
2023-12-25 13:36:42235 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中，功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07276 
據(jù)介紹，該技術(shù)利用SiC電源開關(guān)以提高效率，并提供更高的功率密度、功率轉(zhuǎn)換和安全合規(guī)性，預(yù)計(jì)將于 2027 年 1 月投產(chǎn)。
2023-12-20 11:40:50134 
隨著電動汽車（EVs）的銷售量增長，整車OBC（車載充電器）的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續(xù)航里程。因此，我們將探討如何設(shè)計(jì)、選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以及如何通過GaN HEMT設(shè)備最大化OBCS的功率密度。
2023-12-17 11:30:00617 
，GaN具有更好的性能；包括更高的擊穿場強(qiáng)；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與GaAs晶體管相比，GaN HEMT還具有更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96130F使用金屬/陶瓷法蘭封裝可以實(shí)現(xiàn)
2023-12-13 10:10:57
功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時(shí)導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。
2023-12-13 09:39:26302 
：
功率Kw
密度kg/dm3
流量l/s
揚(yáng)程m
重力加速度9.8m/s2
2、例如：水泵流量為7000l/min，揚(yáng)程為25m，泵的效率為0.83。
則水泵的軸功率為：
P=1.0*（7000/60
2023-12-11 08:05:20
5.5kw電機(jī)空載電流為額定電流的50%左右，那么是不是說電機(jī)此時(shí)的功率也是50%左右呢？
空載光電機(jī)轉(zhuǎn)，輸出的扭矩也是額定的50%？
如何知道功率因數(shù)？
我現(xiàn)在想通計(jì)算不同負(fù)載下的電機(jī)輸出功率。
另外我想問一下效率η在不同工況下的值是一樣的嘛？
2023-12-11 07:15:55
MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用，推薦使用瑞森半導(dǎo)體SiC MOS系列，簡化逆變電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并提高功率密度
2023-12-08 12:00:21558 
MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用,推薦使用瑞森半導(dǎo)體SiC MOS系列,簡化逆變電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并提高功率密度
2023-12-08 10:57:48197 
二極管射頻測試電路是用來測試射頻信號的電路，它的輸出功率可以通過測量電路中的電壓和電流來計(jì)算得出。
2023-12-08 09:11:57214 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度.doc》資料免費(fèi)下載
2023-12-06 14:39:00308 功率半導(dǎo)體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級應(yīng)用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例
2023-12-05 15:06:06364 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
AD9788中輸出功率在匹配50歐姆的情況下最高輸出功率是多少，為什么提高載波nco的頻率會導(dǎo)致輸出功率變小，變小的因素是什么 變小的幅度是多少？
2023-12-01 06:52:40
通過GaN電機(jī)系統(tǒng)提高機(jī)器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27220 
最近用ADI的AD9788芯片，采用標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字正交上變頻功能。輸入時(shí)鐘800MHz，輸出信號150MHz，四倍插值，采樣率200MHz?，F(xiàn)在輸出信號功率非常小，只有大約-35dBm左右，請問大家有沒有用過這個(gè)芯片，輸出功率大約是多少？如何調(diào)整輸出功率變大？謝謝！
2023-11-27 09:22:33
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38279 
非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)
2023-11-23 09:08:35284 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對電力運(yùn)作的需求日益攀升，這無疑對電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計(jì)這一趨勢將持續(xù)下去，從而實(shí)現(xiàn)新的市場、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計(jì)工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案如何采用寬帶隙（WBG）技術(shù)，幫助
2023-11-16 13:28:337015 
