1.比特大陸考慮導入臺積電7nm工藝；
比特大陸今年向臺積電下單量逾10萬片，且制程從原本的16nm，推向12nm制程，近期更考慮導入臺積電最先進的7nm制程，以提升挖礦芯片效能，大舉推升臺積電7nm產出量，以致外界開始關注是否排擠到其他原本采用7nm客戶訂單
不過臺積電昨天保持沉默，但釋出將全力支持這批來自大陸的嬌客的態度，主因這批龐大的訂單，補足了高端智能手機銷售不佳所導致訂單下滑的缺口。
臺積電表示，包括比特大陸等虛擬客戶，臺積電早在三年前就歸列在新興客戶平臺下配合，后來隨訂單成長，才列入高速運算計算機平臺，去年下半年虛擬貨幣大漲，目前已躍居臺積電重要客戶群之列，且客戶數持續增加中。
臺積電估計，去年高速運算業績比重約20%，預期今年高速運算業績比重可望達25%；業界預估，臺積電今年高速運算業績可望較去年增加37.5%至43.75%，成長力道強勁，其中最大關鍵，就是來自比特大陸的訂單。
臺積電去年受惠比特大陸等下單量大增，大陸客戶營收占比由前年的9%增至11%，看好今年可持續大幅成長。
原因這些客戶的下單量，年增率都在數倍以上，但今年來自大陸客戶營收占比，有多少來自大陸的虛擬貨幣客戶，臺積電則不對外透露細節。
2.國內首條G11光掩膜版項目在成都高新區啟動；
1月18日，國內首條G11光掩膜版項目——路維光電高世代光掩膜生產基地項目在成都高新區啟動。該項目總投資10億元，由深圳路維光電參與設立的控股公司——成都路維光電有限公司負責項目建設，建成后將成為我國最大的掩膜版制造基地。
G11光掩膜版項目位于成都高新區西部園區，占地面積超過3．6萬平方米，計劃投資建設6條高世代掩膜版生產線，涵蓋TFT－G11及以下、AMOLED等掩膜版生產線，可全面配套國內高世代、新型顯示產業，項目預計今年四季度投產。
深圳路維光電股份有限公司（以下簡稱“路維光電”）是國內研發、生產和銷售各類掩模產品的國家高新技術企業，產品應用于平板顯示、觸控、LED、PCB和半導體IC封裝等多個領域，是京東方、天馬微電子、長虹、維信諾、三星、索尼等知名企業的供應商。成都路維是路維光電設立的第三家工廠，專注于研發、生產高世代、高精度TFT掩膜產品以及新型掩膜技術的開發。
“光電顯示是新一代信息技術的重要組成部分，是光電子產業核心關鍵。隨著技術、產品、市場的不斷發展和完善，已經形成千億美元級產業。”成都路維工廠相關負責人介紹，近十年來，全球顯示面板的需求量持續增加，市場前景看好，但由于國內的掩膜版行業起步晚、技術堡壘高，僅能夠滿足中低端產品市場的需求，高端掩膜版長期依賴進口。“成都路維高世代掩膜版新工廠投產后，將大力推動光掩膜版的國產化、本土化，早日實現我國高端掩膜版產品本土化和掩膜版技術的國際化。”
光電顯示是四川省、成都市、成都高新區重點支持發展的主導產業和戰略性新興產業。四川省制定規劃，提出要以成都為中心打造全球光電顯示產業重要基地。去年，四川省在光電顯示行業總投資累計超過1000億元，預計到2019年，全球超過1／4的柔性顯示器件將在四川誕生。
成都高新區相關負責人表示，成都路維高世代掩膜版項目的啟動，有助于成都高新區進一步實現從原輔材料、零部件、中間產品、關聯產品、整機集成、運營服務的強鏈補鏈，打造具有全球影響力的光電顯示產業生態圈。下一步，成都高新區將大力促進以新型平板顯示產業為核心的電子信息產業集群化發展，加快打造電子信息產業主體功能區，進一步推動區域電子信息產業融入全球產業鏈高端和價值鏈核心，助推成都電子信息產業早日邁上萬億級臺階，建成具有國際影響力的電子信息產業基地。 中國網
