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氧化鋅壓敏電阻器的原理應(yīng)用

2011年02月26日 11:41 電子發(fā)燒友網(wǎng) 作者:本站 用戶評(píng)論(0

  壓敏電阻是中國大陸的名詞,意思是"在一定電流電壓范圍內(nèi)電阻值隨電壓而變",或者是說"電阻值對(duì)電壓敏感"的阻器。相應(yīng)的英文名稱叫“Voltage Dependent Resistor”簡(jiǎn)寫為“VDR”。

  壓敏電阻器的電阻體材料是半導(dǎo)體,所以它是半導(dǎo)體電阻器的一個(gè)品種?,F(xiàn)在大量使用的"氧化鋅"(ZnO)壓敏電阻器,它的主體材料有二價(jià)元素(Zn)和六價(jià)元素氧(O)所構(gòu)成。所以從材料的角度來看,氧化鋅壓敏電阻器是一種“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半導(dǎo)體”。

  在中國***,壓敏電阻器是按其用途來命名的,稱為"突波吸收器"。壓敏電阻器按其用途有時(shí)也稱為“電沖擊(浪涌)抑制器(吸收器)”。

  

電子制作網(wǎng)-電路圖

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  一、氧化鋅壓敏電阻器微觀結(jié)構(gòu)及特性

  氧化鋅壓敏電阻器是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、經(jīng)典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導(dǎo)體陶瓷元件。它的微觀結(jié)構(gòu)如圖1所示。氧化鋅陶瓷是由氧化鋅晶粒及晶界物質(zhì)組成的,其中氧化鋅晶粒中摻有施主雜質(zhì)而呈N型半導(dǎo)體,晶界物質(zhì)中含有大量金屬氧化物形成大量界面態(tài),這樣每一微觀單元是一個(gè)背靠背肖特基勢(shì)壘,整個(gè)陶瓷就是由許多背靠背肖特基墊壘串并聯(lián)的組合體。圖2是壓敏電阻器的等效電路。

  氧化鋅壓敏電阻器的典型V-I特性曲線如圖3所示:


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  預(yù)擊穿區(qū):在此區(qū)域內(nèi),施加于壓敏電阻器兩端的電壓小于其壓敏電壓,其導(dǎo)電屬于熱激發(fā)電子電導(dǎo)機(jī)理。因此,壓敏電阻器相當(dāng)于一個(gè)10MΩ以上的絕緣電阻 (Rb遠(yuǎn)大于Rg),這時(shí)通過壓敏電阻器的阻性電流僅為微安級(jí),可看作為開路。該區(qū)域是電路正常運(yùn)行時(shí)壓敏電阻器所處的狀態(tài)。

  擊穿區(qū):壓敏電阻器兩端施加一大于壓敏電壓的過電壓時(shí),其導(dǎo)電屬于隧道擊穿電子電導(dǎo)機(jī)理(Rb與Rg相當(dāng)),其伏安特性呈優(yōu)異的非線性電導(dǎo)特性,即:

  I=CVα

  其中 I通過壓敏電阻器的電流 C與配方和工藝有關(guān)的常數(shù)

  V壓敏電阻器兩端的電壓 α為非線性系數(shù),一般大于30

  由上式可見,在擊穿區(qū),壓敏電阻器端電壓的微小變化就可引起電流的急劇變化,壓敏電阻器正是用這一特性來抑制過電壓幅值和吸收或?qū)Φ蒯尫胚^電壓引起的浪涌能量。

  上升區(qū):當(dāng)過電壓很大,使得通過壓敏電阻器的電流大于約100A/cm2時(shí),壓敏電阻器的伏安特性主要由晶粒電阻的伏安特性來決定。此時(shí)壓敏電阻器的伏安特性呈線性電導(dǎo)特性,即:

  I=V/Rg

  上升區(qū)電流與電壓幾乎呈線性關(guān)系,壓敏電阻器在該區(qū)域已經(jīng)劣化,失去了其抑制過電壓、吸收或釋放浪涌的能量等特性。

  根據(jù)壓敏電阻器的導(dǎo)電機(jī)理,其對(duì)過電壓的響應(yīng)速度很快,如帶引線式和專用電極產(chǎn)品,一般響應(yīng)時(shí)間小于25納秒。因此只要選擇和使用得當(dāng),壓敏電阻器對(duì)線路中出現(xiàn)的瞬態(tài)過電壓有優(yōu)良的抑制作用,從而達(dá)到保護(hù)電路中其它元件免遭過電壓破壞的目的。

  二、特點(diǎn)

  (1) 通流容量大

  (2) 限制電壓低

  (3) 響應(yīng)速度快

  (4) 無續(xù)流

  (5) 對(duì)稱的伏安特性(即產(chǎn)品無極性)

  (6) 電壓溫度系數(shù)低

  三、氧化鋅壓敏電阻器應(yīng)用及注意事項(xiàng)

  1、氧化鋅壓敏電阻器應(yīng)用原理

  壓敏電阻器與被保護(hù)的電器設(shè)備或元器件并聯(lián)使用。當(dāng)電路中出現(xiàn)雷電過電壓或瞬態(tài)操作過電壓Vs時(shí),壓敏電阻器和被保護(hù)的設(shè)備及元器件同時(shí)承受Vs,由于壓敏電阻器響應(yīng)速度很快,它以納秒級(jí)時(shí)間迅速呈現(xiàn)優(yōu)良非線性導(dǎo)電特性(見圖3中擊穿區(qū)),此時(shí)壓敏電阻器兩端電壓迅速下降,遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于Vs,這樣被保護(hù)的設(shè)備及元器件上實(shí)際承受的電壓就遠(yuǎn)低于過電壓Vs,從而使設(shè)備及元器件免遭過電壓的沖擊。

  2、氧化鋅壓敏電阻器的參數(shù)選擇

  根據(jù)被保護(hù)電源電壓選擇壓敏電阻器的規(guī)定電流下的電壓V1mA。一般選擇原則為:

  對(duì)于直流回路:V1mA≥2.0VDC

  對(duì)于交流回路:V1mA≥2.2V有效值

  如果電器設(shè)備耐壓水平Vo較低,而浪涌能量又比較大,則可選擇壓敏電壓V1mA較低、片徑較大的壓敏電阻器;如果Vo較高,則可選擇壓敏電壓V1mA較高的壓敏電阻器,這樣既可以保護(hù)電器設(shè)備,又能延長(zhǎng)壓敏電阻使用壽命。

  

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