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硅光電池結構

2009年12月01日 11:37 www.qldv.cn 作者:佚名 用戶評論(0

光電池結構

硅光電池結構如圖2.4—1所示。利用硅片制成PN結,在P型層上貼一柵形電極,N型層上鍍背電極作為負極。電池表面有一層增透膜,以減少光的反射。由于多數載流子的擴散,在N型與P型層間形成阻擋層,有一由N型層指向P型層的電場阻止多數載流子的擴散,但是這個電場卻能幫助少數載流子通過。當有光照射時,半導體內產生正負電子對,這樣P型層中的電子擴散到PN結附近被電場拉向N型層,N型層中的空穴擴散到PN結附近被阻擋層拉向P區,因此正負電極間產生電流;如停止光照,則少數載流子沒有來源,電流就會停止。硅光電池的光譜靈敏度最大值在可見光紅光附近(800nm),截止波長為1100nm。圖2.4—2表示硅光電池靈敏度的相對值。

圖2.4—1 硅光電池構造

圖2.4—2 硅光電池的光譜靈敏度

  使用時注意,硅光電池質脆,不可用力按壓。不要拉動電極引線,以免脫落。電池表面勿用手摸。如需清理表面,可用軟毛刷或酒精棉,防止損傷增透膜。

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