場效應管是一種利用電場效應來控制電流的一種半導體器件，是僅由一種載流子參與導電的半導體器件。從參與導電的載流子來劃分，它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。
場效應管分為結型和MOS型兩種，結型包括N溝溝道和P溝道，MOS型也包括N溝道和P溝道兩種，它們分別包含了增強型和耗盡型。
1. N溝道結型場效應管的結構和符號
結型場效應管是一種利用耗盡層寬度改變導電溝道的寬窄來控制漏極電流的大小的器件。它是在N型半導體硅片的兩側各制造一個PN結，形成兩個PN結夾著一個N型溝道的結構。P區即為柵極g(G)，N型硅的一端是漏極d(D)，另一端是源極s(S)。
箭頭方向表示柵結正偏或正偏時柵極電流方向。
N溝道結型場效應管結構動畫
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（1）VGS對導電溝道的影響：
(a) VGS=0，VDS=0,ID=0
VP(VGS(OFF) )：夾斷電壓柵源之間是反偏的PN結，RGS>107Ω，所以IG=0
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(b) 0<│VGS│< │VP│ (c) |VGS | = │VP│ ，
│VGS│↑→耗盡層變寬 導電溝道被全夾斷
（2）VDS>0 但|VGS-VDS| < | VP | ，時
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(a) VDS增加，d端電位高，s端電位低，導電溝道內存在電位梯度，所以耗盡層上端變寬。
VDS↑→ ID ↑
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(b)| VGS- VDS | = | VP |時，導電溝道在a點相遇，溝道被夾斷。
VGS=0時，產生夾斷時的ID稱為漏極飽和電流IDSS
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(c) VDS↑→夾端長度↑場強↑→ ID=IDSS基本不變。
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輸出特性: 表示VGS一定時，iD與VDS之間的變化關系。
結型場效應管的輸出特性動畫
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(1) 截止區（夾斷區）
如果VP= -4V，
VGS= -4V以下區域就是截止區
VGS≤ VP ID=0
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(2) 放大區（恒流區）產生夾斷后，VDS增
大，ID不變的區域
│VGS -VDS │≥│VP│
VDS↑→ID不變
處于恒流區的場效應管相當于一個壓控電流源
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(2) 飽和區（可變電阻區）
未產生夾斷時，VDS增大，ID隨著增大的區域
│VGS -VDS│≤│VP│ VDS↑→ID
處于飽和區的場效應管相當于一個壓控可變電阻
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結型效應管的工作原理動畫
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轉移特性 : 表示vDS一定時，iD與vGS之間的變化關系。
場效應管的轉移特性曲線動畫
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轉移特性描述了在VDS一定時，VGS對iD的控制作用。可直接從輸出特性曲線上做圖求出。
當|VGS - VDS |≥ | VP |后，管子工作在恒流區，VDS對iD的影響很小。實驗證明，當|VGS - VDS |≥ | VP | 時，iD可近似表示為：
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