3.CEVA授權ASR（翱捷科技）提供用于智能手機和IoT的DSP和連接技術；
集微網1月18日消息，CEVA宣布，翱捷科技（上海）有限公司已經獲得多種CEVA技術授權許可，用于即將推出的面向智能手機和窄帶物聯網（NB-IoT）邊緣設備的片上系統芯片（SoC）產品。翱捷科技將在其無線產品中融入一系列CEVA IP以提供蜂窩、藍牙和Wi-Fi連接支持，并實現計算機視覺、語音和音頻領域的新興應用。
翱捷科技首席執行官戴保家評論道：“CEVA為智能和連接設備提供了全面的技術組合，完全滿足了我們對高成本效益的低功耗技術的嚴格要求。作為翱捷科技的重要知識產權合作伙伴，CEVA為我們的產品貢獻了巨大的價值，使我們能夠為智能手機和IoT市場提供一流的調制解調器、連接、視覺和聲音特性。”
CEVA首席執行官Gideon Wertheizer評論說：“我們很高興地宣布翱捷科技選擇在其SoC中部署多種CEVA技術，這肯定了我們作為視覺、語音、蜂窩和連接的一站式IP企業的價值定位。我們期待與翱捷科技建立長期成功的合作關系，助力他們應對新興的智能手機和IoT市場。”
4.「阿丘科技」完成800萬美元A輪融資，DCM和百度風投領投；
36氪今日獲悉，此前報道過的高科技創業公司阿丘科技（Aqrose）已完成800萬美元A輪融資，由DCM、百度風投（BV）領投，長石資本和天使輪投資機構跟投。 本輪融資將主要用于擴充研發和市場人員，以及打造工業機器人的視覺技術平臺。 此前，阿丘科技獲得英諾天使和臻云創投的千萬元天使輪投資。
阿丘科技主要專注于CV & Robotics 底層技術的研發，并有兩條主要的業務線——基于機器學習的視覺檢測系統，和基于3D視覺的智能分揀系統。 在成立不到一年的時間內，阿丘科技將這些技術在多個場景中落地。
創始人黃耀表示，公司將繼續加大機器學習、3D視覺和Robotics等基礎技術的研發和儲備。 短期內聚焦質檢和分揀兩大業務線，重點應用于3C電子、汽車零部件和物流三大領域。 長遠來看，堅持以視覺為切入點，將AI和機器人結合，去探索和擴展機器人應用的邊界。
DCM董事合伙人曾振宇表示，DCM長期看好利用技術來提高生產效率的大方向。 DCM很榮幸和阿丘合作，共同探索用人工智能改造傳統行業的商業模式。 百度風投（BV）CEO劉維表示，機器視覺作為AI大腦的核心信息來源，推動著AI不斷開疆拓土。 阿丘作為一家專注于工業機器人視覺技術的前沿科技公司，將大大拓展工業機器人的適用范圍，也為工業機器人生態的發展補上一塊關鍵短板。
阿丘科技創始團隊來自清華人工智能實驗室，近期也吸引了多名行業資深人才加盟。 目前已在昆山、深圳設立辦公室，期待更多計算器視覺、機器人等領域專業人才加入，一起去推動AI技術在自動化及機器人領域的應用。
5.湖南8家集成電路企業獲超5.1億元意向投資；
1月18號，湖南省集成電路產業優秀科技創新企業投融資路演會在省科技廳舉行。
湖南省集成電路設計與應用產業技術創新戰略聯盟內的進芯電子、天羿領航、邁克森偉電子等8家企業參加路演，獲得意向投資金額5.1億元。據悉，依托產業技術創新戰略聯盟開展投融資路演，在湖南省尚屬首次。
