將具有已知和可控特性的特種金屬箔片敷在特殊陶瓷基片上，形成熱機平衡力對于電阻成型是十分重要的。然后，采用超精密工藝光刻電阻電路。這種工藝將低 TCR、長期穩定性、無感抗、無 ESD 感應、低電容、快速熱穩定性和低噪聲等重要特性結合在一種電阻技術中。

　　這些功能有助于提高系統穩定性和可靠性，精度、穩定性和速度之間不必相互妥協。為獲得精確電阻值，大金屬箔晶片電阻可通過有選擇地消除內在“短板”進行修整。當需要按已知增量加大電阻時，可以切割標記的區域 (圖2)，逐步少量提高電阻。

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　　圖2

　　合金特性及其與基片之間的熱機平衡力形成的標準溫度系數，在0 °C 至 + 60 °C 范圍內為 ± 1 ppm/°C (Z 箔為0.05 ppm/°C) (圖3)。

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　　圖3

　　采用平箔時，并聯電路設計可降低阻抗，電阻最大總阻抗為 0.08 uH。最大電容為 0.05 pF。1-kΩ 電阻設置時間在 100 MHZ以下小于 1 ns。上升時間取決于電阻值，但較高和較低電阻值相對于中間值僅略有下降。沒有振鈴噪聲對于高速切換電路是十分重要的，例如信號轉換。

　　100 MHZ 頻率下，1-kΩ 大金屬箔電阻直流電阻與其交流電阻的對比可用以下公式表示：

　　交流電阻/直流電阻 = 1.001

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　　圖4: 大金屬箔電阻結構

　　金屬箔技術全面組合了高度理想的、過去達不到的電阻特性，包括低溫度系數(0 °C 至 + 60 °C 為 0.05 ppm/°C)，誤差達到 ± 0.005 % (采用密封時低至 ± 0.001 %)，負載壽命穩定性在 70 °C，額定加電2000小時的情況下達到 ± 0.005 % (50 ppm)，電阻間一致性在 0 °C 至 + 60 °C 時為 0.1 ppm/°C，抗 ESD 高達 25 kV。

　　性能要求

　　當然并非每位設計師的電路都需要全部高性能參數。技術規格相當差的電阻同樣可以用于大量應用中，這方面的問題分為四類：

　　(1) 現有應用可以利用大金屬箔電阻的全部性能升級。

　　(2) 現有應用需要一個或多個，但并非全部“行業最佳”性能參數。

　　(3) 先進的電路只有利用精密電阻改進的技術規格才能開發。

　　(4) 有目的地提前計劃使用精密電阻滿足今后升級要求 (例如，利用電阻而不是有源器件保持電路精度，從而節省成本，否則僅僅為了略微提高性能則要顯著增加成本)。