中，正逐漸引入 SiC 器件以及更高的母線電壓，提升充電功率。這一趨勢也對隔離式偏置供電電源的設(shè)計(jì)提出了新的要求，對此，MPS 推出 LLC 變壓器驅(qū)動芯片以及隔離式偏置電源模塊解決方案，助力高功率密度的充電系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 演講大綱： 1. 隔離式偏置電源的挑戰(zhàn) 2. LLC 變壓器
2023-11-15 12:15:01202 
備份
微型儲能
能量收集
DDR電源備份
EDLC串聯(lián)超級電容器模塊
Supercapacitor
與徑向超級電容器和紐扣式超級電容器相比，該產(chǎn)品能夠在高能量和功率密度的情況下滿足高達(dá)7.5V
2023-11-06 14:18:58
我設(shè)想輸出功率起碼，100瓦以上。而現(xiàn)在的輸出功率不到20W，求大神指導(dǎo)，是哪里的配置不對。限制了輸出功率。
EG2014IC技術(shù)文檔，拓?fù)鋱D
2023-10-26 22:39:31
模塊的高效率、高功率密度和高可靠性的挑戰(zhàn)需要通過持續(xù)的模塊改進(jìn)來支持。阻斷電壓為 1700V 和 3300V 的全 SiC MOSFET 模塊已從研究階段成功開發(fā)到量產(chǎn)，并滿足最高的牽引質(zhì)量、可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)。 封裝和芯片移位 近年來，下一代高功率
2023-10-24 16:11:30382 
網(wǎng)分的射頻輸出功率如何設(shè)置？改動射頻輸出功率，對測試參數(shù)有什么影響？ 網(wǎng)分器是一種常用的高頻器件，它可以將輸入的高頻信號分成兩個(gè)或多個(gè)輸出端口，用于進(jìn)行不同的測試或應(yīng)用。網(wǎng)分器的射頻輸出功率是指在
2023-10-20 14:44:20557 點(diǎn)擊 “東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿電場和高功率密度、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)越的物理性能，應(yīng)用前景廣闊。 目前，東芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:02268 
未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項(xiàng)目。同時(shí)，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:31395 
） 功率密度高的模塊 采用Si3N4陶瓷的低熱阻設(shè)計(jì) 低寄生電感的模塊設(shè)計(jì)設(shè)計(jì) 400A 650V NPC-I 拓?fù)?采用G5T技術(shù)平臺芯片（對標(biāo)S5） 0 2 應(yīng)用價(jià)值 通過HV-H3TRB的可靠性實(shí)驗(yàn) 芯片技術(shù)平臺升級（5代）
2023-10-12 19:25:01489 
在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多，并且不會很快從電力應(yīng)用中消失。但一級制造商和原始設(shè)備制造商表示，將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)計(jì)中，可以降低系統(tǒng)級成本，因?yàn)樾枰俚慕M件，從而節(jié)省了空間和重量。
2023-10-08 15:24:59595 
主體結(jié)構(gòu)采用SPM的結(jié)構(gòu)，極槽布置布置采用：12極18槽，最高轉(zhuǎn)速20000rpm，功率密度52.43kW/L，磁鋼型蛤采用：N50，硅鋼材料采用：Arnon 5
2023-10-08 10:48:51201 
電力電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設(shè)計(jì)涵蓋多軸驅(qū)動器、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
10kw-13kw單相組串式光伏太陽能逆變器
2023-09-20 15:20:41318 
; 0.98 @ 100% 負(fù)載? iTHD < 5% @ 100% 負(fù)載? 保持時(shí)間: 10ms? 功率密度高達(dá) 40W/inch^3? 峰值涌入電流 < 30A
2023-09-07 06:00:23
賽晶科技表示，為電動汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
2023-09-02 09:42:41316 
，比如近幾年，單電機(jī)的功率越來越大，功率密度越來越高，每一次性能上的提升都是材料、散熱、電路控制方面的進(jìn)步。 ? 此前《中國制造2025重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖》中的目標(biāo)是，到2025年和2030年，國內(nèi)乘用車驅(qū)動電機(jī)20s有效比功率分別要達(dá)到≥
2023-08-19 02:26:001870 
依靠簡單的經(jīng)驗(yàn)法則來評估電源模塊密度的關(guān)鍵因素是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，例如電源解決方案開關(guān)頻率與整體尺寸和密度成反比；與驅(qū)動系統(tǒng)密度的負(fù)載相比，功率密度往往以不同的速率變化；因此合理的做法是將子系統(tǒng)和相關(guān)器
2023-08-18 11:36:27264 電源的壓力，主要有兩點(diǎn)： 水漲船高的功率： 服務(wù)器GPU和CPU功耗加劇使得其功率密度直逼100W/inch3； 愈發(fā)苛刻的效率： 國家雙碳目標(biāo)，歐盟2023年實(shí)現(xiàn)鈦金效率的新法規(guī)要求，使得服務(wù)器電源需要向更高效率的方向演進(jìn)。 兩手都要抓，兩手都要硬。
2023-08-03 14:07:33597 
