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如何估算MOS管的驅動電流?

2012年10月26日 14:17 http://www.tosharp.cn/ 作者:潮光科技 用戶評論(0

第一種:

可以使用如下公式估算:

Ig=Qg/Ton

其中:

Ton=t3-t0≈td(on)+tr

td(on):MOS導通延遲時間,從有駛入電壓上升到10%開始到VDS下降到其幅值90%的時間。

Tr:上升時間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間

Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod (可在datasheet中找到)?

第二種:(第一種的變形)

密勒效應時間(開關時間)Ton/off=Qgd/Ig;

Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg

Ig:MOS柵極驅動電流;Vb:穩態柵極驅動電壓;?

第三種:

以IR的IRF640為例,看DATASHEET里有條Total Gate Charge曲線。該曲線先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開通(密勒效應)假定你希望在0.2us內使管子開通,估計總時間(先上升然后水平再上升)為0.4us,由Qg=67nC和0.4us可得:67nC/0.4us=0.1675A,當然,這是峰值,僅在管子開通和關短的各0.2us里有電流,其他時間幾乎沒有電流,平均值很小,但如果驅動芯片不能輸出這個峰值,管子的開通就會變慢。

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( 發表人:灰色天空 )

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