根據湖南在集成電路產業方面的規劃，起步階段（2015-2017年），湖南將重點扶持2-3家集成電路龍頭企業，培育一批以工業控制、軌道交通、數字電視、汽車電子、衛星導航芯片為主業的集成電路企業。
而在發展階段（2017-2020年），將建成擁有國際先進水平的集成電路特色工藝生產基地。通過制造、設計和市場的聯動，推動至少8家集成電路公司上市，實現產業產值突破400億元，成為國家重點集成電路產業基地。
據了解，近年來，湖南省集成電路產業復合增長率達到50%以上，已初步形成以芯片設計和IGBT為特色的長沙、株洲兩大產業集聚區，目前已涵蓋集成電路設計、制造、封測、設備以及材料等產業鏈各環節。
6.半導體所等在拓撲激子絕緣體相研究中取得進展
上世紀60年代，諾貝爾獎獲得者Mott提出激子絕緣相，Mott提出考慮庫侖屏蔽效應，在半金屬體系中電子-空穴配對而形成激子，可能會導致體系失穩，從而在半金屬費米面處打開能隙，形成激子絕緣體狀態。但迄今為止，實驗上觀測激子絕緣體相是一個尚未完全解決的關鍵科學問題。激子絕緣體相存在及其玻色-愛因斯坦凝聚的確鑿證據并不充分，主要是由于激子的壽命較短，帶來觀測上的困難。
InAs/GaSb半導體量子阱系統是重要的紅外探測器體系，其能帶結構獨特，本征情況下會自發形成空間分離的二維電子氣和空穴氣。由于其電子、空穴的空間分離，激子壽命變長，為研究激子絕緣體提供了良好的平臺。在InAs/GaSb半導體量子阱中，通過調節InAs和GaSb層厚，可使GaSb層的價帶頂高于InAs層的導帶底，體系中可以自發地形成局域于InAs層的電子氣和局域于GaSb層的空穴氣，兩者在實空間分離。美國斯坦福大學張首晟研究組的理論工作證明，InAs/GaSb量子阱的基態是二維量子自旋霍爾絕緣體；美國萊斯大學/北京大學杜瑞瑞實驗組在該系統中觀察到拓撲邊緣態的輸運，并發現邊緣態輸運即使在強磁場下仍能保持。
如果考慮電子-空穴間的庫侖作用，即當激子束縛能大于體系的雜化能隙時，理論上猜想該體系基態形成如Mott預言的激子絕緣體相甚至拓撲激子絕緣相。美國萊斯大學/北京大學杜瑞瑞實驗組、美國萊斯大學大學Kono實驗組和中國科學院半導體研究所常凱理論組，從實驗和理論兩方面研究InAs/GaSb量子阱中的激子絕緣相。研究員常凱、副研究員婁文凱構造了平行磁場下激子的多帶量子多體理論模型，研究激子絕緣相的基態及其獨特的色散，發現激子的基態是處于有限動量處的暗激子。在低溫且低電子-空穴對密度情形下，體系打開類似BCS超導體中的能隙。通過研究激子的色散關系，提出利用太赫茲透射譜來驗證激子絕緣體的存在，指出太赫茲透射譜表現為兩個吸收峰，理論計算預言的吸收峰位與實驗一致，為激子絕緣相光學觀測提供了理論依據。
相關研究成果發表在Nature Communications上。
（a）InAs/GaSb量子阱能譜圖；（b）實驗裝置示意圖；（c）激子絕緣體色散關系；（d）激子絕緣體聯合態密度；（e）THz吸收譜；（f）-（h） THz吸收譜：固定磁場不同溫度（f），固定溫度不同磁場（f，h）；（i）帶隙與溫度關系；（j）測量縱向電導與門電壓之間關系；（k）不同磁場強度下InAs/GaSb能譜結構。?