600kW 三相逆變器展示了通過使用六個(gè) Wolfspeed XM3 半橋功率模塊獲得的系統(tǒng)級功率密度和效率。重量和體積僅為標(biāo)準(zhǔn)62mm模組的一半；XM3 封裝可最大限度地提高功率密度，同時(shí)最大
2023-08-02 09:55:24
這款 200kW 三相逆變器展示了通過使用 Wolfspeed 的新型 XM3 功率模塊平臺獲得的一流系統(tǒng)級功率密度和效率。XM3功率模塊平臺針對高密度SiC MOSFET進(jìn)行了優(yōu)化；低電感足跡；這
2023-08-02 09:49:23
這款 250kW 三相逆變器展示了通過使用 Wolfspeed 的新型 XM3 功率模塊平臺獲得的一流系統(tǒng)級功率密度和效率。XM3功率模塊平臺針對高密度SiC MOSFET進(jìn)行了優(yōu)化；低電感足跡；這
2023-08-02 09:44:13
這款 300kW 三相逆變器展示了通過使用 Wolfspeed 的新型 XM3 功率模塊平臺獲得的一流系統(tǒng)級功率密度和效率。XM3功率模塊平臺針對高密度SiC MOSFET進(jìn)行了優(yōu)化；低
2023-08-02 09:39:38
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高功率密度200W游戲適配器TM PFC+HB LLC轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-31 15:28:514 幾乎每個(gè)應(yīng)用中的半導(dǎo)體數(shù)量都在成倍增加，電子工程師面臨的諸多設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)都?xì)w結(jié)于需要更高的功率密度。
2023-07-11 11:21:34220 
為什么提高功率密度是轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員的重要目標(biāo)？不論是數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等能源密集型系統(tǒng)，還是道路上越來越智能的車輛，為其供電的電源轉(zhuǎn)換電路需要能夠在更小的空間內(nèi)處理更大的功率。真的就是那么簡單。
2023-07-08 11:14:00343 GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計(jì)
2023-06-21 07:35:15
為了滿足數(shù)據(jù)中心快速增長的需求，對電源的需求越來越大更高的功率密度和效率。在本文中，我們構(gòu)造了一個(gè)1.5 kW的LLC諧振變換器模塊，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01:43
功率密度本設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標(biāo)準(zhǔn)足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
100khz，軟開關(guān)雙向Boost-SRC的開關(guān)頻率在上面400khz，最大工作頻率800khz。PFC電感和變壓器體積明顯減小，功率密度可達(dá)3.9kW/L。
2023-06-16 08:59:35
90vac時(shí)效率為94.5%，在230vac時(shí)效率為95.8%與之前最先進(jìn)的設(shè)計(jì)相比，效率至少提高1%，節(jié)能高達(dá)20%。估計(jì)外殼尺寸為100cc，功率密度為1.4 W/cc。
2023-06-16 08:06:45
NSP-1600是一款1.6KW單組輸出機(jī)殼型交流變直流電源供應(yīng)器, 1U低外型并且具有25W/in'高功率密度。整系列輸入電壓范圍為90~264VAC，并且能提供可滿足大部分工業(yè)需求的直流輸出。
2023-06-14 11:06:00377 
SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性，能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的追捧。
2023-06-09 15:20:53499 
逆變器效率是衡量逆變器性能的重要技術(shù)參數(shù)。逆變器效率是指在規(guī)定條件下，輸出功率與輸入功率之比，以百分?jǐn)?shù)表示。逆變器效率數(shù)值可反映逆變器自身損耗功率值。一般情況下，光伏逆變器的標(biāo)稱效率是指純阻負(fù)載，80%（個(gè)人理解：此處80%指實(shí)際輸出容量與額定輸出容量的比值）負(fù)載情況下的效率。
2023-06-07 10:07:443753 得益于自適應(yīng)M懸架配置的驅(qū)動系統(tǒng)技術(shù)，i7 M70 xDrive車型后軸電機(jī)的功率密度達(dá)到了新的水平。該車型后軸電機(jī)驅(qū)動模塊采用六相雙逆變器設(shè)計(jì)，電機(jī)功率密度可達(dá)2.41 kW/kg，與i7 xDrive60車型的驅(qū)動模塊相比
2023-05-25 14:32:33497 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨(dú)特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091057 
牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng)，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 來實(shí)現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。
2023-05-23 15:09:46385 
和30.500kW/6V輸出時(shí)，體積和重量減少6%，磁性元件的功率損耗降低400%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，SiC功率器件比硅基功率器件具有卓越的性能，在98 V/5 A輸出的轉(zhuǎn)換器中，500 kHz時(shí)的峰值轉(zhuǎn)換器效率接近400.16%。
