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絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)

2009年12月10日 14:24 www.qldv.cn 作者:佚名 用戶評論(0
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絕緣柵雙極型晶體管IGBT
  
IGBT(Insulated Gate Bipolor Transistor)叫做絕緣柵極雙極晶體管。這種器件具有MOS門極的
高速開關(guān)性能和雙極動作的高耐壓、大電流容量的兩種特點。其開關(guān)速度可達1mS,額定電流密度100A/cm2,
電壓驅(qū)動,自身損耗小。其符號和波形圖如下圖所示。
  IGBT可以耐高壓、大電流,常以一個單元、二個單元、六個單元裝在一個芯片上,下圖給出一、二、六單元在一個硅片上的等效電路。

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