2023-05-20 16:51:591210 
800 V 架構(gòu)降低了損耗，該行業(yè)還需要尺寸縮小但輸出功率增加的逆變器，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超硅（Si）基技術(shù)（如 IGBT）能力的功率密度。
2023-05-20 16:00:231161 
器件實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，尤其是 ATDI 的新型 Kodiak 電源平臺，其功率密度高達(dá) 40 W/in3。此外，Wolfspeed 具有開發(fā)穩(wěn)定 SiC 解決方案的悠久歷史，能夠幫助 ATDI 提供性能更出色的功率轉(zhuǎn)換器，反之亦可幫助客戶提升工藝控制水平。
2023-05-20 15:46:51436 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
該系列產(chǎn)品使用我司自主技術(shù)研發(fā)，提供3年質(zhì)保，滿足UL/CE/CB認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，工作溫度范圍寬、效率高、空載功耗低，具有輸入欠壓保護(hù)，輸出過壓、過流、短路保護(hù)等功能，擁有小體積高功率密度的優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于工控、電力、儀器儀表、通信等領(lǐng)域，為后端客戶產(chǎn)品開發(fā)運(yùn)行保駕護(hù)航。
2023-05-12 14:17:10450 
又是逆變器實(shí)現(xiàn)高傳輸效率、高功率密度的關(guān)鍵器件，目前電動汽車驅(qū)動逆變器絕大部分是基于傳統(tǒng)Si(硅)器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊的設(shè)計(jì)，存在開關(guān)頻率低、損耗大的缺點(diǎn)，外圍配套濾波器體積大，質(zhì)量重，制約了逆變控制器功率密度的提高。
2023-05-11 14:04:531486 
LTM4620 μModule 穩(wěn)壓器是一款真正的高密度電源解決方案。它在高功率密度穩(wěn)壓器領(lǐng)域脫穎而出，因?yàn)樗芾頍崃?，這是許多宣稱的高密度解決方案的致命缺陷。它具有兩個(gè)高性能穩(wěn)壓器，封裝在卓越
2023-04-14 11:20:21645 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 隨著科技發(fā)展和環(huán)境保護(hù)的要求，電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率變得越來越重要。圖騰柱PFC作為提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度的重要拓?fù)湟彩艿搅嗽S多人的關(guān)注。那么利用圖騰柱PFC如何在
2023-04-13 00:30:04635 
最大輸入功率：最大輸入功率是指逆變器最多能處理的電能輸入功率。一般來說，太陽能電池板的輸出功率會有限制，而逆變器的最大輸入功率也會有限制，因此需要根據(jù)太陽能電池板輸出功率與逆變器的最大輸入功率進(jìn)行匹配。
2023-04-09 13:51:311060 作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個(gè)令人興奮的機(jī)會，以實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實(shí)現(xiàn)，如今能滿足世界日益增長的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實(shí)現(xiàn)。
2023-04-07 09:16:45575 
對于快充而言，充電功率相比較交流充電，具體的充電電壓和電流并沒有限制，從20kW、40kW、60kW到200kW、250kW、350kW都有。只要輸入（電網(wǎng)）和輸出端（車輛）支持，可以做的很大。
2023-04-06 10:44:0913210 交通應(yīng)用中電氣化的趨勢導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。
2023-03-30 17:37:53914 THESPRINGEQUINOXPD快充icU6649滿足輸出功率達(dá)27WPD快充最佳應(yīng)用場景，除了手機(jī)、筆記本，還有移動電源，當(dāng)然，隨著功率的增大，更多的場景將會被挖掘。PD快充icU6649
2023-03-30 15:11:32509 
電機(jī)控制器整體重量低于7.5kg，厚度76mm，功率密度為34kW/kg，SiC用在車用逆變器上，可以使開關(guān)損耗降低75％（芯片溫度為150°C）。在相同封裝下，全SiC模塊具備更高的電流輸出能力，支持逆變器達(dá)到更高功率。
2023-03-30 09:39:251229 功率密度指標(biāo)評價(jià)需要在一定的前提條件下進(jìn)行，與指標(biāo)定義、評價(jià)對象、運(yùn)行電壓、工作溫度及其冷卻條件、持續(xù)時(shí)間、恒功率調(diào)速范圍等因素密切相關(guān)，不同前提下功率密度量化指標(biāo)差異巨大。
2023-03-27 14:12:002004 對于電源管理應(yīng)用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡單：它指的是轉(zhuǎn)換器的額定（或標(biāo)稱）輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積，如圖1所示。
2023-03-23 09:27:49710 
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